Inductively coupled plasma damage in GaN Schottky diodes

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 17, Issue 4, 1999, Pages 1540-1544

  Cao, X A ^a  

^a J Crayton Pruitt Family Department of Biomedical Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 22644452012     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.590785     Document Type: Article

References (24)

1. S. Nakamura, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 4, 483 (1998).
2. M. Shur, Solid-State Electron. 42, 2131 (1998).
3. J. C. Zolper, Solid-State Electron. 42, 2153 (1998).
4. S. C. Binari, J. M. Redwing, G. Kelner, and W. Kruppa, Electron. Lett. 33, 242 (1997).
5. Y.-F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kenias, S. P. DenBaars, and U. Mishra, IEEE Electron Dev. Lett. 19, 50 (1998).
6. B. E. Foutz, L. F. Eastman, U. V. Bhapkar, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 70, 2849 (1997).
7. Q. Chen, R. Gaska, M. A. Khan, M. S. Shur, A. T. Ping, I. Adesida, J. Burn, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, Electron. Lett. 33, 637 (1997).
8. See, for example, R. J. Shul, in GaN and Related Materials, edited by S. J. Pearton (Gordon and Breach, New York, 1997), Chap. 12.
9. A. T. Ping, A. C. Schmitz, I. Adesida, M. A. Khan, Q. Chen, and J. W. Yang, J. Electron. Mater. 26, 266 (1997).
10. H. P. Gillis, D. A. Choutov, K. P. Martin, M. D. Bremser, and R. F. Davis, J. Electron. Mater. 26, 301 (1997).
11. T. Ping, C. Youtsey, I. Adesida, M. A. Khan, and J. N. Kuznia, J. Electron. Mater. 24, 229 (1995).
12. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 64, 2294 (1994).
13. Z. F. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, Ö. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 69, 1672 (1996).
14. J. Y. Chen, C. J. Pan, and G. C. Chi, Solid-State Electron. 43, 649 (1999).
15. A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. A. Khan, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 27, 261 (1998).
16. F. Ren, J. Lothian, Y. K. Chen, J. D. MacKenzie, S. M. Donovan, C. B. Vartuli, C. R. Abernathy, J. W. Lee, and S. J. Pearton, J. Electrochem. Soc. 143, 1217 (1996).
17. F. Ren, J. Lothian, Y. K. Chen, R. Karlicek, L. Tran, M. Schurmann, R. Stall, J. W. Lee, and S. J. Pearton, Solid-State Electron. 41, 1819 (1997).
18. R. J. Shul, G. B. McClellan, S. A. Casalnuovo, D. J. Rieger, S. J. Pearton, C. Constantine, C. Barratt, R. F. Karlicek, Jr., C. Tran, and M. Schurman, Appl. Phys. Lett. 69, 1119 (1996).
19. S. A. Smith, C. A. Wolden, M. D. Bremser, A. D. Hanser, R. F. Davis, and W. V. Lampert, Appl. Phys. Lett. 71, 3631 (1997).
20. J. M. Van Hove, R. Hickman, J. J. Klaassen, P. P. Chow, and P. P. Ruden, Appl. Phys. Lett. 70, 282 (1997).
21. S. J. Pearton, J. W. Lee, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, and R. J. Shul, Appl. Phys. Lett. 67, 2329 (1995).
22. J. C. Zolper, D. J. Rieger, A. G. Baca, S. J. Pearton, J. W. Lee, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 69, 538 (1996).
23. S. J. Pearton, U. K. Chakrabarti, and F. A. Baiocchi, Appl. Phys. Lett. 55, 1633 (1989).
24. H. Cho, K. H. Auh, J. Han, R. J. Shul, S. M. Donovan, C. R. Abernathy, E. S. Lambers, F. Ren, and S. J. Pearton, J. Electron. Mater. 28, 288 (1999).