Photo- and Electroreflectance Spectroscopy of Low-Dimensional III-Nitride Structures

Acta Physica Polonica A

Volumn 104, Issue 2, 2003, Pages 149-164

  Drabinska A ^a  

^a UNIVERSITY OF WARSAW   (Poland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE; HETEROJUNCTIONS; INTERFACES (MATERIALS); MODULATION; NITRIDES; POLARIZATION; SPECTROSCOPY; X RAY DIFFRACTION;

DEPLETION LAYERS;

SEMICONDUCTOR MATERIALS;

EID: 0242353818     PISSN: 05874246     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.12693/APhysPolA.104.149     Document Type: Conference Paper

References (28)

1. F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 58, R10024 (1997).
2. F. Bernardini, V. Fiorentini, Phys. Rev. B 64, 085207-1 (2001).
3. O. Ambacher, J.A. Majewski, C. Miskys, A. Link, M. Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F. Bernardini, V. Fiorentini, V. Tilak, B. Schaff, L.F. Eastman, J. Phys., Condens. Matter 14, 3399 (2002).
4. O. Ambacher, J. Phys. D, Appl. Phys. 31, 2653 (1998).
5. D.E. Aspnes, A.A. Studna, Phys. Rev. B 7, 4605 (1973).
6. M. Cardona, K.L. Shaklee, F.H. Pollak, Phys. Rev. 154, 696 (1967).
7. J.G. Gay, L.T. Klauder, Phys. Rev. 172, 811 (1968).
8. X. Yin, F.H. Pollak, Appl. Phys. Lett. 59, 2305 (1991).
9. J. Misiewicz, P. Sitarek, G. Sȩk, Introduction to the Photoreflectance Spectroscopy of Semiconductor Structures, Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, Wrocław 1999.
10. T. Tomaszewicz, A. Babiński, D. Suska, J.M. Baranowski, A. Tomaszewicz, Appl. Phys. Lett. 75, 2088 (1999).
11. A. Drabińska, K.P. Korona, R. Bożek, A. Babiński, J.M. Baranowski, W. Pacuski, R. Stepniewski, T. Tomaszewicz, Phys. Status Solidi B 234, 868 (2002).
12. A. Drabinska, A. Babiński, T. Tomaszewicz, R. Bożek, J.M. Baranowski, J. Appl. Phys. 92, 163 (2002).
13. A. Drabińska, K.P. Korona, R. Bozek, J.M. Baranowski, K. Pakuła, T. Tomaszewicz, J. Gronkowski, Phys. Status Solidi C 0, 329 (2002).
14. B.O. Seraphin, N. Bottka, Phys. Rev. 145, 628 (1996).
15. D.E. Aspnes, Surf. Sci. 37, 418 (1973).
16. S.L. Tyan, Y.C. Wang, J.S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 68, 3452 (1996).
17. K. Jezierski, J. Misiewicz, P. Markiewicz, M. Panek, B. Ściana, M. Tłaczała, R. Korbutowicz, Phys. Status Solidi A 147, 467 (1995).
18. D.E. Aspnes, in: Handbook on Semiconductor, Vol. 2, Ed. M. Balkanski, North-Holland, Amsterdam 1980, Ch. 4A, p. 109.
19. D.E. Aspnes, Phys. Rev. B 10, 4228 (1974).
20. R.N. Bhattacharya, H. Shen, P. Parayanthal, F.H. Pollak, T. Coutta, H. Aharoni, Phys. Rev. B 37, 4044 (1988).
21. E. Shen, F.H. Pollak, Phys. Rev. B 42, 7097 (1990).
22. E.V. Shanabrook, O.J. Glembocki, W.T. Beard, Phys. Rev. B 35-I, 2540 (1987).
23. R. Enderlein, D.S. Jiang, Y.S. Tang, Phys. Status Solidi B 145, 167 (1988).
24. A. Wójcik, T. Piwonski, T.J. Ochalski, M. Bugajski, A. Grzegorczyk, L. Macht, S. Haffoutz, P.K. Larsen, Phys. Status Solidi C 0, 491 (2002).
25. J.A. Majewski, G. Zandler, P. Vogl, Acta Phys. Pol. A 100, 249 (2001).
26. A.F. Wright, J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997).
27. A. Zoroddu, F. Bernardini, P. Ruggerone, V. Fiorentini, Phys. Rev. B 64, 045208-1 (2001).
28. V. Fiorentini, F. Bernardini, O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 80, 1204 (2002).