Reduction of gate leakage current in AIGaN/GaN MOSHFET using NiO

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 47, Issue SUPPL. 3, 2005, Pages

  Ahn, H J ^a   Oh, C S ^a   Lee, K J ^a   Yang, J W ^a   Yang, G M ^a   Lim, K Y ^a  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

Author keywords

Gate leakage current; NiO; Surface passivation

Indexed keywords

EID: 29344435819     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (25)

1. K. Kasahara, H. Miyamoto, Y. Ando, Y. Okamoto, T. Nakayama and M. Kuzuhara, IEDM Tech. Dig. (San Francisco, 2002), p. 667.
2. Y. H. Jeong, C. S. Oh, E. H. Shin, J. Y. Kim, J. W. Yang and K. Y. Lim, J. Korean Phys. Soc. 44, 140 (2004).
3. S. J. Kim, J. Y. Shim, J. H. Lee, H. S. Yoon, K. H. Lee, D. J. Kim and J. H. Lee, J. Korean Phys. Soc. 42, 276 (2003).
4. R. Sandhu, M. Wojtowicz, M. Barsky, R. Tsai, I. Smorchkova, C. Namba, P. H. Liu, R. Dia, M. Truong, D. Ko, J. W. Yang and M. A. Khan, IEDM Tech. Dig. (Washington DC, 2001), p. 940.
5. W. S. Tan, P. A. Houston, P. J. Parbrook, D. A. Wood, G. Hill and C. R. Whitehouse, Appl. Phys. Lett. 80, 3207 (2002).
6. A. Tarakji, G. Simin, N. Ilinskaya, X. Hu, A. Kumar, A. Koudymov, J. Yang, M. A. Khan, M. S. Shur and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 78, 2169 (2001).
7. G. Simin, A. Koudymov, A. Tarakji, X. Hu, J. Yang, M. A. Khna, M. S. Shur and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2651 (2001).
8. R. Ventury, N. Q. Zhang, S. Keller and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 560 (2001).
9. G. Koley, V. Tilak, L. F. Eastman and M. G. Spencer, IEEE Trans. Electron Devices 50, 886 (2003).
10. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. Baca, S. J. Pearton and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett. 73, 3893 (1998).
11. M. A. Khan, X. Hu, G. Sumin, A. Lunev, J. Yang, R. Gaska and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 21, 63 (2000).
12. G. Simin, A. Koudymov, H. Fatima, J. Zhang, J. Yang, M. A. Khan, X. Hu, A. Tarakji, R. Gaska and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 23, 458 (2002).
13. D.-W. Chou, K.-W. Lee, J.-J. Huang, H.-R. Wu, Y.-H. Wang, M.-P. Houng, S.-J. Chang and Y.-K. Su, Jpn. J. Appl. Phys. 41, L748 (2002).
14. J. Kim, R. Mehandru, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton and Y. Irokawa, Appl. Phys. Lett. 80, 4555 (2002).
15. B. Luo, R. Mehandru, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, D. Gotthold, R. Birkhahn, B. Peres, R. C. Fitch, N. Moser, J. K. Gillespie, G. H. Jessen, T. J. Jenkins, M. J. Yannuzi, G. D. Via and A. Crespo, Solid-State Electronics 47, 1781 (2003).
16. D.-H. Cho, M. Shimizu, T. Ide, H. Ookita and H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 4481 (2002).
17. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000).
18. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan, A. Tarakji, M. S. Shur and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001).
19. B. A. Everitt, D. Wang and J. M. Daughton, IEEE Trans. Magnetics 32, 4657 (1996).
20. J. K. Ho, C. S. Jong, C. N. Huang, C. Y. Chen, C. C. Chiu and K. K. Shin, Appl. Phys. Lett. 74, 1275 (1999).
21. J. K. Ho, C. S. Jong, C. N. Huang, C. C. Chiu, K. K. Shin, L. C. Chen, F. R. Chen and J. J. Kai, J. Phys. Lett. 86, 4491 (1999).
22. L. C. Chen, J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, K. K. Shin, F. R. Chen, J. J. Kai and L. Chang, Appl. Phys. Lett. 78, 3703 (2000).
23. H. C. Kang, S. H. Seo, H. W. Jang, D. H. Kim and D. Y. Noh, Appl. Phys. Lett. 83, 2139 (2003).
24. B. J. Ansell, I. Harrison and C. T. Foxon, Phys. Stat. Sol. (a) 188, 279 (2001).
25. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo and Y. Sano, Appl. Phys. Lett. 84, 613 (2004).