Impact of virtual substrate growth on high performance strained Si/SiGe double quantum well metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 10, 2003, Pages 6855-6863

  Olsen, S H ^a   O'Neill, A G ^a   Chattopadhyay, S ^a   Kwa, K S K ^a   Driscoll, L S ^a   Zhang, J ^b   Robbins, D J ^c   Higgs, V ^d  

^a NEWCASTLE UNIVERSITY   (United Kingdom)

^b IMPERIAL COLLEGE LONDON   (United Kingdom)

^c QINETIQ   (United Kingdom)

^d Accent Optical Technologies   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; GROWTH (MATERIALS); HETEROJUNCTIONS; HIGH TEMPERATURE APPLICATIONS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SURFACE ROUGHNESS;

DRAIN CURRENT; STRAIN RELAXATION;

MOSFET DEVICES;

EID: 0344084121     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1619197     Document Type: Article

References (35)

1. J. R. Brews, W. Fichtner, E. H. Nicollian, and S. M. Sze, IEEE Electron Device Lett. 1, 2 (1980).
2. S. J. Fang, W. Chen, R. Yamanaka, and C. R. Helms, J. Electrochem. Soc. 144, 2886 (1997).
3. R. People, IEEE J. Quantum Electron. 22, 1696 (1986).
4. M. V. Fischetti and S. E. Laux, J. Appl. Phys. 80, 2234 (1996).
5. F. K. LeGoues, R. Rosenberg, T. Ngugen, F. Himpsel, and B. S. Meyerson, J. Appl. Phys. 65, 1724 (1989).
6. I. S. Goh, J. F. Zhang, S. Hall, W. Eccleston, and K. Werner, Semicond. Sci. Technol. 10, 818 (1995).
7. S. G. Badcock, A. G. O'Neill, and E. G. Chester, Solid-State Electron. 46, 1925 (2002).
8. J. P. Dismukes, L. Ekstrom, and R. J. Paff, J. Phys. Chem. 68, 3021 (1964).
9. K. Rim, S. Koester, M. Hargrove, J. Chu, P. M. Mooney, J. Ott, T. Kanarsky, P. Ronsheim, M. Ieong, A. Grill, and H.-S. P. Wong, Symp. VLSI Tech. 59 (2001).
10. M. T. Currie, C. W. Leitz, T. A. Langdo, G. Taraschi, and E. A. Fitzgerald, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2268 (2001).
11. S. H. Olsen, A. G. O'Neill, D. J. Norris, A. G. Cullis, K. Fobelets, and K. Kemhadjian, Solid-State Electron. 47, 1289 (2003).
12. H. Daembkes, H. Herzog, H. Jorke, H. Kibbel, and E. Kaspar, IEEE Trans. Electron Devices 33, 633 (1986).
13. J. W. P. Hsu, E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, P. J. Silverman, and M. J. Cardillo, Appl. Phys. Lett. 61, 1293 (1992).
14. S. Y. Shiryaev, F. Jensen, and J. W. Petersen, Appl. Phys. Lett. 64, 3305 (1994).
15. S. H. Olsen, A. G. O'Neill, D. J. Norris, A. G. Cullis, N. J. Woods, J. Zhang, K. Fobelets, and H. A. Kemhadjian, Semicond. Sci. Technol. 17, 655 (2002).
16. K. Ismail and B. S. Meyerson, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 6, 306 (1995).
17. A. J. Pidduck, D. J. Robbins, D. Wallis, G. M. Williams, A. C. Churchill, J. P. Newey, C. Crumpton, and P. W. Smith, Proc. Microscopy Semicond. Mater. 157, 135 (1997).
18. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118 (1974).
19. K. Ismail, F. K. LeGoues, K. L. Saenger, M. Arafa, J. O. Chu, P. M. Mooney, and B. S. Meyerson, Phys. Rev. Lett. 73, 3447 (1994).
20. R. M. Feenstra and M. A. Lutz, J. Appl. Phys. 78, 6091 (1995).
21. J. C. Bean, L. C. Feldman, A. T. Fiory, S. Nakahara, and I. K. Robinson, J. Vac. Sci. Technol. A 2, 436 (1984).
22. K. K. Ng and W. T. Lynch, IEEE Trans. Electron Devices 34, 503 (1987).
23. H. Klauk, T. N. Jackson, S. F. Nelson, and J. O. Chu, Appl. Phys. Lett. 68, 1975 (1996).
24. T. E. Whall and E. H. C. Parker, Thin Solid Films 368, 297 (2000).
25. M. J. Palmer, G. Braithwaite, T. J. Grasby, P. J. Phillips, M. J. Prest, E. H. C. Parker, T. E. Whall, C. P. Parry, A. M. Waite, A. G. R. Evans, S. Roy, J. R. Watling, S. Kaya, and A. Asenov, Appl. Phys. Lett. 78, 1424 (2001).
26. A. G. O'Neill, P. Routley, P. K. Gurry, P. A. Clifton, H. Kemhadjian, J. Fernandez, A. G. Cullis, and A. Benedetti, Semicond. Sci. Technol. 14, 784 (1999).
27. A. G. O'Neill and D. A. Antoniadis, IEEE Trans. Electron Devices 43, 911 (1996).
28. K. S. K. Kwa, S. Chattopadhyay, N. D. Jankovic, S. H. Olsen, L. S. Driscoll, and A. G. O'Neill, Semicond. Sci. Technol. 18, 82 (2003).
29. E. A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, M. L. Green, D. Brasen, A. R. Kortan, J. Michel, Y.-J. Mii, and B. E. Weir, Appl. Phys. Lett. 59, 811 (1991).
30. 30 MEDICI 2D device simulation software, Avantil Corp., Fremont, CA.
31. J. P. Dismukes, L. Ekstrom, E. F. Steigmeiter, I. Kudman, and D. S. Beers, J. Appl. Phys. 35, 2899 (1964).
32. B. M. Tenbroek, M. S. L. Lee, W. Redman-White, J. T. Bunyan, and M. J. Uren, IEEE Trans. Electron Devices 43, 2240 (1996).
33. V. Higgs, X. Wang, C. J. Vineis, H. Badawi, and M. T. Bulsara, Proc. ICSi3 270 (2003).
34. T. Ohmi, K. Kotani, A. Teramoto, and M. Miyashita, IEEE Electron Device Lett. 12, 652 (1991).
35. N. J. Woods, G. Breton, H. Graoui, and J. Zhang, J. Cryst. Growth 227, 735 (2001).