Ge interactions on HfO 2 surfaces and kinetically driven patterning of Ge nanocrystals on HfO 2

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 24, Issue 1, 2006, Pages 78-83

  Stanley, Scott K ^a   Joshi, Sachin V ^a   Banerjee, Sanjay K ^a   Ekerdt, John G ^a  

^a The University of Texas at Austin   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; GE NANOPARTICLES; GERMANIUM INTERACTIONS;

DESORPTION; HAFNIUM COMPOUNDS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; PHYSICAL VAPOR DEPOSITION; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

GERMANIUM;

EID: 29344443091     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2137328     Document Type: Article

References (30)

1. S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E. F. Crabbe, and K. Chan, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).
2. H. I. Hanafi, S. Tiwari, and I. Khan, IEEE Trans. Electron Devices 43, 1553 (1996).
3. Z. T. Liu, C. Lee, V. Narayanan, G. Pei, and E. C. Kan, IEEE Trans. Electron Devices 49, 1614 (2002).
4. H. G. Yang, Y. Shi, L. Pu, R. Zhang, B. Shen, P. Han, S. L. Gu, and Y. D. Zheng, Appl. Surf. Sci. 224, 394 (2004).
5. Z. T. Liu, C. Lee, V. Narayanan, G. Pei, and E. C. Kan, IEEE Trans. Electron Devices 49, 1606 (2002).
6. J. Chen, Y. Q. Wang, W. J. Yoo, Y. C. Yeo, G. Samudra, D. S. H. Chan, A. Y. Du, and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices 51, 1840 (2004).
7. D. W. Kim, T. Kim, and S. K. Banerjee, IEEE Trans. Electron Devices 50, 1823 (2003).
8. S. Y. Wang, W. L. Liu, Q. Wan, J. Y. Dai, P. F. Lee, L. Suhua, Q. W. Shen, M. Zhang, Z. T. Song, and C. L. Lin, Appl. Phys. Lett. 86, 113105 (2005).
9. T. Y. Ng, V. Ho, L. W. Teo, M. S. Tay, B. H. Koh, W. K. Chim, W. K. Choi, A. Y. Du, and C. H. Tung, Thin Solid Films 462-463, 46 (2004).
10. A. Delabie, J. Appl. Phys. 97, 064104 (2005).
11. H. Kim, P. C. McIntyre, C. O. Chui, K. C. Saraswat, and M. H. Cho, Appl. Phys. Lett. 85, 2902 (2004).
12. S. Van Elshocht, Appl. Phys. Lett. 85, 3824 (2004).
13. N. Wu, Appl. Phys. Lett. 84, 3741 (2004).
14. J. H. Lee, S. Maikap, D. Y. Kim, R. Mahapatra, S. K. Ray, Y. S. No, and W. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 83, 779 (2003).
15. S. K. Ray, R. Mahapatra, S. Maikap, A. Dhar, D. Bhattacharya, and J. H. Lee, Mater. Sci. Semicond. Process. 7, 203 (2004).
16. S. K. Kang, S. Nam, B. G. Min, S. W. Nam, D. H. Ko, and M. H. Cho, J. Appl. Phys. 94, 4608 (2003).
17. M. H. Cho, Appl. Phys. Lett. 84, 1171 (2004).
18. A. Dimoulas, G. Mavrou, G. Vellianitis, E. Evangelou, N. Boukos, M. Houssa, and M. Caymax, Appl. Phys. Lett. 86, 032908 (2005).
19. P. M. Lambert, Inorg. Chem. 37, 1352 (1998).
20. T. J. Bastow, M. E. Smith, and H. J. Whitfield, J. Mater. Chem. 6, 1951 (1996).
21. C. S. Kang, H. J. Cho, R. Choi, Y. H. Kim, C. Y. Kang, S. J. Rhee, C. W. Choi, M. S. Akbar, and J. C. Lee, IEEE Trans. Electron Devices 51, 220 (2004).
22. W. T. Leach, J. H. Zhu, and J. G. Ekerdt, J. Cryst. Growth 243, 30 (2002).
23. W. T. Leach, J. H. Zhu, and J. G. Ekerdt, J. Cryst. Growth 240, 415 (2002).
24. C. Basa, M. Tinani, and E. A. Irene, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2466 (1998).
25. S. K. Stanley, S. C. Coffee, and J. G. Ekerdt, in Materials and Processes for Nonvolatile Memories, MRS Symposia Proceedings No. 830, edited by, A. Claverie, D. Tsoukalas, T.-J. King, and, J. M. Slaughter, (Materials Research Society, Warrendale, PA, 2005), p. D1.8.1.
26. S. K. Stanley, S. C. Coffee, and J. G. Ekerdt, Appl. Surf. Sci. 252, 878 (2005).
27. Y. Q. Wang, J. H. Chen, W. J. Yoo, Y. C. Yeo, S. J. Kim, R. Gupta, Z. Y. L. Tan, D. L. Kwong, A. Y. Du, and N. Balasubramanian, Appl. Phys. Lett. 84, 5407 (2004).
28. Y. Q. Wang, J. H. Chen, W. J. Yoo, and Y. C. Yeo, in Materials and Processes for Nonvolatile Memories, MRS Symposia Proceedings No. 830, edited by, A. Claverie, D. Tsoukalas, T.-J. King, and, J. M. Slaughter, (Materials Research Society, Warrendale, PA, 2005), p. D6.3.1.
29. R. Gupta, Appl. Phys. Lett. 84, 4331 (2004).
30. J. H. Zhu, W. T. Leach, S. K. Stanley, J. G. Ekerdt, and X. M. Yan, J. Appl. Phys. 92, 4695 (2002).