Work function adjustment by nitrogen incorporation in HfNx gate electrode with post metal annealing

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 9, Issue 7, 2006, Pages

  Lai, Chao Sung ^a   Peng, Shing Kan ^a   Pan, Tung Ming ^a   Wang, Jer Chyi ^b   Fan, Kung Ming ^a  

^a CHANG GUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NANYA TECHNOLOGY CORPORATION   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ELECTRODES; GATES (TRANSISTOR); HAFNIUM; NITROGEN; SPUTTERING; X RAY DIFFRACTION;

CONDUCTION BAND; DC REACTIVE SPUTTERING; FLOW RATIO; WORK FUNCTIONS;

THIN FILMS;

EID: 33646896551     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2200010     Document Type: Article

References (27)

1. International Technology Roadmap for Semiconductor, Semiconductor Industry Association (2003).
2. J. C. Hu, H. Yang, R. Kraft, A. L. P. Rotondaro, S. Hattangady, W. W. Lee, R. A. Chapman, C. P. Chao, A. Chatterjee, M. Rodder, and I. C. Chen, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 1997, 825.
3. R. B. Fair, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 1995, 85.
4. R. Lin, Q. Lu, P. Ranade, T. J. King, and C. Hu, IEEE Electron Device Lett., 23, 49 (2002).
5. C. S. Kang, H. J. Cho, Y. H. Kim, R. Choi, A. Shahriar, and J. C. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 2026 (2003).
6. J. H. Lee, H. Zhong, Y. S. Shu, G. Heuss, J. Gurganus, B. Chen, and V. Misra, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2002, 359.
7. P. Ranade, H. Takeuchi, T. J. King, and C. Hu, Electrochem. Solid-State Lett., 4, G85 (2001).
8. P. Ranade, Y. K. Choi, D. Ha, A. Agarwal, M. Ameen, and T. J. King, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2002, 363.
9. K. Nakajima, Y. Akasaka, M. Kaneko, M. Tamaoki, and Y. Yamada, in Proceedings of the VLSI Symposium, p. 95, IEEE (1999).
10. T. H Cha, D. G. Park, T. K. Kim, S. A. Jang, I. S. Yeo, J. S. Roh, and J. W. Park, Appl. Phys. Lett., 81, 4192 (2002).
11. S. Park, L. Colombo, Y. Nishi, and K. Cho, Appl. Phys. Lett., 86, 073118 (2005).
12. H. N. Alshareef, H. C. Wen, H. R. Harris, K. Choi, H. F. Luan, P. Lysaght, P. Majhi, B. H. Lee, M. El-Bouanani, and V. Ukride, Appl. Phys. Lett., 87, 052109 (2005).
13. R. T. P. Lee, S. L. Liew, W. D. Wang, E. K. C. Chua, S. Y. Chow, M. Y. Lai, and D. Z. Chi, Electrochem. Solid-State Lett., 8, G156 (2005).
14. C. S. Lai, H. Hsieh, S. K. Peng, and C. Chen, Paper presented at The Electrochemical Society Meeting, Los Angeles, CA, Oct 16-21, 2005.
15. J. Pan, C. Woo, C. Y. Yang, S. Guggilla, N. Krishna, H. Chung, A. Hui, Q. Xiang, and M. R. Lin, IEEE Electron Device Lett., 24, 304 (2003).
16. K. J. Choi and S. G. Yoon, Electrochem. Solid-State Lett., 7, G47 (2004).
17. A. Yagishita, T. Saito, K. Nakajima, S. Inumiya, K. Matsuo, T. Shibata, Y. Tsunashima, K. Suguro, and T. Arikado, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 1604 (2001).
18. S. C. Song, B. H. Lee, Z. Zhang, K. Choi, S. H. Bae, and P. Zeitzoff, Electrochem. Solid-State Lett., 8, G26L (2005).
19. J. J. Peterson, C. D. Young, J. Barnett, S. Gopalan, J. Gutt, C. H. Lee, H. J. Li, T. H. Hou, Y. Kim, C. Lim, N. Chaudhary, N. Moumen, B. H. Lee, G. Bersuker, G. A. Brown, P. M. Zeitzoff, M. I. Gardner, R. W. Murto, and H. R. Huff, Electrochem. Solid-State Lett., 7, G164 (2004).
20. H. Y. Yu, Y. C. Yeo, J. F. Kang, X. P. Wang, M. F. Li, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 25, 337 (2004).
21. C. Ren, H. Y. Yu, J. F. Kang, Y. T. Hou, M. F. Li, W. D. Wang, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 25, 123 (2004).
22. M. Wittmer, J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 1797 (1985).
23. B. O. Johansson, J. E. Sundgren, and U. Helmersson, J. Appl. Phys., 58, 3112 (1985).
24. H. B. Nie, S. Y. Xu, S. J. Wang, L. P. You, Z. Yang, C. K. Ong, J. Li, and T. Y F. Liew, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process., 73, 229 (2001).
25. S. Shinkai and K. Sasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 38, 2097 (1999).
26. R. Smoluchowski, Phys. Rev., 60, 661 (1941).
27. H. B. Michaelson, J. Appl. Phys., 48, 4729 (1977).