Effects of Mg accumulation on chemical and electronic properties of Mg-doped p-type GaN surface

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 1, 2003, Pages 431-436

  Hashizume, Tamotsu ^a  

^a HOKKAIDO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; COMPOSITION EFFECTS; ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE; MAGNESIUM PRINTING PLATES; PLASMA APPLICATIONS; RAMAN SCATTERING; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; SEMICONDUCTOR DOPING; SURFACE TREATMENT; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ACCUMULATION EFFECTS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0041339898     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1580195     Document Type: Article

References (37)

1. F. A. Reboredo and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 82, 1887 (1999).
2. Z. Liliental-Weber, M. Benemara, W. Swider, J. Washbum, I. Grzegory, S. Porowski, D. J. H. Lambert, C. J. Eiting, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 75, 4159 (1999).
3. P. Vennegues, M. Benaissa, B. Beaumont, E. Feltin, P. D. Mierry, S. Dalmasso, M. Leroux, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 77, 880 (2000).
4. G. Martinez-Criado, A. Gros, A. Cantarero, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 88, 3470 (2000).
5. Z. Liliental-Weber, J. Jasinski, M. Benemara, I. Grzegory, S. Porowski, D. J. H. Lambert, C. J. Eiting, and R. D. Dupuis, Phys. Status Solidi B 228, 345 (2001).
6. T. S. Chang, S. V. Novikov, C. T. Foxon, and J. W. Orton, Solid State Commun. 109, 439 (1999).
7. A. J. Ptak, T. H. Myers, L. T. Romano, C. G. Van de Walle, and J. E. Northrup, Appl. Phys. Lett. 78, 285 (2001).
8. C. I. Wu and A. Kahn, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2218 (1998).
9. C. I. Wu and A. Kahn, J. Appl. Phys. 86, 3209 (1999).
10. P. J. Hartlieb, A. Roskowski, R. F. Davis, A. Platow, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 91, 732 (2002).
11. M.-H. Kim, S.-N. Lee, C. Huh, S. Y. Park, J. Y. Han, J. M. Seo, and S.-J. Park, Phys. Rev. B 61, 10966 (2000).
12. L. T. Romano, M. Kneissl, J. E. Northrup, C. G. Van de Walle, and D. W. Treat, Appl. Phys. Lett. 79, 2734 (2001).
13. Y. Nakano and T. Jinbo, J. Appl. Phys. 92, 5590 (2002).
14. J.-L. Lee and J. K. Kim, J. Electrochem. Soc. 147, 2297 (2000).
15. I. Waki, H. Fujioka, K. Ono, M. Oshima, H. Miki, and A. Fukizawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 4451 (2000).
16. Y.-J. Lin, C.-D. Tsai, Y.-T. Lyu, and C.-T. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 687 (2000).
17. T. Hashizume, S. Ootomo, S. Oyama, M. Konishi, and H. Hasegawa, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1675 (2001).
18. T. Hashizume, R. Nakasaki, S. Ootomo, S. Oyama, and H. Hasegawa, Mater. Sci. Eng., B 80, 309 (2001).
19. J. R. Waldrop and R. W. Grant, Appl. Phys. Lett. 68, 2879 (1996).
20. V. M. Bermudez, J. Appl. Phys. 80, 1190 (1996).
21. S. S. Dhesi, C. B. Stagarescu, K. E. Smith, D. Doppalapudi, R. Singh, and D. Moustakas, Phys. Rev. B 56, 10271 (1997).
22. W. E. Spicer, Z. Liliental-Weber, E. Weber, N. Newman, T. Kedelewicz, R. Cao, C. McCants, P. Mahowald, K. Miyano, and I. Lindau, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1245 (1988).
23. W. Walukiewicz, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1257 (1988).
24. H. Hasegawa and H. Ohno, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 1130 (1986).
25. J. Tersoff, Phys. Rev. B 32, 6968 (1985).
26. W. Mönch, Appl. Surf. Sci. 117/118, 380 (1997).
27. J. Asmussen, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 883 (1989).
28. M. Matsuoka and K. Ono, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 25 (1988).
29. G. W. Gibson, Jr., H. H. Sawin, I. Tepermeister, D. E. Ibbotson, and J. T. C. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2333 (1994).
30. P. J. Ziemann and A. W. Castleman, Jr., Phys. Rev. B 44, 6488 (1991).
31. M. M. Sung, J. Ahn, V. Bykov, J. W. Rabalais, D. D. Koleske, and A. E. Wickenden, Phys. Rev. B 54, 14652 (1996).
32. O. Ambacher, H. Angerer, R. Dimitrov, W. Rieger, M. Stutzmann, G. Dollinger, and A. Bergmaier, Phys. Status Solidi A 159, 105 (1997).
33. M. A. Rana, H. W. Choi, M. B. H. Breese, T. Osipowicz, S. J. Chua, and F. Watt, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 743, L 11.28.1 (2003).
34. W. E. Packard, J. D. Dow, K. Doverspike, R. Kaplan, and R. Nicolaides, J. Mater. Res. 12, 646 (1997).
35. T. Hashizume and R. Nakasaki, Appl. Phys. Lett. 80, 4564 (2002).
36. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 50, 8086 (1994).
37. C. G. Van de Walle, C. Stampfl, and J. Neugebauer, J. Cryst. Growth 189/190, 505 (1998).