Status of device mobility enhancement through strained silicon engineering

Proceedings - IEEE International SOI Conference

Volumn 2005, Issue , 2005, Pages 1-6

  Mazure, Carlos ^a   Cayrefourcq, Ian ^a  

^a PARC TECHNOLOGIQUE DES FONTAINES   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER MOBILITY; ELECTRIC INSULATORS; INSULATION; SILICON; SUBSTRATES; TRANSISTORS;

BIAXIAL WAFER LEVEL STRAIN; DEVICE MOBILITY ENHANCEMENT; PERFORMANCE GAIN; SCALABILITY;

INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURE;

EID: 33744733328     PISSN: 1078621X     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1109/SOI.2005.1563517     Document Type: Conference Paper

References (35)

1. T. Ando, A. Fowler and F. Stern, Rev. Mod. Phys. 54, 437 (1982). and references therein.
2. C.S. Smith, Phys. Rev., 94, 42 (1954).
3. J. Welser, J.L. Hoyt, S. Tagaki, and J.F. Gibbons, IEDM Tech. Dig., 373 (1994).
4. M.D. Giles, M. Armstrong, C. Auth, S.M. Cea, T. Ghani, T. Hoffmann, R. Kotlyar, P. Matagne, K. Mistry, R. Nagisetty, B.Obradovic, H. Shaheed, L. Shifren, M. Stettler, S. Tyagi, X. Wang, C. Weber, K. Zawadzki, Proc. Symp. VLSI Tech, 118 (2004).
5. M. Fischetti, Z. Ren, P.M. Solomon, M. Yang and K. Rim, J. Appl. Phys., 94, 1079 (2003).
6. G. Scott, J. Lutze, M. Rubin, F. Nouri, and M. Manley, IEDM Tech. Dig., 827 (1999).
7. H. Sayama, Y. Nishida, H. Oda. T. Oishi, S. Shimizu, T. Kunikiyo, K. Sonoda, Y. Inoue, and M. Inuishi, IEDM Tech. Dig., 657 (1999).
8. T. Sanuki, A. Oishi, Y. Morimasa, S. Aota, T. Kinoshita, R. Hasumi, Y. Takegawa, K. Isobe, H. Yoshimura, M. Iwai, K. Sunouchi, and T. Noguchi, IEDM Tech. Dig., 65 (2003).
9. C. Ge, C. Lin, C. Ko, C. Huang, Y. Huang, B. Chan, B. Perng, C. Sheu, P. Tsai, L. Yao, C. Wu, T. Lee, C. Chen, C. Wang, S. Lin, Y. Yeo, and C. Hu, IEDM Tech. Dig., 73 (2003).
10. T. Komoda, A. Oishi, T. Sanuki, K. Kasai, H. Yoshimura, K. Ohno, M. Iwai, M. Saito, F. Matsuoka, N. Nagashima, and T. Noguchi, IEDM Tech. Dig., 217 (2004).
11. A. Steegen, M. Stucchi, A. Lauwers, and K. Maex, IEDM Tech. Dig., 497 (1999).
12. V. Chan, R. Rengarajan, N. Rovedo, W. Jin, T. Hook, P. Nguyen, J. Chen, E. Nowak, W. Chen, D. Lea, A. Chakravarti, V. Ku, S. Yang, A. Steegen, C. Baioco, P. Shafer, H. Ng, S. Huang, and C. Wann, IBDM Tech. Dig., 77 (2003).
13. T. Ghani, M. Armstrong, C. Auth, M. Bost, P. Charvat, G. Glass, T. Hoffmann, K. Johnson, C. Kenyon, J. Klaus, B. McIntyre, K. Mistry, A; Murthy, J. Sandford, M. Silberstein, S. Sivakumar, P. Smith, K. Zawadzki, S. Thompson, and M. Bohr, IEDM Tech. Dig., 978 (2003).
