Comparison of nanostructure characteristics of ZnO grown on GaN and sapphire

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 5, 2006, Pages

  Shiao, Wen Yu ^a   Chi, Chun Yung ^a   Chin, Shu Cheng ^a   Huang, Chi Feng ^a   Tang, Tsung Yi ^a   Lu, Yen Cheng ^a   Lin, Yu Li ^a   Hong, Lin ^a   Jen, Fang Yi ^a   Yang, C C ^a   Zhang, Bao Ping ^b   Segawa, Yusaburo ^b  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^b INST OF PHYS AND CHEMICAL RESEARCH   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL LATTICES; GALLIUM NITRIDE; GROWTH KINETICS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SAPPHIRE; THIN FILMS;

DOMAIN STRUCTURES; GROWTH TEMPERATURE; LATTICE MISMATCH; NANOSTRUCTURE CHARACTERISTICS;

ZINC OXIDE;

EID: 33645227112     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2174121     Document Type: Article

References (30)

1. D. Zhao, Y. Liu, D. Shen, Y. Lu, L. Zhang, and Xiwu Fan, J. Appl. Phys. 94, 5605 (2003).
2. C. H. Chia, T. Makino, K. Tamura, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 82, 1848 (2003).
3. H. J. Ko, Y. F. Chen, and T. Yao, Appl. Phys. Lett. 77, 537 (2000).
4. X. W. Sun, S. F. Yu, C. X. Xu, C. Yuen, B. J. Chen, and S. Li, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L1229 (2003).
5. B. P. Zhang, N. T. Binh, K. Wakatsuki, Y. Segawa, Y. Yamada, N. Usami, M. Kawasaki, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 84, 4098 (2004).
6. W. I. Park, Y. H. Jun, S. W. Jung, and G. Yi, Appl. Phys. Lett. 82, 964 (2003).
7. X. Liu, X. Wu, H. Cao, and R. P. H. Chang, J. Appl. Phys. 95, 3141 (2004).
8. H. T. Ng, J. Li, M. K. Smith, P. Nguyen, A. Cassell, J. Han, and M. Meyyappan, Science 300, 1249 (2003).
9. Y. Chen, D. Bagnall, and T. Yao, Mater. Sci. Eng., B 77, 190 (2000).
10. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
11. K. Haga, T. Suzuki, Y. Kashiwaba, H. Watanabe, B. P. Zhang, and Y. Segawa, Thin Solid Films 433, 131 (2003).
12. T. Gruber, C. Kirchner, K. Thonke, R. Sauer, and A. Waag, Phys. Status Solidi A 192, 166 (2002).
13. B. P. Zhang, K. Wakatsuki, N. T. Binh, N. Usami, and Y. Segawa, Thin Solid Films 449, 12 (2004).
14. H. L. Porter, A. L. Cai, J. F. Muth, and J. Narayan, Appl. Phys. Lett. 86, 211918 (2005).
15. F. K. Shan, G. X. Liu, W. J. Lee, G. H. Lee, I. S. Kim, and B. C. Shin, Appl. Phys. Lett. 86, 221910 (2005).
16. S. F. Chichibu, T. Yoshida, T. Onuma, and H. Nakanishi, J. Appl. Phys. 91, 874 (2002).
17. D. K. Hwang et al, Appl. Phys. Lett. 86, 151917 (2005).
18. X. Jiang, F. L. Wong, M. K. Fung, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 83, 1875 (2003).
19. A. Ohtomo et al., Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
20. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen, and T. Goto, Appl. Phys. Lett. 70, 2230 (1997).
21. S. H. Kang, D. K. Hwang, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 86, 211902 (2005).
22. H. Yang, Y. Li, D. P. Norton, S. J. Pearton, S. Jung, F. Ren, and L. A. Boatner, Appl. Phys. Lett. 86, 172103 (2005).
23. C. C. Lin, S. Y. Chen, S. Y. Cheng, and H. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 84, 5040 (2004).
24. S. J. An, W. I. Park, G. C. Yi, Y. J. Kim, H. B. Kang, and M. Kim, Appl. Phys. Lett. 84, 3612 (2004).
25. Y. I. Alivov, J. E. Van Nostrand, D. C. Look, M. V. Chukichev, and B. M. Ataev, Appl. Phys. Lett. 83, 2943 (2003).
26. B. P. Zhang, N. T. Binh, K. Wakatsuki, Y. Segawa, Y. Yamada, N. Usami, M. Kawasaki, and H. Koinuma, J. Phys. Chem. B 108, 10899 (2004).
27. Y. J. Sun, O. Brandt, T. Y. Liu, A. Trampert, K. H. Ploog, J. Biasing, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 81, 4928 (2002).
28. O. Pagni, G. R. James, and A. W. R. Leitch, Phys. Status Solidi C 1, 864 (2004).
29. F. Y. Jen, Y. C. Lu, C. Y. Chen, H. C. Wang, C. C. Yang, B. P. Zhang, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 87, 252117 (2005).
30. Y. C. Cheng et al., Appl. Phys. Lett. 84, 5422 (2004).