InGaN/GaN quantum wells grown by molecular-beam epitaxy emitting from blue to red at 300 K

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 9, 2000, Pages 1268-1270

  Damilano, B ^a   Grandjean, N ^a   Massies, J ^a   Siozade, L ^b   Leymarie, J ^b  

^a CNRS   (France)

^b UNIVERSITÉ CLERMONT AUVERGNE   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000869694     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1289915     Document Type: Article

References (23)

1. See for review, Group III Nitride Semiconductor Compounds, edited by B. Gil (Clarendon, Oxford, 1998).
2. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
3. S. Nakamura, Semicond. Sci. Technol. 14, R27 (1999).
4. Y. Narukawa, Y. Kawakami, S. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 59, 10283 (1999).
5. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
6. M. Pophristic, F. H. Long, C. Tran, R. F. Karlicek, Jr., Z. C. Feng, and I. T. Ferguson, Appl. Phys. Lett. 73, 815 (1998).
7. S. F. Chichibu, A. C. Abare, M. S. Minsky, S. Keller, S. B. Fleischer, J. E. Bowers, H. Hu, U. K. Mishra, L. A. Coldren, S. P. DenBaars, and S. Sota, Appl. Phys. Lett. 73, 2006 (1998).
8. K. P. O'Donnell, R. W. Martin, and P. G. Middleton, Phys. Rev. Lett. 82, 237 (1999).
9. T. Sugahara, H. Sato, M. Hao, Y. Naoi, S. Kurai, S. Tattori, K. Yamashita, K. Nishino, L. T. Romano, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L398 (1998).
10. N. Grandjean and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 72, 1078 (1998).
11. B. Damilano, N. Grandjean, S. Dalmasso, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 75, 3751 (1999).
12. C. Adelmann, J. Simon, G. Feuillet, N. T. Pelekanos, B. Daudin, and G. Fishman, Appl. Phys. Lett. 76, 1570 (2000).
13. N. Grandjean, J. Massies, P. Vennéguès, M. Leroux, F. Demangeot, M. Renucci, and J. Frandon, J. Appl. Phys. 83, 1379 (1998).
14. M. Mesrine, N. Grandjean, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 72, 350 (1998).
15. P. Bigenwald, P. Lefebvre, T. Bretagnon, and B. Gil, Phys. Status Solidi B 216, 371 (1999).
16. N. Grandjean and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 73, 1260 (1998).
17. Y.-H. Cho, G. H. Gainer, A. J. Fischer, J. J. Chong, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 1370 (1998).
18. H. Kollmer, J. S. Im, S. Heppel, J. Off, F. Scholtz, and A. Hangleiter, Appl. Phys. Lett. 74, 82 (1999).
19. E. R. Glaser, T. A. Kennedy, W. E. Carlos, P. P. Ruden, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 73, 3123 (1998).
20. R. M. A. Azzam and N. M. Bashara, Ellipsometry and Polarized Light (North Holland, Amsterdam, 1979).
21. E. Berkovicz, D. Gershoni, G. Bahir, E. Lakin, D. Shilo, E. Zolotoyabko, A. C. Abare, S. P. Denbaars, and L. A. Coldren, Phys. Rev. B 61, 10994 (2000).
22. R. W. Martin, P. G. Middleton, K. P. O'Donnell, and W. Van der Stricht, Appl. Phys. Lett. 74, 263 (1999).
23. N. S. Shapiro, P. Perlin, C. Kisielowski, L. S. Mattos, J. W. Yang, and E. R. Weber, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5, (2000).