Optical investigations of two dimensional electron gas in the AlGaN/GaN heterostructures

Physica Status Solidi C: Conferences

Volumn 1, Issue 2, 2004, Pages 378-381

  Kudrawiec, R ^a   Syperek, M ^a   Misiewicz, J ^a   Paszkiewicz, R ^a   Paszkiewicz, B ^a   Tlaczala M ^a   Strupinski, W ^b  

^a WROCLAW UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Poland)

^b ukasiewicz Research Network Institute of Microelectronics and Photonics   (Poland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM COMPOUNDS; CRYSTAL STRUCTURE; DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC FIELDS; GALLIUM NITRIDE; GROWTH (MATERIALS); NANOTECHNOLOGY; PIEZOELECTRICITY; REFLECTION; SILICON;

EPILAYERS; GROWTH SEQUENCE; HETEROSTUCTURES; PHOTOREFLECTANCE (PR) SPECTROSCOPY;

ELECTRON GAS;

EID: 2342596446     PISSN: 16101634     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1002/pssc.200303956     Document Type: Conference Paper

References (25)

1. S. N. Mohammad, A. A Salvador, and H. Morkoc Proc. IEEE 83, 1306 (1995).
2. G. J. Sullivan, M. Y. Chen, J. A. Higgins, J. W. Yang, Q. Chen, R. L. Pierson, and B. T. McDermott, IEEE Electron Device Lett. 19, 198 (1998).
3. J. Burm, W. J. Schaff, L. F. Eastman, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 68, 2849 (1996).
4. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
5. O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, A. J. Sierakowski, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, A. Mitchell, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 87, 334 (2000).
6. R. Dimitrov, M. Murphy, J. Smart, W. Schaff, J. R. Shealy, L. F. Eastman, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 87, 3375 (2000).
7. M. Ashif Khan, J. N. Kuzina, J. M. Van Hoffe, N. Pan, and J. Carter, Appl. Phys. Lett. 60, 3027 (1992).
8. J. M. Redwing, M. A. Tschler, J. S. Flynn, S. Elhamri, M. Ahoujja, R. S. Newrock, and W.C. Mitchel, Appl. Phys. Lett. 69, 963 (1996).
9. H. Alause, C. Skierbiszewski, M. Dyakonov, W. Knap, M. L. Sadowski, S. Huant, J. Young, M. Ashif Khan, and Q. Chen, Diam. Relat. Mater. 6, 1536 (1997).
10. D. Y. Lin, Y. S. Huang, Y. F. Chen, and K. K. Tiong, Solid State Commun. 107, 533 (1998).
11. L. K. Li, B. Turk, W. I. Wang, S. Syed, D. Simonian, and H. J. Stormer, Appl. Phys. Lett. 76, 742 (2000).
12. H. K. Kwon, C. J. Eiting, D. J. H. Lambert, B. S. Shelton, M. M. Wong, T. G. Zhu, and R. D. Dupuis, J. Cryst. Growth 221, 362 (2000).
13. S. R. Kurtz, A. A. Allerman, D. D. Koleske, and G. M. Peake, Appl. Phys. Lett. 80, 4549 (2002).
14. N. Maeda, K. Tsubaki, T. Saitoh, T. Tawara, and N. Kobayashi, Optical Materials 23, 211 (2003).
15. F. H. Pollak, in: Handbook on Semiconductors, edited by T. S. Moss, vol. 2, (Elsevier Science, Amsterdam, 1994), pp. 527-635.
16. J. Misiewicz, P. Sitarek, G. Sek, and R. Kudrawiec, Materials Science 21, (2003).
17. R. Paszkiewicz, R. Korbutowicz, D. Radziewicz, M. Panek, B. Paszkiewicz, J. Kozlowski, B. Boratyński, and M. Tłaczala, SPIE 3725, 21 (1999).
18. R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, J. Kozlowski, and M. Tlaczala, J. Cryst. Growth. 248, 487 (2003).
19. I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003).
20. H. Shen and M. Dutta, J. Appl. Phys. 78, 2151 (1995).
21. D. E. Aspnes and A. A. Studna, Phys. Rev. B 7, 4605 (1973).
22. C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, J. Appl. Phys. 85, 3786 (1999).
23. Y. T. Hou, K. L. Teo, M. F. Li, K. Uchida, H. Tokunaga, N. Akutsu, and K. Matsumoto, Appl. Phys. Lett. 76, 1033 (2000).
24. W. Krystek, F. H. Pollak, Z. C. Feng, M. Schurman, and A. Stall, Appl. Phys. Lett. 72, 1353 (1998).
25. A. Drabińska, Acta Physica Polonica A 104, 149 (2003).