Origination of misfit dislocations at the surface during the growth of GeSi/Si(001) films by low-temperature (300-400°C) molecular-beam epitaxy

Semiconductors

Volumn 40, Issue 3, 2006, Pages 319-326

  Bolkhovityanov, Yu B ^a   Deryabin, A S ^a   Gutakovski A K ^a   Revenko, M A ^a   Sokolov, L V ^a  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 33645682528     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/S1063782606030122     Document Type: Article

References (32)

1. Yu. B. Bolkhovityanov, O. P. Pchelyakov, L. V. Sokolov, and S. I. Chikichev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 37, 513 (2003)
2. [Semiconductors 37, 493 (2003)].
3. H. Chen, L. W. Guo, Q. Cui, et al., J. Appl. Phys. 79, 1167 (1996).
4. K. K. Linder, F. C. Zhang, J.-S. Rieh, et al., Appl. Phys. Lett. 70, 3224 (1997).
5. J. H. Li, C. S. Peng, Y. Wu, et al., Appl. Phys. Lett. 71, 3132 (1997).
6. C. S. Peng, Z. Y. Zhao, H. Chen, et al., Appl. Phys. Lett. 72, 3160 (1998).
7. J. H. Li, C. S. Peng, Z. H. Mai, et al., J. Appl. Phys. 80, 1292 (1999).
8. P. I. Gaiduk, A. N. Larsen, and J. L. Hansen, Thin Solid Films 367, 120 (2000).
9. Yu. B. Bolkhovityanov, A. K. Gutakovskii, V. I. Mashanov, et al., J. Appl. Phys. 91, 4710 (2002).
10. Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Deryabin, A. K. Gutakovskii, et al., Thin Solid Films 466, 69 (2004).
11. Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Deryabin, A. K. Gutakovskii, et al., J. Appl. Phys. 96, 7665 (2004).
12. Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Deryabin, A. K. Gutakovskii, et al., J. Cryst. Growth 280, 309 (2005).
13. E. A. Fitzgerald, Mater. Sci. Rep. 7, 92 (1991).
14. J. W. Matthews, J. Vac. Sci. Technol. 12, 126 (1975).
15. S. C. Jain, M. Willander, and H. Maes, Semicond. Sci. Technol. 11, 641 (1996).
16. D. J. Eaglesham, E. P. Kvam, D. M. Maher, et al., Philos. Mag. A 59, 1059 (1989).
17. E. P. Kvam, D. M. Maher, and C. J. Humpreys, J. Mater. Res. 5, 1900 (1990).
18. Y. Chen and J. Washburn, Phys. Rev. Lett. 77, 4046 (1996).
19. D. E. Jesson, S. J. Pennycook, J.-M. Baribeau, and D. C. Houghton, Phys. Rev. Lett. 71, 1744 (1993).
20. A. G. Cullis, A. J. Pidduck, and M. T. Emeny, J. Cryst. Growth 158, 15 (1996).
21. C. S. Ozkan, W. D. Nix, and H. Gao, Appl. Phys. Lett. 70, 2247 (1997).
22. Yu. B. Bolkhovityanov, A. K. Gutakovskii, V. I. Mashanov, et al., Thin Solid Films 392, 98 (2001).
23. S. Y. Yang and J. R. Abelson, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1327 (1993).
24. J. Godet, L. Pizzagalli, S. Brochard, and P. Beaushamp, Phys. Rev. B 70, 054109 (2004).
25. Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Deryabin, A. K. Gutakovskii, et al., Appl. Phys. Lett. 85, 6140 (2004).
26. Y. Okada, H. Shimomura, and M. Kawabe, J. Appl. Phys. 73, 7376 (1993).
27. R. R. LaPierre, B. J. Robinson, and D. A. Thompson, J. Cryst. Growth 191, 319 (1998).
28. J. E. Vasek, Z. Zhang, C. T. Sailing, and M. G. Lagally, Phys. Rev. B 51, 17207 (1995).
29. Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Deryabin, A. K. Gutakovskii, et al., Appl. Phys. Lett. 84, 4599 (2004).
30. Yu. B. Bolkhovityanov, O. P. Pchelyakov, and S. I. Chikichev, Usp. Fiz. Nauk 171, 689 (2001)
31. [Phys. Usp. 44, 655 (2001)].
32. F. K. LeGoues, B. S. Meyerson, J. F. Morar, and P. D. Kirchner, J. Appl. Phys. 71, 4230 (1992).