메뉴 건너뛰기




Volumn 99, Issue 3, 2006, Pages

Extraction of strained-Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistor parameters using small signal channel conductance method

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPUTER SIMULATION; ELECTRIC FIELD EFFECTS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GERMANIUM; MATHEMATICAL MODELS; SILICON;

EID: 33645515499     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2161800     Document Type: Article
Times cited : (9)

References (39)
  • 7
    • 2342452591 scopus 로고    scopus 로고
    • S. Chattopadhyay, L. S. Driscoll, K. S. K. Kwa, S. H. Olsen, and A. G. O'Neill, Solid-State Electron. 48, 1407 (2004).
    • (2004) Solid-State Electron. , vol.48 , pp. 1407
    • Chattopadhyay, S.1
  • 11
    • 0029633671 scopus 로고
    • E. Kasper, A. Schuh, G. Bauer, B. Holländer, and H. Kibbel, J. Cryst. Growth 157, 68 (1995).
    • (1995) J. Cryst. Growth , vol.157 , pp. 68
    • Kasper, E.1
  • 13
    • 0031343435 scopus 로고    scopus 로고
    • C. K. Maiti, L. K. Bera, S. S. Dey, D. K. Nayak, and N. B. Chakrabarti, Solid-State Electron. 41, 1863 (1997).
    • (1997) Solid-State Electron. , vol.41 , pp. 1863
    • Maiti, C.K.1
  • 16
    • 0036640799 scopus 로고    scopus 로고
    • S. H. Olsen, A. G. O'Neill, D. J. Norris, A. G. Cullis, N. J. Woods, J. Zhang, K. Fobelets, and H. A. Kemhadjian, Semicond. Sci. Technol. 17, 655 (2002).
    • (2002) Semicond. Sci. Technol. , vol.17 , pp. 655
    • Olsen, S.H.1
  • 17
    • 0038612793 scopus 로고    scopus 로고
    • S. H. Olsen, A. G. O'Neill, D. J. Norris, A. G. Cullis, K. Fobelets, and H. A. Kemhadjian, Solid-State Electron. 47, 1289 (2003).
    • (2003) Solid-State Electron. , vol.47 , pp. 1289
    • Olsen, S.H.1
  • 19
  • 25
    • 33645533349 scopus 로고    scopus 로고
    • L. S. Driscoll, S. H. Olsen, S. Chattopadhyay, A. G. O'Neill, K. S. K. Kwa, P. Dobrosz, and S. Bull, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. B, 10.5 (2004).
    • (2004) Mater. Res. Soc. Symp. Proc. , pp. 105
    • Driscoll, L.S.1
  • 26
    • 0141563604 scopus 로고    scopus 로고
    • J. S. Goo, Q. Xiang, Y. Takamura, F. Arasnia, E. N. Paton, P. Besser, J. Pan, and M. R. Lin, IEEE Electron Device Lett. 24, 568 (2003).
    • (2003) IEEE Electron Device Lett. , vol.24 , pp. 568
    • Goo, J.S.1
  • 31
    • 0141953952 scopus 로고    scopus 로고
    • N. R. Zangenberg, J. Fage-Pederson, J. L. Hansen, and A. N. Larsen, J. Appl. Phys. 94, 3883 (2003).
    • (2003) J. Appl. Phys. , vol.94 , pp. 3883
    • Zangenberg, N.R.1
  • 33
    • 0000113827 scopus 로고    scopus 로고
    • J. B. Roldan, F. Gamiz, J. A. Lopez-Villanueva, and J. E. Carceller, J. Appl. Phys. 80, 5121 (1996).
    • (1996) J. Appl. Phys. , vol.80 , pp. 5121
    • Roldan, J.B.1
  • 34
    • 35949006851 scopus 로고
    • T. Yamada, H. Miyata, J. R. Zhou, and D. K. Ferry, Phys. Rev. B 49, 1875 (1994).
    • (1994) Phys. Rev. B , vol.49 , pp. 1875
    • Yamada, T.1
  • 36
    • 0000741169 scopus 로고    scopus 로고
    • S. Takagi, J. L. Hoyt, J. J. Welser, and J. F. Gibbons, J. Appl. Phys. 80, 1567 (1996).
    • (1996) J. Appl. Phys. , vol.80 , pp. 1567
    • Takagi, S.1
  • 37
    • 18644382452 scopus 로고    scopus 로고
    • C. W. Leitz, M. T. Currie, M. L. Lee, Z.-Y. Cheng, D. A. Antoniadis, and E. A. Fitzgerald, J. Appl. Phys. 92, 3745 (2002).
    • (2002) J. Appl. Phys. , vol.92 , pp. 3745
    • Leitz, C.W.1


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.