Production and recovery of defects in phosphorus-implanted ZnO

Journal of Applied Physics

Volumn 97, Issue 1, 2005, Pages

  Chen, Z Q ^a   Kawasuso, A ^a   Xu, Y ^a   Naramoto, H ^a   Yuan, X L ^b   Sekiguchi, T ^b   Suzuki, R ^c   Ohdaira, T ^c  

^a JAPAN ATOMIC ENERGY AGENCY   (Japan)

^b NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

^c NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY AIST   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMPHOTERIC DOPANTS; COULOMB REPULSION; ROOM TEMPERATURE; VACANCY CLUSTERS;

AGGLOMERATION; ANNEALING; ION IMPLANTATION; LIGHT EMISSION; PHONONS; PHOSPHORUS; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; ZINC OXIDE;

SINGLE CRYSTALS;

EID: 19944433143     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1821636     Document Type: Article

References (47)

1. D. C. Look, D. C. Reynolds, J. R. Sizelove, R. L. Jones, C. W. Litton, G. Cantwell, and W. C. Harsch, Solid State Commun. 105, 399 (1998).
2. P. Zu, Z. K. Tang, G. K. L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Koinuma, and Y. Segawa, Solid State Commun. 103, 459 (1997).
3. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Sen, and T. Goto, Appl. Phys. Lett. 70, 2230 (1997).
4. K. Minegishi, Y. Koiwai, K. Kikuchi, K. Yano, M. Kasuga, and A. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1453 (1997).
5. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
6. M. Joseph, H. Tabata, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38 L1205 (1999).
7. A. V. Singh, R. M. Mehra, A. Wakahara, and A. Yoshida, J. Appl. Phys. 93, 396 (2003).
8. K. Iwata, P. Fons, A. Yamada, K. Matsubara, and S. Niki, J. Cryst. Growth 209, 526 (2000).
9. K. Tamura, J. Cryst. Growth 214-215, 59 (2000).
10. K. Nakahara, H. Takasu, P. Fons, A. Yamada, K. Iwata, K. Matsubara, R. Hunger, and S. Niki, Appl. Phys. Lett. 79, 4139 (2001).
11. A. Tsukazaki, H. Saito, K. Tamura, M. Ohtani, H. Koinuma, M. Sumiya, S. Fuke, T. Fukumura, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 81, 235 (2002).
12. E. Sonder, R. A. Zuhr, and R. E. Valiga, J. Appl. Phys. 64, 1140 (1988).
13. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, C. Jagadish, J. Zou, C. Evans, A. J. Nelson, and A. V. Hamza, Phys. Rev. B 67, 094115 (2003).
14. T. Monteiro, C. Boemare, M. J. Soares, E. Rita, and E. Alves, J. Appl. Phys. 93, 8995 (2003).
15. F. D. Auret, S. A. Goodman, M. Hayes, M. J. Legodi, H. A. van Laarhoven, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 79, 3074 (2001).
16. K. Ip, Appl. Phys. Lett. 82, 385 (2003).
17. B. W. Thomas and D. Walsh, J. Phys. D 6, 612 (1973).
18. S. O. Kucheyev, Appl. Phys. Lett. 81, 3350 (2002).
19. R. Krause-Rehberg and H. S. Leipner, Positron Annihilation in Semiconductors, Defect Studies, Springer Series in Solid-State Sciences Vol. 127 (Springer, Berlin, 1999).
20. P. G. Coleman, Positron Beams and their Applications (World Scientific, Singapore, 2000).
21. C. H. Park, S. B. Zhang, and S.-H. Wei, Phys. Rev. B 66, 073202 (2002).
22. K.-K. Kim, H.-S. Kim, D.-K. Hwang, J.-H. Lim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003).
23. Y. W. Heo, S. J. Park, K. Ip, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. Lett. 83, 1128 (2003).
24. K. Ip, Y. W. Heo, K. H. Baik, D. P. Norton, S. J. Pearton, and F. Ren, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 171 (2004).
25. Z. Q. Chen, M. Maekawa, S. Yamamoto, A. Kawasuso, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, R. Suzuki, and T. Ohdaira, Phys. Rev. B 69, 035210 (2004).
26. J. P. Biersack and L. G. Haggmark, Nucl. Instrum. Methods 174, 257 (1980).
27. R. Suzuki, T. Ohdaira, and T. Mikado, Radiat. Phys. Chem. 58, 603 (2000).
28. T. Sekiguchi and K. Sumino, Rev. Sci. Instrum. 66, 4277 (1995).
29. L. J. Van der Pauw, Philips Res. Rep. 13, 1 (1958).
30. Z. Q. Chen, S. Yamamoto, M. Maekawa, A. Kawasuso, X. L. Yuan, and T. Sekiguchi, J. Appl. Phys. 94, 4807 (2003).
31. T. C. Damen, S. P. S. Porto, and B. Tell, Phys. Rev. 142, 570 (1966).
32. X. Wang, S. Yang, J. Wang, M. Li, X. Jiang, G. Du, X. Liu, and R. P. H. Chang, J. Cryst. Growth 226, 123 (2001).
33. C. J. Youn, T. S. Jeong, M. S. Han, and J. H. Kim, J. Cryst. Growth 261, 526 (2004).
34. Y. J. Xing, Appl. Phys. Lett. 83, 1689 (2003).
35. J. N. Zeng, J. K. Low, Z. M. Ren, T. Liew, and Y. F. Lu, Appl. Surf. Sci. 197, 362 (2002).
36. M. Tzolov, N. Tzenov, D. Dimova-Malinovska, M. Kalitzova, C. Pizzuto, G. Vitali, G. Zollo, and I. Ivanov, Thin Solid Films 379, 28 (2000).
37. F. Reuss, C. Kirchner, Th. Gruber, R. Kling, S. Maschek, W. Limmer, A. Waag, and P. Ziemann, J. Appl. Phys. 95, 3385 (2004).
38. Y. V. Gorelkinskii and G. D. Watkins, Phys. Rev. B 69, 115212 (2004).
39. T. Sekiguchi, N. Ohashi, and Y. Terada, Mater. Sci. Forum 258-263, 1371 (1997).
40. N. Ohashi, T. Sekiguchi, K. Aoyama, T. Ohgaki, Y. Terada, I. Sakaguchi, T. Tsurumi, and H. Haneda, J. Appl. Phys. 91, 3658 (2002).
41. D. W. Hamby, D. A. Lucca, M. J. Klopfstein, and G. Cantwell, J. Appl. Phys. 93, 3214 (2003).
42. K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallant, and J. A. Voigt, Appl. Phys. Lett. 68, 403 (1996).
43. D. C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai, J. E. Van Nostrand, R. Jones, and J. Jenny, Solid State Commun. 106, 701 (1998).
44. B. Lin, Z. Fu, and Y. Jia, Appl. Phys. Lett. 79, 943 (2001).
45. N. Y. Garces, L. Wang, L. Bai, N. C. Giles, L. E. Halliburton, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 622 (2002).
46. H. S. Kang, J. S. Kang, S. S. Pang, E. S. Shim, and S. Y. Lee, Mater. Sci. Eng., B 102, 313 (2003).
47. T.-B. Hur, G. S. Jeen, Y.-H. Hwang, and H.-K. Kim, J. Appl. Phys. 94, 5787 (2003).