Comparison of thermal and mass-transport properties of Bi(tmhd) 3, Bi(p-tol)3, and Bi(o-tol)3 MOCVD precursors

Chemical Vapor Deposition

Volumn 11, Issue 5, 2005, Pages 261-268

  Bedoya, Cedric ^a   Condorelli, Guglielmo G ^a   Finocchiaro, Sebastiana T ^a   Di Mauro, Alessandro ^a   Fragalà, Ignazio L ^a   Cattaneo, Lorena ^b   Carella, Sergio ^b  

^a UNIVERSITY OF CATANIA   (Italy)

^b SAES GETTERS S P A   (Italy)

Author keywords

Bismuth tetramethyl heptanedionate; FTIR; MOCVD; Thermal analysis; Toluene bismuth

Indexed keywords

DECOMPOSITION; FOURIER TRANSFORM INFRARED SPECTROSCOPY; MASS SPECTROMETRY; REACTION KINETICS; THERMOANALYSIS; TOLUENE; VAPORIZATION;

BISMUTH TETRAMETHYL-HEPTANEDIONATE; CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION (CSD); PRECURSORS; TOLUENE BISMUTH;

METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

EID: 20744459449     PISSN: 09481907     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/cvde.200406355     Document Type: Article

References (61)

1. C. A. Araujo, J. D. Cuchiaro, L. D. McMillan, M. C. Scott, J. F. Scott, Nature 1989, 374, 627.
2. A. F. Parker, L. H. Tasch, IEEE Circuit Devices Magn. 1990,6,17.
3. A. Kingon, Nature 1999, 401, 658.
4. M. W. Chu, M. Ganne, P. Y. Tessier, D. Eon, M. T. Caldes, L. Brohan, Mater. Sci. Semicond. Proc. 2002, 5, 179.
5. A. Hardy, K. Van Werde, G. Vanhoyland, M. K. Van Bael, J. Mullens, L. C. Van Poucke, Thermochim. Acta 2003, 397, 143.
6. S. D. Bu, B. S. Rang, B. H. Park, T. W. Noh, J. Korean Phys. Soc. 2000, 36, 9.
7. T. Kijima, M. Ushikubo, H. Matsunaga, Jpn. J. Appl. Phys., Part 11999, 38, 127.
8. R. Ramesh, S. Aggarwal, O. Auciello, Mater. Sci. Eng. R. 2001, 32, 191.
9. R. Zambrano, Mater. Sci. Semicond. Proc. 2002, 5, 305.
10. A. C. Jones, P. R. Chalker, J. Phys. D: Appl. Phys. 2003, 36, 80.
11. D. Barreca, F. Morazzoni, G. A. Rizzi, R. Scotti, E. Tondello, Phys. Chem. Chem. Phys. 2001, 3, 1743.
12. L. Leontie, M. Caraman, M. Alexe, C. Harnagea, Surf. Sci. 2002, 507-510, 480.
13. C. Isobe, K. Hironaka, S. Hishikawa, Adv. Mater. Opt. Electron. 2000, 10, 183.
14. S. W. Kang, S.-W. Rhee, J Electrochem. Soc. 2003, 150, 573.
15. C. Isobe, M. Sigiyama, K. Hironaka, T. Ami, U. S. Patent 6004392, 1999.
16. T. Jimbo, H. Sano, Y. Takahashi, I. Funakubo, E. Tokumizu, H. Ishiwara, Jpn. J. Appl. Phys., Part 11999, 38, 6456.
17. J. F. Roeder, B. C. Hendrix, F. Hintermaier, D. A. Desrochers, T. H. Baum, G. Bhandari, M. Chappuis, P. C. Van Buskirk, C. Dehm, E. Fritsch, N. Nagel, H. Wendt, H. Cerva, W. Honlein, C. Mature, J. Eur. Ceram. Soc. 1999, 19, 1463.
18. W. C. Shin, K. J. Choi, S. G. Yoon, Thin Solid Films 2002, 409, 133.
19. Y. Zhu, S. B. Desu, T. Li, S. Ramanathan, M. Nagata, J. Mater. Res. 1997, 12, 783.
20. T. Li, Y. Zhu, S. B. Desu, C. H. Peng, M. Nagata, Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 616.
21. S. Sun, P. Lu, A. Fuierer, J. Cryst. Growth 1999, 205, 177.
22. K. Shimanoe, M. Suetsugu, N. Miura, N. Yamazoe, Solid State Ionics 1998, 113-115, 415.
23. G. A. Neuman, K. H. Bloss, U.S. Patent 4965093, 1990, 4.
24. A. D. Berry, R. T. Holm, M. Fatemi, D. K. Gaskill, J. Mater. Res. 1990, 5, 1169.
25. T. Kijima, M. Ushikubo, H. Matsunaga, Jpn. J. Appl. Phys., Part 11999, 38, 127.
26. T. Sakai, T. Watanabe, Y. Choi, K. Matsuarai, H. Funakubo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 2001, 40, 6481.
27. H. Funakubo, K. Ishikawa, T. Watanabe, M. Mitsuya, N. Nukaga, Adv. Mater. Opt. Electron. 2000, 10, 193.
