Gate-bias dependence of low-frequency noise in poly-Si thin-film transistors

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 45, Issue SUPPL., 2004, Pages

  Han, I K ^a   Lee, J I ^a   Lee, M B ^b   Chang, S K ^c   Kim, E K ^d  

^a Korea Institute of Science and Technology   (South Korea)

^b Kyungpook National University   (South Korea)

^c Yonsei University   (South Korea)

^d Hanyang University   (South Korea)

Author keywords

Barrier height; Low frequency noise; Number fluctuation; Polycrystalline silicon thin film transistors; Thermal activation; Tunneling

Indexed keywords

EID: 12744280151     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (31)

1. M. J. Deen, S. Rumyantsev and J. Orchard-Webb, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1881 (1998).
2. H. C. de Graff and M. T. M. Huybers, J. Appl. Phys. 54, 2504 (1983).
3. S.-L. Jang, Solid-St. Electron, 33, 1155 (1990).
4. M.-Y. Luo and G. Bosman, IEEE Trans. Electron Dev. 37, 768 (1990).
5. L. Michelutti, Phys. Rev. B 57, 12360 (1998).
6. L. Michelutti, A. Chovet, J. Stoemenos, J.-M. Terrot and A. M. Ionescu, Thin Solid Films 401, 235 (2001).
7. R. Brederlow, W. Weber, C. Dahl, D. Schimitt-Landsiedel and R. Thewes, IEEE Trans. Electron Dev. 48, 1180 (2001).
8. W. B. Jackson, N. M. Johnson and D. K. Biegelsen, Appl. Phys. Lett. 43, 195 (1983).
9. J. I. Lee, I. K. Han, D. C. Heo, J. Brini, A. Chovet, C. A. Dimitriadis and J. C. Jeong, J. Korean Phys. Soc. 37, 966 (2000).
10. M.-Y. Luo, G. Bosman, A. van der Ziel and L. L. Hench, IEEE Trans. Electron Dev. 35, 1351 (1988).
11. K.-M. Chen, G. W. Huang, D. Y. Chiu, H.-J. Huang and C.-Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 81, 2578 (2002).
12. X. Y. Chen, J. A. Johansen, C. Salm and A. D. van Rheenen, Solid-St. Electron. 45, 1967 (2001).
13. M. L. Tarng, J. Appl. Phys. 49, 4069 (1978).
14. L. Pichon, A. Mercha, R. Carin, T. Mohammed-Brahim, O. Bonnaud and Y. Helen, Solid-St. Electron. 46, 459 (2002).
15. I. Han, W.-J. Choi, H.-J. Kim, Y.-J. Park, W.-J. Cho, J. I. Lee, A. Chovet and J. Brini, J. Korean Phys. Soc. 42, 652 (2003).
16. C. T. Angelis, C. A. Dimitriadis, J. Brini, G. Kamarinos, V. K. Gueorguiev and Tz. E. Ivanov, IEEE Trans. Electron Dev. 46, 968 (1999).
17. H.-L. Chen and C. Y. Wu, IEEE Trans. Electron Dev. 45, 2245 (1998).
18. J.-I. Lee, M.-B. Lee, S.Y. Lee, K. N. Kang and K. S. Yoon, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L535 (1991).
19. C. A. Dimitriadis, G. Kamarinos and J. Brini, IEEE Electron Dev. Lett. 22, 381 (2001).
20. G. Ghibaudo, R. Roux, Ch. Nguyen-Duc, F. Balestra and J. Brini, Phys. Stat. Sol. (a) 124, 571 (1991).
21. I. K.Han, J. I. Lee, J. Brini and A. Chovet, J. Korean Phys. Soc., 39, S322 (2001).
22. A. Corradetti, R. Leoni, R. Carluccio, G. Fortunato, C. Reita, F. Pallis and D. Pribat, Appl. Phys. Lett. 67, 1730 (1995).
23. C. A. Dimitriadis, J. Brini, J. I. Lee, F. V. Farmakis and G. Kamarinos, J. Appl. Phys. 85, 3934 (1999).
24. C. T. Angelis, C. A. Dimitriadis, F. V. Farmakis, J. Brini, G. Kamarinos, V. K. Gueorguiev and Tz.E. Ivanov, Appl. Phys. Lett. 76, 118 (2000).
25. N. Yamauchi, J.-J. J. Hajjar and R. Reif, IEEE Trans. Electron Dev. 38, 55 (1991).
26. M.-C. Lee, J.-H. Jeon, S.H. Jung and M.-K. Han, J. Korean Phys. Soc. 37, 870 (2000).
27. M. Kimura, S. Inoue and T. Shimoda, J. Appl. Phys. 91, 3855 (2002).
28. M. Kimura, S. Inoue, T. Shimoda and T. Eguchi, J. Appl. Phys. 89, 596 (2001).
29. H. B. Kang, J. H. Lee, C. W. Yang, S. K. Kang, B. K. Min, T. W. Lee and Y. H. Lee, J. Korean Phys. Soc. 43, 508 (2003).
30. K. H. Kim, W. S. Sohn, J. H. Oh, S. J. Park, J. Jang and S. H. Kang, J. Korean Phys. Soc. 42, 462 (2003).
31. M. H. Ha, B. C. Ju, M. K. Han and Y.-I. Choi, J. Korean Phys. Soc. 44, 172 (2004).