Envelope-function analysis of wurtzite InGaN/GaN quantum well light emitting diodes

Journal of Applied Physics

Volumn 96, Issue 1, 2004, Pages 723-728

  Xiao, D ^a   Kim, K W ^a   Zavada, J M ^b  

^a North Carolina State University   (United States)

^b U S ARMY RESEARCH OFFICE   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELASTIC STIFFNESS CONSTANTS; PIEZOELECTRIC POLARIZATIONS; RASHBA-SHEKA-PIKUS HAMILTONIAN; STRAIN RELAXATION;

EIGENVALUES AND EIGENFUNCTIONS; GALLIUM NITRIDE; HAMILTONIANS; LATTICE CONSTANTS; MATRIX ALGEBRA; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 3142716333     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1755435     Document Type: Article

References (35)

1. T. Matsuoka, H. Okamato, M. Nakao, H. Harima, and E. Kurimoto, Appl. Phys. Lett. 81, 1246 (2002).
2. J. Wu et al., Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
3. E. O. Kane, J. Phys. Chem. Solids 1, 249 (1957).
4. S. L. Chuang and C. S. Chang, Phys. Rev. B 54, 2491 (1996).
5. G. L. Bir, and G. E. Pikus, Symmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors (Wiley, New York, 1974).
6. Y. M. Sirenko, J. B. Jeon, B. C. Lee, K. W. Kim, and M. A. Littlejohn, Phys. Rev. B 55, 4360 (1997).
7. O. Ambacher et al., J. Phys.: Condens. Matter 14, 3399 (2002).
8. S. L. Chuang, Phys. Rev. B 43, 9649 (1991).
9. S. L. Chuang, Physics of Optoelectronic Devices (Wiley, New York 1995).
10. C. F. Li, Y. S. Huang, L. Malikova, and F. H. Pollak, Phys. Rev. B 55, 9251 (1997).
11. D. J. Dugdale, S. Brand, and R. A. Abram, Phys. Rev. B 61, 12933 (2000).
12. Y. P. Chao and S. L. Chuang, Phys. Rev. B 46, 4110 (1992).
13. Y. C. Yeo, T. C. Chong, and M. F. Li, J. Appl. Phys. 83, 1429 (1997).
14. T. Deguchi et al., J. Appl. Phys. 86, 1860 (1999).
15. A. F. Wright, J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997).
16. A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, A. Kuramata, K. Horino, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 81, 417 (1997).
17. A. Zoroddu, F. Bernardini, P. Ruggerone, and V. Fiorentini, Phys. Rev. B 64, 045208 (2001).
18. B. Damilano, N. Grandjean, J. Massies, L. Siozade, and J. Leymarie, Appl. Phys. Lett. 77, 1268 (2000).
19. I. L. Guy, S. Muensit, and E. M. Goldys, Appl. Phys. Lett. 75, 4133 (1999).
20. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 80, 4741 (2002).
21. C. A. Parker, J. C. Roberts, S. M. Bedair, M. J. Reed, S. X. Liu, N. A. El-Masry, and L. H. Robins, Appl. Phys. Lett. 75, 2566 (1999).
22. S. J. Chang et al., IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 744 (2002).
23. A. T. Chuong, A. Osinski, R. F. Karlicek, Jr., and I. Berishev, Appl. Phys. Lett. 75, 1494 (1999).
24. W. C. Lai, S. J. Chang, M. Yokoyam, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photonics Technol. Lett. 13, 559 (2001).
25. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, J. K. Sheu, J. F. Chen, C. H. Kuo, and Y. C. Lin, IEEE Photonics Technol. Lett. 14, 908 (2002).
26. B. Jahnen, M. Albrecht, W. Dorsch, S. Christiansen, H. P. Strunk, D. Hanser, and R. F. Davis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 39 (1998).
27. Y. Kim, C. Kim, S. Noh, S. Ban, and S. Kim, J. Korean Phys. Soc. 42, S285 (2003).
28. F. B. Naranjo, M. A. Sanchez-Garcia, F. Calle, and E. Calleja, Appl. Phys. Lett. 70, 1089 (1997).
29. S. Chichibu, K. Wada, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 71, 2346 (1997).
30. K. P. O'Donnell, R. W. Martin, and P. G. Middleton, Phys. Rev. Lett. 82, 237 (1999).
31. S. Nakamura, Science 281, 956 (1998).
32. R. Singh, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, and L. T. Romano, Appl. Phys. Lett. 80, 231 (2002).
33. N. A. El-Masry, E. L. Finer, S. X. Liu, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 72, 40 (1998).
34. J. Narayan, H. Wang, J. Ye, S. Hon, K. Fox, J. C. Chen, H. K. Choi, and J. C. C. Fan, Appl. Phys. Lett. 81, 841 (2002).
35. N. E. Christensen and I. Gorczyca, Phys. Rev. B 50, 4397 (1994).