14. H. S. Yang, R. Malik, S. Narasimha, Y. Li, R. Divakaruni, P. Agnello, S. Allen, A. Antreasyan, J. C. Arnold, K. Bandy, M. Belyansky, A. Bonnoit, G. Bronner, V. Chan, X. Chen, Z. Chen, D. Chidambarrao, A.Chou, W. Clark, S. W. Crowder, B. Engel, H. Harifuchi, S. F. Huang, R. Jagannathan, F. F. Jamin, Y. Kohyama, H. Kuroda, C. W. Lai, H. K. Lee, W. Lee, E. H. Lim, W. Lai, A. Mallikarjunan, K. Matsumoto, A. McKnight, J. Nayak, H. Y. Ng, S. Panda, R. Rengarajan, M. Steigerwalt, S. Subbanna, K. Subramanian, J. Sudijono, G. Sudo, S. Sun, B. Tessier, Y. Toyoshima, P. Tran, R. Wise, R. Wong, I. Y. Yang, C. H. Wann, L. T. Su, M. Horstmann, T. Feudel, A. Wei, K. Frohberg, G. Burbach, M. Gerhardt, M. Lenski, R. Stephan, K. Wieczorek, M. Schaller, H. Salz, J. Hohage, H. Ruelke, J. Klais, P. Huebler, S. Luning, R. van Bentum, G. Grasshoff, C. Schwan, E. Ehrichs, S. Goad, J. Buller, S. Krishnan, D. Greenlaw, M. Raab, and N. Kepler, IEDM Tech. Dig., 1075 (2004).
15. C.H. Chen, T.L. Lee, T.H. Hou, C.L Chen, J.W. Hsu, K.L. Cheng, Y.H. Chiu, H.J. Tao, Y. Jin, C.H. Diaz, S.C. Chen, and M.S. Liang, Proc. Symp. VLSI Tech, 56 (2004).
16. G. Eneman, P. Verheyen, R. Rooyackers, F. Nouri, L. Washington, R. Degareve, B. Kaczer, V. Moroz, A. DeKeersgieter, R. Schreutelkamp, M. Kawaguchi, Y. Kim, A. Samoilov, L. Smith, P.P. Absil, K. DeMeyer, M. Jurczak, S. Biesemans, Proc. Symp. VLSI Tech, 22 (2004).
17. F.K. LeGoues, B.S. Meyerson and J.F. Morar, Phys. Rev. Lett., 66, 2903 (1991).
18. E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, M.L. Green, D. Brasen, A.R. Kortan, J. Michel, Y.-J. Mii, and B.E. Weir, Appl. Phys. Lett., 52, 811 (1991).
19. H. C. Wang, Y. Wang, S. Chen, C. Ge, S. M. Ting, J. Kung, R. Hwang, H. Chiu, L. C. Sheu, P. Tsai, L. Yao, S. Chen, H. Tao, Y. Yeo, W. Lee, and C. Hu, IEDM Tech. Dig., 61 (2003).
20. J.G. Fiorenza, G. Braithwaite, C. Leitz, M.T. Currie, Z.Y. Cheng, V.K. Yang, T. Langdo, J. Carlin, M. Sommerville, A. Lochtefeld, H. Badawi, M.T. Bulsara, Proc. of IRPS, 493 (2004).
21. B. Ghyselen, J.-M. Hartmann, T. Ernst, C. Aulnette, B. Osternaud, Y. Bogumilowicz, A. Abbadie, P. Besson, O. Rayssac, A. Tiberj, N. Daval, I. Cayrefourq, F. Fournel, H. Monceau, C. Di Nardo, F. Andrieu, V. Paillard, M. Cabié, L. Vincent, E. Snoeck, F. Cristiano, A. Rocher, A. Ponchet, A. Claverie, P. Boucaud, M.-N. Semeria, D. Bensahel, N. Kernevez and C. Mazure, Solid State Elect., 48, 1285 (2004).
22. B. Ghyselen, C. Aulnette, B. Osternaud, T. Akatsu, C. Mazure, C. Lagahe-Blanchard, S. Pocas, J.-M. Hartmann, P. Leduc, T. Ernst, H. Moriceau, Y. Campidelli, O. Kermarrec, P. Besson, Y. Morand, M. Rivoire, D. Bensahel and V. Paillard, ICSI3 Proc., 173 (2003).
