Strained-silicon on silicon and strained-silicon on silicon-germanium on silicon by relaxed buffer bonding

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 2, 2006, Pages

  Isaacson, David M ^a   Taraschi, Gianni ^a   Pitera, Arthur J ^a   Ariel, Nava ^a   Langdo, Thomas A ^b   Fitzgerald, Eugene A ^a  

^a Massachusetts Institute of Technology Cambridge   (United States)

^b AmberWave Systems Corporation   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CMOS INTEGRATED CIRCUITS; EPITAXIAL GROWTH; HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS; OXIDES; SILICON ALLOYS; SUBSTRATES;

RELAXED BUFFER BONDING; SILICON-GERMANIUM ON SILICON (SGOS); STRAINED-SILICON ON SILICON (SSOS);

SILICON;

EID: 30644477476     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2139951     Document Type: Article

References (35)

1. E. A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, M. L. Green, D. Brasen, A. R. Kortan, J. Michel, Y.-J. Mii, and B. E. Weir, Appl. Phys. Lett., 59, 811 (1991).
2. Y.-J. Mii, Y.-H. Xie, E. A. Fitzgerald, D. Monroe, F. A. Thiel, B. E. Weir, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett., 59, 1611 (1991).
3. E. A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, D. Monroe, P. J. Silverman, J. M. Kuo, A. R. Kortan, F. A. Thiel, and B. E. Weir, J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1807 (1992).
4. J. Welser, J. Hoyt, S.-I. Takagi, and J. F. Gibbons, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet., 1994, 373.
5. M. T. Currie, C. W. Leitz, T. A. Langdo, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, and D. A. Antoniadis, J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 2268 (2001).
6. Y.-H. Xie, D. Monroe, E. A. Fitzgerald, P. J. Silverman, F. A. Thiel, and G. P. Watson, Appl. Phys. Lett., 63, 2263 (1993).
7. G. Hock, E. Kohn, C. Rosenblad, H. von Kanel, H.-J. Herzog, and U. Konig, Appl. Phys. Lett., 76, 3920 (2000).
8. C. W. Leitz, M. T. Currie, M. L. Lee, Z.-Y. Cheng, D. A. Antoniadis, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett., 79, 4246 (2001).
9. M. L. Lee and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett., 83, 4202 (2003).
10. S. Gupta, M. L. Lee, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett., 86, 192104 (2005).
11. K. A. Jenkins and K. Rim, IEEE Electron Device Lett., 23, 360 (2002).
12. A. L. Caviglia and A. A. Iliadis, IEEE Electron Device Lett., 14, 133 (1993).
13. S. Mantl, B. Holländer, R. Liedtke, S. Mesters, H.-J. Herzog, H. Kibbel, and T. Hackbarth, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 147, 29 (1999).
14. K. Sawano, Y. Hirose, S. Koh, T. Hattori, K. Nakagawa, and Y. Shiraki, J. Cryst. Growth, 251, 685 (2003).
15. J. Kuchenbecker, H. Kibbel, P. Muthsam, and U. König, Thin Solid Films, 389, 146 (2001).
16. H. Chen, L. W. Guo, Q. Cui, Q. Hu, Q. Huang, and J. M. Zhou, J. Appl. Phys., 79, 1167 (1996).
17. J. H. Li, C. S. Peng, Y. Wu, D. Y. Dai, J. M. Zhou, and Z. H. Mai, Appl. Phys. Lett., 71 (21), 3132 (1997).
18. T. A. Langdo, M. T. Currie, A. Lochtefeld, R. Hammond, V. K. Yang, J. A. Carlin, C. J. Vineis, G. Braithwaite, H. Badawi, and M. T. Bulsara, and E. A. Fitzgerald, in IEEE International SOI Conference Proceedings, p. 211, 2002.
19. S. Fukatsu, Y. Ishikawa, T. Saito, and N. Shibata, Appl. Phys. Lett., 72, 3485 (1998).
20. G. Taraschi, T. A. Langdo, M. T. Currie, E. A. Fitzgerald, and D. A. Antoniadis, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 725 (2002).
21. L. J. Huang, J. O. Chu, D. F. Canaperi, C. P. D'Emic, R. M. Anderson, S. J. Koester, and H.-S.-P. Wong, Appl. Phys. Lett., 78, 1267 (2001).
22. Z. Cheng, G. Taraschi, M. T. Currie, C. W. Leitz, M. L. Lee, A. Pitera, T. A. Langdo, J. L. Hoyt, D. A. Antoniadis, and E. A. Fitzgerald, J. Electron. Mater., 30, L37 (2001).
23. T. Tezuka, N. Sugiyama, and S. Takagi, Appl. Phys. Lett., 79, 1798 (2001).
24. A. J. Pitera, G. Taraschi, M. L. Lee, C. W. Leitz, Z.-Y. Cheng, and E. A. Fitzgerald, J. Electrochem. Soc., 151, G443 (2004).
25. L. T. Su, J. E. Chung, D. A. Antoniadis, K. E. Goodson, and M. I. Flik, IEEE Electron Device Lett., 41, 69 (1994).
26. R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett., 48, 538 (1986).
27. C. W. Leitz, M. T. Currie, A. Y. Kim, J. Lai, E. Robbins, E. A. Fitzgerald, and M. T. Bulsara, J. Appl. Phys., 90, 2730 (2001).
28. K. Wu, S.M. Thesis, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA (1997).
29. G. Taraschi, A. J. Pitera, L. M. McGill, Z. Cheng, M. L. Lee, T. A. Langdo, and E. A. Fitzgerald, J. Electrochem. Soc., 151, G47 (2004).
30. R. H. Esser, K. D. Hobart, and F. J. Kub, J. Appl. Phys., 92, 1945 (2002).
31. Adapted from L. Sagolowicz, A. Rudra, E. Kapon, M. Hammar, F. Salomonsson, A. Black, P.-H. Jouneau, and T. Wipijewski, J. Appl. Phys., 87, 4135 (2000).
32. M. Erdtmann, T. A. Langdo, C. J. Vineis, H. Badawi, M. T. Bulsara, in SSDM Conference, p. 290 (2003).
33. J. G. Fiorenza, G. Braithwaite, C. W. Leitz, M. T. Currie, J. Yap, F. Singaporewala, V. K. Yang, T. A. Langdo, J. Carlin, M. Somerville, A. Lochtefeld, H. Badawi, and M. T. Bulsara, Semicond. Sci. Technol., 19, L4 (2004).
34. D. A. Dallmann and K. Shenai, IEEE Electron Device Lett., 42, 489 (1995).
35. E. Kasper, Properties of Strained and Relaxed Silicon Germanium, p. 70, INSPEC, London (1995).