Impact of developers on roughness of dissolution front in electron-beam resists

Journal of Photopolymer Science and Technology

Volumn 17, Issue 4, 2004, Pages 557-565

  Yamaguchi, T ^a   Namatsu, H ^a  

^a NTT Basic Research Laboratories   (Japan)

Author keywords

Developers; Dissolution; LER; Resists; Roughness

Indexed keywords

ACETIC ACID DERIVATIVE; ACETIC ACID ETHYL ESTER; ALKYL GROUP; HEXANE; SOLVENT;

ARTICLE; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; DISSOLUTION; ELECTRON BEAM; MOLECULAR WEIGHT; MORPHOLOGY;

EID: 3142546870     PISSN: 09149244     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.2494/photopolymer.17.557     Document Type: Article

References (31)

1. S. C. Palmateer, S. G. Cann, J. E. Curtin, S. P. Doran, L. M. Eriksen, A. R. Forte, R. R. Kunz, T. M. Lyszczarz, M. B. Stern and C. Nelson, Proc. SPIE 3333 (1998) 634.
2. W. Hinsberg, F. A. Houle, J. Hoffnagle, M. Sanchez, G. Wallraff, M. Morrison and S. Frank, J. Vac. Sci. Technol. B16 (1998) 3689.
3. M. I. Sanchez, W. D. Hinsberg, F. A. Houle, J. A. Hoffnagle, H. Ito and C. Nguyen, Proc. SPIE 3678 (1999) 160.
4. G. W. Reynolds and J. W. Taylor, Proc. SPIE 3678 (1999) 573.
5. M. Yoshizawa and S. Moriya, J. Vac. Sci. Technol. B18 (2000) 3105.
6. H. P. Koh, Q. Y. Iin, X. Hu, and L. Chan, Proc. SPIE 3999 (2000) 240.
7. J. Shin, G. Han, Y. Ma, K. Moloni and F. Cerrina, J. Vac. Sci. Technol. B19 (2001) 2890.
8. A. R. Neureuther and C. G. Willson, J. Vac. Sci. Technol. B6 (1988) 167.
9. N. Rau, F. Stratton, C. Fields, T. Ogawa, A. Neureuther, R. Kubena, and C. G. Willson, J. Vac. Sci. Technol. B16 (1998) 3784.
10. G. W. Reynolds, J. W. Taylor, and C. J. Brooks, J. Vac. Sci. Technol. B17 (1999) 3420.
11. H. Shiraishi, T. Yoshimura, T. Sakamizu, T. Ueno, and S. Okazaki, J. Vac. Sci. Technol. B12 (1994) 3895.
12. T. Yoshimura, J. Yamamoto, H. Shiraishi, S. Uchino, T. Terasawa, F. Murai, and S. Okazaki, J. Photopolym. Sci. Tech. 10 (1997) 629.
13. M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Murase, and T. Makino, Microelectron. Eng. 30 (1996) 419.
14. T. Yamaguchi, H. Namatsu, M. Nagase, K. Yamazaki, and K. Kurihara, Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2388.
15. H. Namatsu, Y. Takahashi, K. Yamazaki, T. Yamazaki, M. Nagase, and K. Kurihara, J. Vac. Sci. Technol. B16 (1998) 69.
16. H. Namatsu, T. Yamaguchi, M. Nagase, K. Yamazaki, and K. Kurihara, Microelectron. Eng. 41/42 (1998) 331.
17. T. Yamaguchi, H. Namatsu, M. Nagase, K. Yamazaki, and K. Kurihara, Proc. SPIE 3333 (1998) 830.
18. H. Namatsu, M. Nagase, T. Yamaguchi, K. Yamazaki, and K. Kurihara, J. Vac. Sci. Technol. B16 (1998) 3315.
19. T. Yamaguchi, H. Namatsu, M. Nagase, K. Kurihara, Proc. SPIE 3678 (1999) 617.
20. Q. Lin. R. Sooriyakumaran, and W.-S. Huang, Proc. SPIE 3999 (2000) 230.
21. D. G. Hasko, S. Yasin, and A. Mumtaz, J. Vac. Sci. Technol. B18 (2000) 3441.
22. S. Yasin, D. G. Hasko, M. N. Khalid, D. J. Weaver, and H. Ahmed, J. Vac. Sci. Technol. B22 (2004) 574.
23. J. Nakamura, K. Deguchi, and H. Ban, J. Photopolymer. Sci. and Technol. 11 (1998) 571.
24. S. Turner, C. Babcock, and F. Cerrina, J. Vac. Sci. Techol. B9 (1991) 3440.
25. K. Kamon, K. Nakazawa, A. Yamaguchi, N. Matsuzawa, T. Ofuji, and M. Sasago, Proc. SPIE 3333 (1998) 472.
26. T. Yamaguchi and H. Namatsu, Proc. SPIE 4690 (2002) 921.
27. T. Nishida, M. Notomi, R. Iga, and T. Tamamura, Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 4508.
28. T. Yamaguchi and H. Namatsu, Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 3755.
29. A. Bondi, J. Phys. Chem. 68 (1964) 441.
30. T. Yamaguchi and H. Namatsu, Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 4217.
31. V. K. Sharma, R. A. Pethrick, and S. Affrossman, Polymer 23 (1982) 1732.