Optical properties of nitride heterostructures

Physica Status Solidi C: Conferences

Volumn 0, Issue 6 SPEC. ISS., 2003, Pages 1816-1834

  Hangleiter, Andreas ^a  

^a TECHNICAL UNIVERSITY OF BRAUNSCHWEIG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPOSITION; HETEROJUNCTIONS; LIGHT EMITTING DIODES; OPTICAL PROPERTIES; OSCILLATORS (ELECTRONIC); PIEZOELECTRIC DEVICES; SEMICONDUCTOR LASERS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

COMPOSITIONAL FLUCTUATIONS; INTER-WELL TRANSITIONS; NITRIDE HETEROSTRUCTURES; POTENTIAL VARIATIONS;

NITRIDES;

EID: 2442437569     PISSN: 16101634     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1002/pssc.200303127     Document Type: Conference Paper

References (51)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S.-I. Nagahama, Appl. Phys. Lett. 67, 1868 (1995).
2. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S.-I. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1332 (1995).
3. S. Nakamura, M. Senob, S.-I. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L74 (1996).
4. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995).
5. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1059 (1997).
6. T. Mukai, K. Takekawa, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L839 (1998).
7. K. P. O'Donnell, T. Breitkopf, H. Kalt, W. van der Stricht, I. Moerman, P. Demeester, and P. G. Middleton, Appl. Phys. Lett. 70, 1843 (1997).
8. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
9. Y. Narukawa, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujila, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 55, R1938 (1997).
10. S. Chichibu, D. A. Cohen, M. P. Mack, A. C. Abare, P. Kozodoy, M. Minsky, S. Fleischer, S. Keller, J. E. Bowers, U. K. Mishra, L. A. Coldren, D. R. Clarke, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 496 (1998).
11. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
12. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 70, 2753 (1997).
13. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L382 (1997).
14. J. S. Im, H. Kollmer, J. Off, A. Sohmer, F. Scholz, and A. Hangleiter, Phys. Rev. B 57, R9435 (1998).
15. A. Hangleiter, J. S. Im, H. Kollmer, S. Heppel, J. Off, and F. Scholz, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 15 (1998).
16. H. Kollmer, J. S. Im, J. Off, F. Scholz, and A. Hangleiter, Appl. Phys. Lett. 74, 82 (1999).
17. M. D. McCluskey, C. G. van de Walle, C. P. Master, L. T. Romano, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 72, 2725 (1998).
18. C. Wetzel, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, H. Katoh, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 73, 1994 (1998).
19. C. A. Parker, J. C. Roberts, S. M. Bedair, M. J. Reed, S. X. Liu, and N. A. El-Masry, Appl. Phys. Lett. 75, 2776 (1999).
20. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
21. J. S. Im, S. Heppel, H. Kollmer, A. Sohmer, J. Off, F. Scholz, and A. Hangleiter, J. Crystal Growth 189-190, 228 (1998).
22. J. S. Im, H. Kollmer, J. Off, A. Sohmer, F. Scholz, and A. Hangleiter, in Nitride Semiconductors, Vol. 482 of MRS. Symp. Proc., edited by F. A. Ponce, S. P. DenBaars, B.K. Meyer, S. Nakamura, and S. Strite (Materials Research Society, Pittsburgh, 1998), pp. 513-8.
23. P. Riblet, H. Hirayama, A. Kinoshita, A. Hirata, T. Sugano, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 75, 2241 (1999).
24. A. Hangleiter, J. S. Im, J. Off, and F. Scholz, phys. stat. sol. (b) 216, 427 (1999).
25. S. Heppel, R. Wirth, J. Off, F. Scholz, and A. Hangleiter, phys. stat. sol. (a) 176, 73 (1999).
26. D. Ciplys, R. Gaska, M. S. Shur, R. Rimeika, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 76, 2232 (2000).
27. S. Nakamura, Science 281, 956 (1998).
28. A. Bykhovski, B. Gelmont, and M. Shur, J. Appl. Phys. 74, 6734 (1993).
29. E. Mendez, G. Bastard, L. Chang, L. Esaki, H. Morkoc, and R. Fischer, Phys. Rev. B 26, 7101 (1982).
30. A. Hangleiter, Proc. SPIE - Int. Soc. Opt. Eng. 3944, 58 (2000).
31. J. S. Im, H. Kollmer, J. Off, F. Scholz, and A. Hangleiter, Mat. Sci. Eng. B. 59B, 315 (1999).
32. J. S. Im, H. Kollmer, J. Off, F. Scholz, and A. Hangleiter, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6.20 (1998).
33. W. W. Chow, H. Amano, T. Takeuchi, and J. Han, Appl. Phys. Lett. 75, 244 (1999).
34. S.-H. Park, S.-L. Chuang, and D. Ahn, Appl. Phys. Lett. 75, 1354 (1999).
35. J. S. Im, A. Hangleiter, J. Off, and F. Scholz, in GaN and related alloys, Vol. 595 of MRS Symp. Proc., edited by R. Feenstra (Materials Research Society, Pittsburgh, 2000), p. W11.28.
36. O. Gfrörer, J. Off, F. Scholz, and A. Hangleiter, phys. stat. sol. (b) 216, 405 (1999).
37. S. Achour, A. Harabi, and N. Tabet, Mat. Sci. Eng. B 42, 289 (1996).
38. W. Shockley and W. Read, Phys. Rev. 87, 835 (1952).
39. R. Hall, Phys. Rev. 87, 387 (1952).
40. G. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996).
41. A. Rizzi, R. Lantier, H. Lth, F. della Sala, A. di Carlo, and P. Lugli, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1674 (1999).
42. C. Manz, M. Kunzer, H. Obloh, A. Ramakrishnan, and U. Kaufmann, Appl. Phys. Lett. 74, 3993 (1999).
43. J. Baur, K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, and J. Schneider, Appl. Phys. Lett. 65, 2211 (1994).
44. D. R. Hang, C. H. Chen, Y. F. Chen, H. X. Jiang, and J. Y. Lin, J. Appl. Phys. 90, 1887 (2001).
45. S.-H. Wei and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 69, 2719 (1996).
46. C. G. van de Walle and J. Neugebauer, Appl. Phys. Lett. 70, 2577 (1997).
47. L. Bellaiche, S.-H. Wei, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 70, 3558 (1997).
48. A. Hangleiter, S. Lahmann, C. Netzel, U. Rossow, P. R. C. Kent, and A. Zunger, in GaN and Related Alloys, Vol. 693 of Mat. Res. Soc. Symp. Proc., edited by J. E. Northrup, J. Neugebauer, D. C. Look, S. F. Chichibu, and H. Riechert (Materials Research Society, Boston, MA, 2002), p. 17.2.
49. C. Netzel, R. Doloca, S. Lahmann, U. Rossow, and A. Hangleiter, phys. stat. sol. (c) 0, 324 (2002).
50. I.-H. Kim, H.-S. Park, Y.-J. Park, and T. Kim, Appl. Phys. Lett. 73, 1634 (1998).
51. F. Hitzel, S. Lahmann, U. Rossow, and A. Hangleiter, phys. stat. sol. (c) 0, 537 (2002).