Ohmic contacts to p-type Al 0.45Ga 0.55N

Journal of Applied Physics

Volumn 96, Issue 12, 2004, Pages 7325-7331

  Hull, B A ^a   Mohney, S E ^a   Chowdhury, U ^b   Dupuis, R D ^b  

^a PENNSYLVANIA STATE UNIVERSITY   (United States)

^b GEORGIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CIRCULAR TRANSFER LENGTH METHOD (CTLM); CONTACT RESISTIVITY; EPITAXIAL LAYERS; SHEET RESISTANCE;

ANNEALING; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; DEGRADATION; ELECTRIC RESISTANCE; GOLD; NICKEL; OHMIC CONTACTS; PALLADIUM; PASSIVATION; SILICON NITRIDE; TRANSPORT PROPERTIES;

SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS;

EID: 11044225148     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1814169     Document Type: Article

References (31)

1. S. Nakamura, S. Pearton, and G. Fasol, The Blue Laser Diode: The Complete Story, 2nd ed. (Springer, Berlin, 2000).
2. H. Kim, H. Yang, C. Huh, S.-W. Kim, S.-J. Park, and H. Hwang, Electron. Lett. 36, 908 (2000).
3. T. V. Blank, Y. A. Goldberg, E. V. Kalinina, O. V. Konstantinov, A. E. Nikolaev, A. V. Fomin, and A. E. Cherenkov, Semiconductors 35, 529 (2001).
4. B.-H. Jun, H. Hirayama, and Y. Aoyagi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 581 (2002).
5. B. A. Hull, S. E. Mohney, U. Chowdhury, R. D. Dupuis, D. Gotthold, R. Birkhahn, and M. Pophristic, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 743, 12, 2.1 (2003).
6. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, and M. Koike, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997).
7. Y. Koide, H. Ishikawa, S. Kobayashi, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, and M. Murakami, Appl. Surf. Sci. 117/118, 373 (1997).
8. J. K. Kim, J.-L. Lee, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 2675 (1999).
9. J. K. Sheu et al., J. Appl. Phys. 83, 3172 (1998).
10. H. S. Venugopalan, S. E. Mohney, and R. F. Karlicek, Jr., Proc.-Electrochem. Soc. 98-18, 195 (1999).
11. J. T. Trexler, S. J. Miller, P. H. Holloway, and M. A. Khan, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 819 (1996).
12. T. Kim, J. Khim, S. Chae, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 427 (1997).
13. C. Kim et al., Phys. Rev. B 64, 113302 (2001).
14. J. K. Kim, J.-L. Lee, J. W. Lee, H. E. Shin, Y. J. Park, and T. Kim, Appl. Phys. Lett. 73, 2953 (1998).
15. J. K. Kim, J.-L. Lee, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. Kim, Electron. Lett. 35, 1676 (1999).
16. J. K. Kim, K. J. Kim, B. Kim, J. N. Kim, J. S. Kwak, Y. J. Park, and J.-L. Lee, J. Electron. Mater. 30, 129 (2001).
17. B. A. Hull, Ph.D. thesis, The Pennsylvania State University, 2004.
18. T. Li et al., IEEE J. Quantum Electron. 37, 538 (2001).
19. B. A. Hull, S. E. Mohney, U. Chowdhury, and R. D. Dupuis, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 654 (2004).
20. E. T. Yu, X. Z. Dang, P. M. Asbeck, S. S. Lau, and G. J. Sullivan, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1742 (1999).
21. R Bernardini, V. Fiorentini. and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
22. A. Bykhovski, B. Gelmont, and M. Shur, J. Appl. Phys. 74, 6734 (1993).
23. S. J. Pearton and F. Ren, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 12, 1571 (2000).
24. H. Xing et al., J. Phys.: Condens. Matter 13, 7139 (2001).
25. E. T. Yu, G. J. Sullivan, P. M. Asbeck, C. D. Wang, D. Qiao, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett. 71, 2794 (1997).
26. J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 77, 250 (2000).
27. R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 560 (2001).
28. S. C. Binari, P. B. Klein, and T. E. Kazior, Proc. IEEE 90, 1048 (2002).
29. T. Mizutani, Y. Ohno, M. Akita, S. Kishimoto, and K. Maezawa, Phys. Status Solidi A 194, 447 (2002).
30. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000).
31. A. V. Vertiatchikh, L. F. Eastman, W. J. Schaff, and T. Prunty, Electron. Lett. 38, 388 (2002).