23. T.A. Langdo, A. Lochtefeld, M.T. Currie, R. Hammond, V.K. Yang, J.A. Carlin, C.J. Vineis, G. Braithwaite, H. Badawi, M.T. Bulsara, and E.A. Fitzgerald et al., IEEE Int. SOI Conf., 211 (2002).
24. K. Rim, K. Chan, L. Shi, D. Boyd, J.Ott, N. Klymko, F. Cardone, L. Tai, S. Koester, M. Cobb, D. Canaperi, B. To, E. Duch, I. Babich, R. Carruthers, P. Saunders, G. Walker, Y. Zhang, M. Steen, M. Ieong., IEDM Tech. Dig., 49 (2003).
25. I. Cayrefourcq, M. Kennard, F. Metral, C. Mazure, A. Thean, M. Sadaka, T. White, and B.Y. Nguyen, Silicon-On-Insulator Technology and Devices XII, ECS Proc., Vol 2005-03, 191 (2005).
26. S. Tagaki, T. Mizuno, T. Tezuka, N. Sugiyama, T. Numata, K. Usuda, Y. Moriyama, S. Nakaharai, J. Koga, A. Tanabe, N. Hirashita, T. Maeda, EDM Tech. Dig., 57 (2003).
27. M. Sadaka, A. Thean, A. Barr, D. Tekleab, S. Kalpat, T. White, T. Nguyen, R. Mora, P. Beckage, D. Jawarani, S. Zollner, M. Kottke, R. Liu, M. Canonico, Q.-H. Xie, X.-D. Wang, S. Parsons, D. Eades, M. Zavala, B.Y. Nguyen, C. Mazure, and J. Mogab, IEEE Int. SOI Conf, 209 (2004).
28. T. Mizuno, N. Sugiyama, T. Tezuka, Y. Moriyama, S. Nakaharai, T. Maeda and S. Tagaki, IEDM Tech. Dig., 809 (2003).
29. I. Aberg, O.O. Olubuyide, C. Ni Chléirigh, I. Lauer, D. A. Antoniadis, J. Li, R. Hull, J. L. Hoyt, Proc. Symp. VLSI Tech, 52 (2004).
30. A.J. Auberton-Hervé and C. Maleville, IEEE Int. SOI Conf., 1 (2002).
31. A. Thean, T. White, M. Sadaka, L. McCormick, M. Ramon, R. Mora, P. Beckage, M. Canonico, X.-D. Wang, S. Zollner, S. Murphy, V. Van Der Pas, M. Zavala, R. Roble, O. Zia, L-G. Kang, V. Kolagunta, N. Cave, J. Cheek, M. Mendocino, B.Y. Nguyen, M. Orlowski, S. Venkatesan, J. Mogab, C.H. Chang, Y.H.Chiu, H.C. Tuan, Y.C. See, M.S. Lian, Y.C. Sun, I. Cayrefourcq, F. Metral, M. Kennard, C. Mazure, Proc. Symp. VLSI Tech, 134 (2005).
32. Q.-H. Xie, P. Feies, M. Kottke, X.-D. Wang, M. Canonico, D. Theodore, T. White, M. Sadaka, V. Vartanian, A. Thean, B.Y. Nguyen, A. Barr, S. Thomas, R. Liu; MRS Symp. E on Semiconductor Defect Engineering, E4.31, March (2005).C.
33. J. Jung, M.L. Lee, S. Yu, E.A. Fitzgerald and D. Antoniadis, IEEE EDL, 24, 460 (2003).
34. H. Shang, J. O. Chu, X. Wang, P.M. Mooney, K. Lee, J. Ott, K. Rim, K. Chan, K. W. Guarini, and M. Leong, Proc. Symp. VLSI Tech, 204 (2004).
35. F. Andrieu, T. Ernst, O. Faynot, Y. Bogumilowicz, J.-M. Hartmann, J. Eymery, D. Lafond,Y.-M. Levaillant, C. Dupré, R. Powers, F. Fournel, C. Fenouillet-Beranger, A. Vandooren, B. Ghyselen, C. Mazure, N. Kernevez, G. Ghibaudo and S. Deleonibus, to be published in IEEE Int. SOI Conf, (2005).