Characteristics of CF x radicals and plasma parameters in an inductively coupled CF 4 plasma

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 47, Issue 2, 2005, Pages 249-255

  Kim, Jung Hyung ^a   Chung, Kwang Hwa ^a   Yoo, Yong Shim ^a  

^a Korea Research Institute of Standards and Science   (South Korea)

Author keywords

Cutoff probe; Electron density; LIF; Radicals

Indexed keywords

EID: 24644518543     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (35)

1. N. R. Rueger, M. F. Doemling, M. Schaepkens, J. J. Beulens, T. E. F. M. Standaert and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 2492 (1999).
2. T. E. F. M. Standaert, M. Schaepkens, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, G. S. Oehrlein and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 239 (1998).
3. S. Hyashi, H. Nakagawa, M. Yamanaka and M. Kubota, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 4845 (1997).
4. K. Miyata, M. Hori and T. Goto, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 2343 (1996).
5. C. Suzuki, K. Sasaki and K. Kadata, J. Appl. Phys. 82, 5321 (1997).
6. K. Tachibana, H. Kamisagi and T. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 28, 4367 (1999).
7. T. Kimura and K. Ohe, J. Appl. Phys. 92, 1780 (2002).
8. L.-M. Buchmann, F. Heirich, P. Hoffmann and J. James, J. Appl. Phys. 67, 3635 (1990).
9. S. Den, T. Kuno, M. Ito, M. Hori, T. Goto, Y. Hayashi and Y. Sakamoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 6528 (1996).
10. D. Zhang and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2661 (2000).
11. G. Cunge and J. P. Booth, J. Appl. Phys. 85, 3952 (1999).
12. J. P. Booth, G. Cunge, P. Chabert and N. Sadeghi, J. Appl. Phys. 85, 3097 (1999).
13. C. I. Butoi, N. M. Mackie, K. L. Williams, N. E. Capps and E. R. Fisher, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2685 (2000).
14. K. L. Steffens and M. A. Sobolewski, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 517 (1999).
15. S. Hayashi, K. Kawashima, N. Ozawa, H. Tsuboi, Y. Tatsumi and M. Sekine, Sci. Technol. Adv. Mat. 2, 555 (2001).
16. M. Haverlag, W. W. Stoffels, E. Stoffels, G. M. W. Kroesen and F. J. de Hoog, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 384 (1994).
17. D. C. Seo, T. H. Chung, H. J. Yoon and G. H. Kim, J. Appl. Phys. 89, 4218 (2001).
18. S. Panda, D. J. Economou and M. Meyyappan, J. Appl. Phys. 87, 8323 (2000).
19. M. Klick, M. Kammeyer, W. Rehak, W. Kasper, P. Awakowicz and G. Franz, Surf. Coat. Technol. 98, 1395 (1998).
20. N. Mizutani and T. Hayashi, Thin Solid Films 374, 167 (2000).
21. T. Shirakawa and H. Sugai, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1, 32, 5129 (1993).
22. H. Kokura, K. Nakamura, I. P. Ghanashev and H. Sugai, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1, 38, 5262 (1999).
23. D. H. Looney and S. C. Brown, Phys. Rev. 93, 965 (1954).
24. T. Shirakawa and H. Sugai, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 5129 (1993).
25. K. Nakamura, M. Ohata and H. Sugai, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 325 (2003).
26. J. H. Kim, D. J. Seong, J. Y. Lim and K. H. Chung, Appl. Phys. Lett. 83, 4725 (2003).
27. J. H. Kim, S. C. Choi, Y. H. Shin and K. H. Chung, Rev. Sci. Inst. 75, 2706 (2004).
28. S. Y. So, A. Oda, H. Sugawara and Y. Sakai, J. Phys. D: Appl. Phys. 34, 1919 (2001).
29. H. Singh, J. W. Coburn and D. B. Graves, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2680 (2000).
30. S. Den, T. Kuno, M. Ito, M. Hori, T. Goto, Y. Hayashi and Y. Sakamoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 6528 (1996).
31. J. H. Kim, Y. H. Shin, K. H. Chung and Y. S. Yoo, Appl. Phys. Lett. 85, 1922 (2004).
32. K. J. Taylor and G. R. Tynan, J. Vac. Sci. Technol. A 23, 634 (2005).
33. F. Gaboriau, M. C. Peignon, G. Cartry, L. Rolland, D. Eon, C. Cardinaud and G. Turban, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 919 (2002)
34. M. V. Malyshev, V. M. Donnelly, S. W. Downey, J. I. Colonell and N. Layadi, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 849 (2000).
35. J. P. Booth, G. Hancock and N. D. Perry, Appl. Phys. Lett. 50, 318 (1987).