Effect of growth interruption and the introduction of H2 on the growth of InGaN/GaN multiple quantum wells

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 18, Issue 6, 2000, Pages 2631-2634

  Moon, Yong Tae ^a   Kim, Dong Joon ^a   Song, Keun Man ^a   Kim, Dong Wan ^a   Yi, Min Su ^a   Noh, Do Young ^a   Park, Seong Ju ^a  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ETCHING; HYDROGEN; LIGHT EMITTING DIODES; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SEMICONDUCTOR LASERS;

BARRIER LAYERS;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 0034315084     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1327298     Document Type: Article

References (37)

1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
2. J. Dalfors, J. P. Bergman, P. O. Holtz, B. E. Sernelius, B. Monemar, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 74, 3299 (1999).
3. K. Uchida, T. Tang, S. Goto, T. Mishima, and A. Niwa, Appl. Phys. Lett. 74, 1153 (1999).
4. R. W. Martin, P. G. Middleton, and K. P. O'Donnell, Appl. Phys. Lett. 74, 263 (1999).
5. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 2822 (1997).
6. Y. H. Kwon, G. H. Gainer, S. Bidnyk, Y. H. Cho, J. J. Song, M. Hansen, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 75, 2545 (1999).
7. C. A. Parker, J. C. Roberts, S. M. Bedair, M. J. Reed, S. X. Liu, N. A. El-Masry, and L. H. Robins, Appl. Phys. Lett. 75, 2566 (1999).
8. C. Manz, M. Kunzer, H. Obloh, A. Ramakrishnan, and U. Kaufmann, Appl. Phys. Lett. 74, 3993 (1999).
9. T. Matsuoka, N. Yoshimoto, T. Sasaki, and A. Katsui, J. Electron. Mater. 21, 157 (1992).
10. S. Keller, B. P. Keller, D. Kapolnek, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, I. K. Shmagin, R. M. Kolbas, and S. Krishnankutty, J. Cryst. Growth 170, 349 (1997).
11. M. Shimizu, Y. Kawaguchi, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Solid-State Electron. 41, 145 (1997).
12. W. Van der Stricht, K. Jacobs, I. Moerman, P. Demeester, L. Considine, E. J. Thrush, J. A. Crawley, and P. Ruterana, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 107 (1998).
13. H. Lu, M. Thothathiri, Z. Wu, and I. Bhat. J. Electron. Mater. 26, 281 (1997).
14. B. Gil, Group III Nitride Semiconductor Compounds: Physics and Applications (Clarendon, Oxford, 1998).
15. T. Mozume, H. Kashima, K. Hosomi, K. Ouchi, H. Sato, H. Masuda, and T. Tanoue, J. Cryst. Growth 150, 591 (1995).
16. J. R. Botha and A. W. R. Leitch, J. Cryst. Growth 169, 629 (1996).
17. W. C. H. Choy, P. J. Hughes, B. L. Weiss, E. H. Li, K. Hong, and D. Pavlidis, Appl. Phys. Lett. 72, 338 (1998).
18. E. Chirlias, J. Massies, J. L. Guyaux, H. Moisan, and J. C. Garcia, Appl. Phys. Lett. 74, 3972 (1999).
19. F. E. G. Guimarães, P. P. Gonzãlez-Borrero, D. Lubyshev, and P. Basmaji, Solid-State Electron. 40, 659 (1996).
20. K. Uchida, M. Kawata, T. Yang, A. Miwa, and J. Gotoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L571 (1998).
21. S. Perkowitz, Optical Characterization of Semiconductors: Infrared, Raman, and Photoluminescence Spectroscopy (Academic, San Diego, 1993).
22. J. R. Jensen, J. M. Hvam, and W. Langbein, J. Appl. Phys. 86, 2584 (1999).
23. R. Kaspi and K. R. Evans, Appl. Phys. Lett. 67, 819 (1995).
24. C. Kisielowski, Z. L. Weber, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 6932 (1997).
25. F. E. G. Guimarães, P. P. González-Borrero, D. Lubyshev, and P. Basmaji, Solid-State Electron. 40, 659 (1996).
26. H. Chen, A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, and J. E. Northrup, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 451, 695 (1999).
27. N. Grandjean, J. Massies, S. Dalmasso, P. Vennéguès, L. Siozade, and L. Hirsch, Appl. Phys. Lett. 74, 3616 (1999).
28. Y. T. Moon, D. J. Kim, K. M. Song, C. J. Choi, S. H. Han, T. Y. Seong, and S. J. Park (unpublished).
29. K. C. Zeng, M. Smith, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 73, 1724 (1998).
30. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, S. Nagahama, and N. Iwasa, J. Appl. Phys. 74, 3911 (1993).
31. A. Ramakrishnan, J. Wagner, M. Kunzer, H. Obloh, K. Kohler, and B. Johs, Appl. Phys. Lett. 76, 79 (2000).
32. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L382 (1997).
33. H. Jiang, M. Minsky, S. Keller, E. Hu, J. Singh, and S. P. DenBaars, IEEE J. Quantum Electron. 35, 1483 (1999).
34. S. L. Chuang, Physics of Optoelectronic Devices (Wiley, New York, 1995).
35. E. L. Piner, M. K. Behbehani, N. A. El-Masry, J. C. Roberts, F. G. McIntosh, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 71, 2023 (1997).
36. E. L. Piner, M. K. Behbehani, N. A. El-Masry, F. G. McIntosh, J. C. Roberts, K. S. Boutros, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 70, 461 (1997).
37. O. Ambacher, H. Angerer, R. Dimitrov, W. Rieger, M. Stutzmann, G. Dollinger, and A. Bergmaier, Phys. Status Solidi A 159, 105 (1997).