28. N. Nukaga, H. Ono, T. Shida, H. Machida, T. Suzuki, H. Funakubo, Integr. Ferroelectr. 2002, 4, 215
29. K. Ishikawa, H. Funakubo, Appl. Phys. Lett. 1999, 75,1970.
30. H. Funakubo, N. Nukaga, K. Ishikawa, T. Watanabe, Jpn. J. Appl. Phys., Part 11999, 38, 199.
31. P. C. Van Buskirk, S. M. Bilodeau, J. F. Roeder, P. S. Kirlin, Jpn. J. Appl. Phys., Part 11996, 35, 2520.
32. L. Armelao, G. Bandoli, M. Cesarin, G. Depaoli, E. Tondello, A. Vittadini, Inorg. Chimica Acta 1998, 275-276, 340.
33. C. Isobe, T. Ami, K. Hironaka, K. Watanabe, M. Sugiyama, N. Nagel, K. Katori, Y. Ikeda, C. D. Gutleben, M. Tanaka, H. Yamamoto, H. Yagi, Integr. Ferroelectr. 1997, 14, 95.
34. S. W. Kang, S. W. Rhee, J. Electrochem. Soc. 2003, 150, 573.
35. B. C. Hendrix, T. E. Glassman, J. F. Roeder, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2000, 596, 143.
36. R. G. Gordon, F. Chen, N. J. Diceglie, Jr., A. Kenigsberg, X. Liu, D. J. Teff, J. Thornton, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1998, 495, 63.
37. S. W. Kang, S. W. Rhee, Thin Solid Films 2004, 468, 79.
38. P. A. Williams, A. C. Jones, M. J. Crosbie, P. J. Wright, J. F. Bickley, A. Steiner, H. O. Davis, T. L. Leedham, G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition 2001, 7, 205.
39. A. Jones, J. Mater. Chem. 2002, 12, 2576.
40. W. A. Herrmann, N. W. Huber, R. Anwaner, T. Priermeier, Chem. Ber. 1993, 126, 1127.
41. G. G. Condorelli, A. Baeri, G. Anastasi, I. L. Fragalà, Mater. Sci. Semicond. Proc. 2003, 5, 16.
42. C. Bedoya, G. G. Condorelli, G. Anastasi, A. Baeri, F. Scerra, I. L. Fragalà, J. G. Lisoni, D. Wouters, Chem. Mater. 2004, 16, 3176.
43. S. Kang, K. Yang, K. Yong, S. Rhee J. Electrochem. Soc. 2002, 149, 44.
44. M. Schwell, F. Dulieu, C. Gee, H. W. Jochims, J. L. Chotin, H. Baumgartel, S. Leach, Chem. Phys. 2000, 260, 261.
45. R. C. Taylor, R. A. Brown, W. S. Young, C. E. Headington, Anal. Chem. 1948, 20, 397.
46. N. B. Colthup, L. H. Daly, S. E. Wibiberley, Introduction to Infrared and Roman Spectroscopy Academic Press, New York, 1964, 220.
47. K. Nakamoto, Infrared and Roman Spectra of Inorganic and Coordination Compounds, John Wiley and Sons, New York, 1978.
48. H. F. Hameka, J. O. Jensen, J. Mol. Struct. 1995, 331, 203.
49. A. F. Bykov, P. P. Semyannikov, I. K. Igumenov, J. Thermal Analysis 1992, 35, 1463.
50. A. E. Turgambaeva, V. V. Krisyuk, S. V. Sysoev, I. K. Igumenov, Chem. Vap. Deposition 2001, 7, 121.
51. A. E. Turgambaeva, V. V. Krisyuk, A. F. Bykov, Igor K. Igumenov, J. Phys. IV 1999, 9, 8.
52. G. G. Condorelli, M. L. Hitchman, A. Y. Kovalgin, S. H. Shamlian, Proc. Electrochem. Soc. 1998, 95-23, 141.
53. G. G. Condorelli, M. L. Hitchman, A. Y. Kovalgin, S. H. Shamlian, in Chemical Vapor Deposition - Proc. 14th Int. CVD Conf. and EUROCVD-11 (Eds: M. Allendorf, C. Bernard), The Electrochemical Soc., Pennington NJ, 1997, Vol. 97-25, p. 901.
54. V. V. Krisyuk, A. E. Turgambaeva, I. K. Igumenov, Chem. Vap. Deposition 1998, 4, 43.
55. A. E. Turgambaeva, A. F. Bykov, Igor K. Igumenov, ;. Phys. IV 1995, 5, 221.
56. C. Bedoya, G. G. Condorelli, A. Di Mauro, G. Anastasi, I. L. Fragala, J. Lisoni, D. Wouters Mater. Sci. Eng. B 2005, 118, 264.
57. W. C. Wu, L. F. Liao, C. F. Lien, J. L. Lin, Phys. Chem. Chem. Phys. 2001, 3, 4456.
58. M. E. Viste, K. D. Gibson, S. J. Sibener, J. Catal. 2000, 191, 237.
59. M. J. Fadden, C. M. Hadad, J. Phys. Chem. A 2000, 104, 8121.
60. D. Barreca, G. A. Rizzi, E. Tondello, Thin Solid Films 1998, 333, 35.
61. G. G. Condorelli, S. Gennaro, I. L. Fragalà, Chem. Vap. Deposition 2000, 6, 185.