Modeling and characterization of direct tunneling hole current through ultrathin gate oxide in p-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 25, 2001, Pages 4034-4036

  Hou, Y T ^a   Li, M F ^a   Lai, W H ^a   Jin, Y ^b  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0040158745     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1379786     Document Type: Article

References (28)

1. Y. Taur, D. A. Buchanan, W. Chen, D. J. Frank, K. E. Ismail, S.-H. Lo, G. A. Sai-Halasz, R. G. Viswanathan, H.-J. C. Wann, S. J. Wind, and H.-S. Wong, Proc. IEEE 85, 486 (1997).
2. S.-H. Lo, D. A. Buchanan, Y. Taur, and W. Wang, IEEE Electron Device Lett. 18, 209 (1997).
3. E. Cassan, J. Appl. Phys. 87, 7931 (2000).
4. F. Rana, S. Tiwari, and D. A. Buchanan, Appl. Phys. Lett. 69, 1104 (1996).
5. L. F. Register, E. Rosenbaum, and K. Yang, Appl. Phys. Lett. 74, 457 (1999).
6. N. Yang, W. K. Henson, J. R. Hauser, and J. J. Wortman, IEEE Trans. Electron Devices 46, 1464 (1999).
7. Khairurrijal, W. Mizubayashi, S. Miyazaki, and M. Hirose, J. Appl. Phys. 87, 3000 (2000).
8. W. C. Lee and C. Hu, Technical Digest of the 2000 Symposium on VLSI technology, 198 (2000).
9. J. Cai and C. T. Sah, J. Appl. Phys. 89, 2272 (2001).
10. A. Ghetti, C. T. Lin, M. Mastrapasqua, and E. Sangiorgi, Solid-State Electron. 44, 1523 (2000).
11. Y. Shi, T. P. Ma, S. Prasad, and S. Dhanda, IEEE Trans. Electron Devices 45, 2355 (1998).
12. W. C. Lee, T. J. King, and C. Hu, IEEE Electron Device Lett. 20, 268 (1999).
13. K. N. Yang, H. T. Huang. M. C. Chang, C. M. Chu, Y. S. Chen, M. J. Chen, Y. M. Lin, M. C. Yu, S. M. Jang, D. C. H. Yu, and M. S. Liang, IEEE Trans. Electron Devices 47, 2161 (2000).
14. K. N. Yang, H. T. Huang, M. J. Chen, Y. M. Lin, M. C. Yu, S. M. Ang, C. H. Yu, and M. S. Liang, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 39, 679 (2000).
15. S. Jallepalli, J. Bude, W.-K. Shih, M. R. Pinto, C. M. Maziar, and A. F. Tasch, IEEE Trans. Electron Devices 44, 297 (1997).
16. S. Rodriguez, J. A. Lopez-Villaneuva, I. Melchor, and J. E. Carceller, J. Appl. Phys. 86, 438 (1999).
17. Y. T. Hou and M. F. Li, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L144 (2001).
18. C.-Y. Hu, S. Banerjee, K. Sadra, B. G. Streetman, and R. Sivan. IEEE Electron Device Lett. 17, 276 (1996).
19. Y. T. Hou and M. F. Li, IEEE Trans. Electron Devices (in press).
20. F. Stern, Phys. Rev. B 5, 4891 (1972).
21. H. H. Mueller and M. J. Schulz, IEEE Trans. Electron Devices 44, 1539 (1997).
22. W.-K. Shih, E. X. Wang, S. Jallepalli, F. Leon, C. M. Maziar, and A. F. Tasch, Solid-State Electron. 42, 997 (1998).
23. L. D. Landau and E. M. Lifshitz, Quantum Mechanics, Sec. 48 (Pergamon, Oxford, 1958).
24. H. Guan, M. F. Li, Y. T. He, B. J. Cho, and Z. Dong, IEEE Trans. Electron Devices 47, 1608 (2000).
25. R. K. Chanana, K. McDonald, D. D. Ventra, S. T. Pantelides, G. Y. Chung, C. C. Tin, J. R. Williams, and R. A. Weller, Appl. Phys. Lett. 77, 2560 (2000).
26. Y. C. Chang, Phys. Rev. B 25, 605 (1982).
27. L. B. Freeman and W. E. Dahlke, Solid-State Electron. 13, 1483 (1970).
28. P. M. Schneider and W. B. Fowler, Phys. Rev. Lett. 36, 425 (1976).