Ni/Au-gate in0.45Al0.55As/In0.53Ga 0.47As/InAlGaAs/GaAs metamorphic high-electron-mobility transistors

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 48, Issue 4, 2006, Pages 653-657

  Lee, Ching Sung ^a   Hsu, Wei Chou ^b   Su, Ke Hua ^b   Huang, Jun Chin ^b   Huang, Dong Hai ^b   Chen, Yeong Jia ^c  

^a FENG CHIA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^c UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION   (Taiwan)

Author keywords

GVS; Kink effects; Metamorphic; MHEMT

Indexed keywords

EID: 33646403455     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (19)

1. K. Ouchi, T. Mishima, M. Kudo and H. Ohta, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 1004 (2002).
2. S. Bollaert, Y. Cordier, M. Zaknoune, H. Happy, S. Lepilliet and A. Gappy, Proc. 13th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (Nara, Japan, 2001), p. 192.
3. K. Yuan, K. Radhakrishnan, H. Q. Zheng and S. F. Yoon, Mater. Sci. Semicond. Process. 4, 641 (2001).
4. W. C. Hsu, Y. J. Chen, C. S. Lee, T. B. Wang, J. C. Huang, D. H. Huang, K. H. Su, Y. S. Lin and C. L. Wu, IEEE Trans. Electron Dev. 52, 1079 (2004).
5. Y. J. Li, W. C. Hsu, I. L. Chen, C. S. Lee, Y. J. Chen and I. Lo, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2429 (2004).
6. Y. Cordier, S. Bollaert, J. Dipersio, D. Ferre, S. Trudel, Y. Druelle and A. Cappy, Appl. Surf. Sci. 123-124, 734 (1998).
7. C. S. Lee, H. H. Chen, J. C. Huang, W. C. Hsu and Y. J. Chen, J. Korean Phys. Soc. 47, 1046 (2005).
8. C. S. Lee, W. L. Yang, H. H. Chen, W. C. Hsu, Y. J. Chen and J. C. Huang, J. Korean Phys. Soc. 45, 513 (2004).
9. M. W. Ha, S. C. Lee, J. H. Park, K. S. Seo and M. K. Han, J. Korean Phys. Soc. 47, 568 (2005).
10. W.E. Hoke, P. S. Lyman, J. J. Mosca, C. S. Whelan and A. Torabi, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1638 (2000).
11. W. E. Hoke, P. J. Lemonias, J. J. Mosca, P. S. Lyman, A. Torabi, P. F. Marsh, R. A. McTaggart, S. M. Lardizabal and K. Hetzler, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1131 (1999).
12. K. Hosoya, K. Ohata, M. Funabashi, T. Inoue and M. Kuzuhara, IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. 51, 2250 (2003).
13. M. Schallner and W. Konrath, IEEE MTT-S Dig., 2179 (2001).
14. G. Meneghesso, D. Buttari, E. Perin, C. Canali and E. Zanoni, IEDM Tech. Dig., 227 (1998).
15. K. J. Herrick, C. S. Whelan, P. F. Marsh and S. Lardizabal, Proc. 15th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (May, 2003), p. 231.
16. D. C. Dumka, H. Q. Tserng, M. K. Kao, E. A. Beam and P. Saunier, IEEE Electron Dev. Lett. 24, 135 (2003).
17. C. S. Choi, H. S. Kang, W. Y. Choi, H. J. Kim, W. J. Choi, D. H. Kim, K. C. Jang and K. S. Seo, IEEE Photonics Technol. Lett. 15, 846 (2003).
18. C. S. Choi, W. Y. Choi, D. G. Kim and K. S. Seo, IEEE MTT-S Dig., 1383 (2003).
19. K. J. Herrick, S. M. Lardizabal, P. F. Marsh and C. S. Whelan, IEEE MTT-S Dig., 137 (2003).