-
7
-
-
2342452591
-
-
S. Chattopadhyay, L. S. Driscoll, K. S. K. Kwa, S. H. Olsen, and A. G. O'Neill, Solid-State Electron. 48, 1407 (2004).
-
(2004)
Solid-State Electron.
, vol.48
, pp. 1407
-
-
Chattopadhyay, S.1
-
11
-
-
0029633671
-
-
E. Kasper, A. Schuh, G. Bauer, B. Holländer, and H. Kibbel, J. Cryst. Growth 157, 68 (1995).
-
(1995)
J. Cryst. Growth
, vol.157
, pp. 68
-
-
Kasper, E.1
-
13
-
-
0031343435
-
-
C. K. Maiti, L. K. Bera, S. S. Dey, D. K. Nayak, and N. B. Chakrabarti, Solid-State Electron. 41, 1863 (1997).
-
(1997)
Solid-State Electron.
, vol.41
, pp. 1863
-
-
Maiti, C.K.1
-
16
-
-
0036640799
-
-
S. H. Olsen, A. G. O'Neill, D. J. Norris, A. G. Cullis, N. J. Woods, J. Zhang, K. Fobelets, and H. A. Kemhadjian, Semicond. Sci. Technol. 17, 655 (2002).
-
(2002)
Semicond. Sci. Technol.
, vol.17
, pp. 655
-
-
Olsen, S.H.1
-
17
-
-
0038612793
-
-
S. H. Olsen, A. G. O'Neill, D. J. Norris, A. G. Cullis, K. Fobelets, and H. A. Kemhadjian, Solid-State Electron. 47, 1289 (2003).
-
(2003)
Solid-State Electron.
, vol.47
, pp. 1289
-
-
Olsen, S.H.1
-
18
-
-
84907688894
-
-
Estoril, Portugal, 16-18 September 2003 (IEEE, New York)
-
K. S. K. Kwa, S. Chattopadhyay, S. H. Olsen, L. S. Driscoll, and A. G. O'Neill, Proceedings of the 33rd European Solid-State Device Research Conference, Estoril, Portugal, 16-18 September 2003 (IEEE, New York, 2003), p. 501.
-
(2003)
Proceedings of the 33rd European Solid-State Device Research Conference
, pp. 501
-
-
Kwa, K.S.K.1
Chattopadhyay, S.2
Olsen, S.H.3
Driscoll, L.S.4
O'Neill, A.G.5
-
19
-
-
0036715220
-
-
G. S. Kar, S. Maikap, S. K. Bannerjee, and S. K. Ray, Semicond. Sci. Technol. 17, 938 (2002).
-
(2002)
Semicond. Sci. Technol.
, vol.17
, pp. 938
-
-
Kar, G.S.1
-
25
-
-
33645533349
-
-
L. S. Driscoll, S. H. Olsen, S. Chattopadhyay, A. G. O'Neill, K. S. K. Kwa, P. Dobrosz, and S. Bull, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. B, 10.5 (2004).
-
(2004)
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
, pp. 105
-
-
Driscoll, L.S.1
-
26
-
-
0141563604
-
-
J. S. Goo, Q. Xiang, Y. Takamura, F. Arasnia, E. N. Paton, P. Besser, J. Pan, and M. R. Lin, IEEE Electron Device Lett. 24, 568 (2003).
-
(2003)
IEEE Electron Device Lett.
, vol.24
, pp. 568
-
-
Goo, J.S.1
-
31
-
-
0141953952
-
-
N. R. Zangenberg, J. Fage-Pederson, J. L. Hansen, and A. N. Larsen, J. Appl. Phys. 94, 3883 (2003).
-
(2003)
J. Appl. Phys.
, vol.94
, pp. 3883
-
-
Zangenberg, N.R.1
-
33
-
-
0000113827
-
-
J. B. Roldan, F. Gamiz, J. A. Lopez-Villanueva, and J. E. Carceller, J. Appl. Phys. 80, 5121 (1996).
-
(1996)
J. Appl. Phys.
, vol.80
, pp. 5121
-
-
Roldan, J.B.1
-
34
-
-
35949006851
-
-
T. Yamada, H. Miyata, J. R. Zhou, and D. K. Ferry, Phys. Rev. B 49, 1875 (1994).
-
(1994)
Phys. Rev. B
, vol.49
, pp. 1875
-
-
Yamada, T.1
-
36
-
-
0000741169
-
-
S. Takagi, J. L. Hoyt, J. J. Welser, and J. F. Gibbons, J. Appl. Phys. 80, 1567 (1996).
-
(1996)
J. Appl. Phys.
, vol.80
, pp. 1567
-
-
Takagi, S.1
-
37
-
-
18644382452
-
-
C. W. Leitz, M. T. Currie, M. L. Lee, Z.-Y. Cheng, D. A. Antoniadis, and E. A. Fitzgerald, J. Appl. Phys. 92, 3745 (2002).
-
(2002)
J. Appl. Phys.
, vol.92
, pp. 3745
-
-
Leitz, C.W.1
|