InGaN/GaN/AlGaN-based LEDs and laser diodes

Materials Research Society Symposium - Proceedings

Volumn 537, Issue , 1999, Pages

  Nakamura, S ^a   Senoh, M ^a   Nagahama, S ^a   Iwasa, N ^a   Matushita, T ^a   Mukai, T ^a  

^a NICHIA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPOSITION; CURRENT DENSITY; EPITAXIAL GROWTH; LEAKAGE CURRENTS; LIGHT EMITTING DIODES; SAPPHIRE; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR LASERS; SUBSTRATES; THICKNESS CONTROL;

COMPOSITION FLUCTUATION; FREE CARRIERS; NONRADIATIVE RECOMBINATION; RADIATIVE RECOMBINATION; THREADING DISLOCATIONS; THRESHOLD CURRENT DENSITY;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 0033323378     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (26)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., 34, L1332 (1995).
2. T. Mukai, D. Morita, and S. Nakamura, J. Crystal Growth, 189/190, 778 (1998).
3. T. Mukai, H. Narimatsu, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., 37, L479 (1998).
4. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Y., 1996, Jpn. J. Appl. Phys., 35, L74 (1996).
5. S. Nakamura, and G. Fasol, The Blue Laser Diode, (Springer-Verlag, Heidelberg, 1997).
6. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett., 66, 1249 (1995).
7. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., 36, L899 (1997).
8. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. Zheleva, and R. F. Davis, R. F., 1997, Appl. Phys. Lett., 71, 2638(1997).
9. T. Mukai, K. Takekawa, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., 37, L839 (1998).
10. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, K., J. Crystal Growth, 189/190, 820 (1998); Appl. Phys. Lett., 72, 211 (1998); Jpn. J. Appl. Phys., 37, L627 (1998).
11. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, K., Jpn. J. Appl. Phys., 37, L309 (1998); Appl. Phys. Lett., 72,2014 (1998).
12. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett., 69,4188 (1996).
13. Y. Narukawa, Y. Kawakami, Sz. Fujita, Sg. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B55, 1938R (1997).
14. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, Sz. Fujita, Sg. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70,981 (1997).
15. S. Nakamura, Science, 281, 956 (1998).
16. S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Ludowise, G. Girolami, and H. I. Erikson, Appl. Phys. Lett., 70,420(1997).
17. T. Sugahara, H. Sato, M. Hao, Y. Naoi, S. Kurai, S. Tottori, K. Yamashita, K. Nishino, L. T. Romano, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., 37, L398 (1998).
18. S. Chichibu, K. Wada, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett., 71, 2346 (1997).
19. C. Sasaoka, H. Sunakawa, A. Kimura, M. Nido, A. Usui, and A. Sakai, J. Crystal Growth, 189/190, 61 (1998).
20. K. Osamura, S. Naka, and Y. Murakami, J. Appl. Phys., 46, 3432 (1975).
21. H. Amano, T. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, and I. Akasaki, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 449, 1143(1997).
22. M. D. McCluskey, C. G. Van de Walle, C. P. Master, L. T. Romano, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett., 72, 2725 (1998).
23. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett., 70, 2822 (1997).
24. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., 36, L382 (1997).
25. M. B. Nardelli, K. Rapcewicz, and J. Bernholc, Appl. Phys. Lett., 71, 3135 (1997).
26. J. S. Im, H. Kollmer, J. Off, A. Sohmer, F. Scholz, and A. Hangleiter, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 482, 513 (1998).