Investigation of the initial stage of GaN epitaxial growth on 6H-SiC (0001) at room temperature

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 3, 2006, Pages

  Kim, M H ^a   Oshima, M ^a   Kinoshita, H ^b   Shirakura, Y ^b   Miyamura, K ^b   Ohta, J ^c,d   Kobayashi, A ^c   Fujioka, H ^c,d  

^a UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

^b TOKYO UNIVERSITY OF SCIENCE   (Japan)

^c INSTITUTE OF INDUSTRIAL SCIENCE   (Japan)

^d KANAGAWA ACADEMY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ROOM TEMPERATURE;

EPITAXIAL GROWTH; PULSED LASER DEPOSITION; SILICA; SUBSTRATES; TEMPERATURE DISTRIBUTION; THIN FILMS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 33746280511     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2227616     Document Type: Article

References (27)

1. S. Nakamura, M. Senoch, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L217 (1996).
2. I. Akasaki and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 5393 (1997).
3. M. A. Khan, Q. Chen, M. S. Shur, B. T. Dermott, J. A. Higgins, J. Burm, W. Schaff, and L. F. Eastman, Electron. Lett. 32, 357 (1996).
4. Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, N. X. Nguyen, M. Le, C. Nguyen, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 18, 438 (1997).
5. H. Lahrèche, M. Leroux, M. Laügt, M. Vaile, B. Beaumont, and P. Gibart, J. Appl. Phys. 87, 577 (2000).
6. J. T. Torvik, C. H. Qiu, M. Leksono, and J. I. Pankove, Appl. Phys. Lett. 72, 945 (1998).
7. M. E. Lin, S. Strite, A. Agarwal, A. Salvador, G. L. Zhou, N. Teraguchi, A. Rockett, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 62, 702 (1993).
8. R. F. Davis, G. Kelner, M. Shur, J. W. Palmour, and J. A. Edmond, Proc. IEEE 79, 677 (1991).
9. T. Sasaki and T. Matsuoka, J. Appl. Phys. 64, 4531 (1988).
10. Z. Lilienthal-Weber, H. Sohn, N. Newman, and J. Washburn, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1578 (1995).
11. D. D. Koleske, R. L. Henry, M. E. Twigg, J. C. Culbertson, S. C. Binari, A. E. Wickenden, and M. Fatermi, Appl. Phys. Lett. 80, 4372 (2002).
12. R. F. Davis, T. W. Weeks, Jr., M. D. Bremser, S. Tanaka, R. S. Kern, Z. Sitar, K. S. Ailey, W. G. Perry, and C. Wang, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 3 (1996).
13. S. H. Cheung, L. X. Zheng, M. H. Xie, S. Y. Tong, and N. Ohtani, Phys. Rev. B 64, 033304 (2001).
14. T. Honda and H. Kawanishi, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1822 (2003).
15. J. Ohta, H. Fujioka, S. Ito, and M. Oshima, Thin Solid Films 435, 218 (2003).
16. J. Ohta, H. Fujioka, S. Ito, and M. Oshima, Appl. Phys. Lett. 81, 2373 (2002).
17. J. Ohta, H. Fujioka, M. Oshima, K. Fujiwara, and A. Ishii, Appl. Phys. Lett. 83, 3075 (2003).
18. J. Ohta, H. Fujioka, and M. Oshima, Appl. Phys. Lett. 83, 3060 (2003).
19. A. Kobayashi, H. Fujioka, J. Ohta, and M. Oshima, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L53 (2004).
20. Y. Kawaguchi, J. Ohta, A. Kobayashi, and H. Fujioka, Appl. Phys. Lett. 87, 221907 (2005).
21. A. Kobayashi, Y. Kawaguchi, J. Ohta, H. Fujioka, K. Fujiwara, and A. Ishii, Appl. Phys. Lett. 88, 181907 (2006).
22. N. Onojima, J. Suda, and H. Matsunami, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L445 (2003).
23. B. N. Sverdlov, G. A. Martin, H. Morkoç, and D. J. Smith, Appl. Phys. Lett. 67, 2063 (1995).
24. J. Kato, S. Tanaka, S. Yamada, and I. Suemune, Appl. Phys. Lett. 83, 1569 (2003).
25. R. Kaplan and T. M. Parrill, Surf. Sci. 165, L45 (1986).
26. K. Jeganathan, M. Shimuzu, T. Ide, and H. Okumura, J. Cryst. Growth 244, 33 (2002).
27. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 4, 42 (2005).