Competition between band gap and yellow luminescence in undoped GaN grown by MOVPE on sapphire substrate

Journal of Crystal Growth

Volumn 222, Issue 1-2, 2001, Pages 96-103

  Xu, H Z ^a,b,c   Bell, A ^c   Wang, Z G ^a   Okada, Y ^b   Kawabe, M ^b   Harrison, I ^c   Foxon, C T ^c  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

^b UNIVERSITY OF TSUKUBA   (Japan)

^c UNIVERSITY OF NOTTINGHAM   (United Kingdom)

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ENERGY GAP; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; NITRIDES; PHOTOLUMINESCENCE; SAPPHIRE; SEMICONDUCTOR GROWTH; THERMAL EFFECTS;

GALLIUM NITRIDE;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0035156133     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00927-1     Document Type: Article

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