High quality thin GaN templates grown by hydride vapor phase epitaxy on sapphire substrates

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 24, 2006, Pages

  Martin, D ^a   Napierala, J ^a   Ilegems, M ^a   Butt R ^a   Grandjean, N ^a  

^a EPFL   (Switzerland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL GROWTH; DISLOCATIONS (CRYSTALS); GALLIUM NITRIDE; NUCLEATION; SAPPHIRE; VAPOR PHASE EPITAXY;

DISLOCATION DENSITIES; GROWTH PARAMETERS; HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY (HVPE); SURFACE PREPARATION;

THIN FILMS;

EID: 33745249921     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2213175     Document Type: Article

References (20)

1. R. Dingle, D. D. Sell, S. E. Stokowski, and M. Ilegems, Phys. Rev. B 4, 1211 (1971).
2. S. K. Mathis, A. E. Romanov, L. F. Chen, G. E. Beltz, W. Pompe, and J. S. Speck, J. Cryst. Growth 231, 371 (2001).
3. K. Naniwae, S. Itoh, H. Amano, K. Itoh, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 99, 381 (1990).
4. T. Detchprohm, K. Hiramatsu, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 61, 2688 (1992).
5. E. Valcheva, T. Paskova, S. Tungasmita, P. O. Å. Persson, J. Birch, E. B. Svedberg, L. Hultman, and B. Monemar, Appl. Phys. Lett. 76, 1860 (2000).
6. Y. Golan, X. H. Wu, J. S. Speck, R. P. Vaudo, and V. M. Phanse, Appl. Phys. Lett. 73, 3090 (1998).
7. W. Zhang, T. Riemann, H. R. Alves, M. Heuken, D. Meister, W. Kriegseis, D. M. Hofmann, J. Christen, A. Krost, and B. K. Meyer, J. Cryst. Growth 234, 616 (2002).
8. S. Gu, R. Zhang, Y. Shi, Y. Zheng, L. Zhang, F. Dwikusuma, and T. F. Kuech, J. Cryst. Growth 231, 342 (2001).
9. J. W. Lee, H. S. Paek, J. B. Yoo, G. H. Kim, and D. W. Kum, Mater. Sci. Eng., B 59, 12 (1999).
10. P. R. Tavernier, E. V. Etzkorn, Y. Wang, and D. R. Clarke, Appl. Phys. Lett. 77, 1804 (2000).
11. E. Richter, S. Gramlich, A. Klein, E. Nebauer, I. Rechenberg, U. Zeimer, and M. Weyers, Phys. Status Solidi A 188, 439 (2001).
12. G. S. Solomon, D. J. Miller, M. Ramsteiner, A. Trampert, O. Brandt, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 87, 181912 (2005).
13. D. Martin, J.-F. Carlin, V. Wagner, H. J. Bühlmann, and M. Ilegems, Phys. Status Solidi A 194, 520 (2002).
14. J. Neugebauer, Phys. Status Solidi B 227, 93 (2001).
15. J.-L. Rouvìre, J. L. Weyher, M. Seelmann-Eggebert, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 73, 668 (1998).
16. T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett. 76, 3421 (2000).
17. B. Heying, X. H. Wu, S. Keller, Y. Li, D. Kalponek, B. P. Keller, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 68, 643 (1996).
18. B. Gil and O. Briot, Phys. Rev. B 55, 2530 (1997).
19. J. Napierala, D. Martin, N. Grandjean, and M. Ilegems, J. Cryst. Growth 289, 445 (2006).
20. M. Leroux, B. Beaumont, N. Grandjean, P. Lorenzini, S. Haffouz, P. Venńgùs, J. Massies, and P. Gibart, Mater. Sci. Eng., B 50, 97 (1997).