Electrical properties of sputtered-indium tin oxide film contacts on n-type GaN

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 4, 2006, Pages

  Hwang, J D ^a   Lin, C C ^a   Chen, W L ^b  

^a DA YEH UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHANGHUA UNIVERSITY OF EDUCATION   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEPOSITION; ELECTRON TUNNELING; GALLIUM NITRIDE; OHMIC CONTACTS; SPUTTERING; THIN FILMS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

AUGER ANALYSIS; CONTACT RESISTIVITY; FILM DEPOSITION METHOD; OXYGEN REMOVAL;

INDIUM COMPOUNDS;

EID: 33748303085     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2336978     Document Type: Article

References (20)

1. M. E. Lin, Z. Ma, Y. F. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
2. Y. K. Su, S. J. Chang, C. H. Chen, J. F. Chen, G. C. Chi, J. K. Sheu, W. C. Lai, and J. M. Tsai, IEEE Sens. J. 2, 366 (2002).
3. T. Margalith, O. Buchinsky, D. A. Cohen, A. C. Abare, M. Hansen, S. P. DenBaars, and L. A. Coldren, Appl. Phys. Lett. 74, 3930 (1999).
4. Y. C. Lin, S. J. Chang, Y. K. Su, T. Y. Tsai, C. S. Chang, S. C. Shei, C. W. Kuo, and S. C. Chen, Solid-State Electron. 47, 849 (2003).
5. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, and C. M. Chang, Appl. Phys. Lett. 72, 3317 (1998).
6. J. L. Lee, J. K. Kim, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. Kim, Solid-State Electron. 43, 435 (1999).
7. J. X. Sun, K. A. Redwing, A. B. Ellis, F. J. Himpsel, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 76, 415 (2000).
8. A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. A. Khan, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 27, 261 (1998).
9. H. W. Jang, C. M. Jeon, J. K. Kim, and J. L. Lee, Appl. Phys. Lett. 78, 2015 (2001).
10. H. W. Jang, J. K. Kim, and J. L. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 580 (2003).
11. Y. J. Lin and Y. L. Chu, J. Appl. Phys. 97, 104904 (2005).
12. J. M. Lee, K. M. Chang, S. W. Kim, C. Huh, I. H. Lee, and S. J. Park, J. Appl. Phys. 87, 7667 (2000).
13. S. W. Kim, J. M. Lee, C. Huh, N. M. Park, H. S. Kim, I. H. Lee, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 76, 3079 (2000).
14. D. G. Kent et al., Solid-State Electron. 45, 467 (2001).
15. J. D. Hwang, Z. Y. Lai, C. Y. Wu, and S. J. Chang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 1726 (2005).
16. K. A. Rickert, A. B. Ellis, J. K. Kim, J. L. Lee, F. J. Himpsel, F. Dwikusuma, and T. F. Kuech, J. Appl. Phys. 92, 6671 (2002).
17. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley, New York, 1990).
18. X. A. Cao et al., Appl. Phys. Lett. 75, 232 (1998).
19. P. Boguslaski, E. L. Briggs, and J. Bernholc, Phys. Rev. B 51, 17255 (1995).
20. T. Hashizume and R. Nakasaki, Appl. Phys. Lett. 80, 4564 (2002).