New development in covalently bonded carbon nitride and related materials

Advanced Materials

Volumn 11, Issue 13, 1999, Pages 1129-1133

  Wang, En Ge ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL BONDS; ELECTRIC PROPERTIES; HARDNESS; NITRIDES; THERMODYNAMIC PROPERTIES;

COVALENTLY BONDED MATERIALS;

CARBON INORGANIC COMPOUNDS;

EID: 0032685458     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/(SICI)1521-4095(199909)11:13<1129::AID-ADMA1129>3.0.CO;2-9     Document Type: Article

References (55)

1. For a recent review see E. G. Wang. Prog. Mater. Sci. 1997, 41, 241.
2. M. L. Cohen, Phys. Rev. B 1985, 32, 1988. M. L. Cohen, Science 1989, 245, 84. M. L. Cohen, Nature 1989, 338, 291.
3. M. L. Cohen, Phys. Rev. B 1985, 32, 1988. M. L. Cohen, Science 1989, 245, 84. M. L. Cohen, Nature 1989, 338, 291.
4. M. L. Cohen, Phys. Rev. B 1985, 32, 1988. M. L. Cohen, Science 1989, 245, 84. M. L. Cohen, Nature 1989, 338, 291.
5. S. Vepřek, Z. Phys. Chem. 1973, 86, 95.
6. J. J. Cuomo, P. A. Leary, D. Yu, W. Reuter, M. Frisch, J. Vac. Sci. Technol. 1979, 16, 299.
7. H. X. Man, B. J. Feldman, Solid. State Commun. 1988, 65, 921.
8. J. Peng, Y. F. Zhang, S. Z. Yang, G. H. Chen, Mater. Lett. 1996, 27, 125.
9. L. A. Bursill, P. J. Lin, V. N. Gurarie, A. V. Orlov, S. Prawer, J. Mater. Res. 1995, 10, 2277.
10. K. M. Yu, M. L. Cohen, E. E. Haller, W. L. Wansen, A. Y. Liu, I. C. Wu, Phys. Rev. 1994, B49, 5034.
11. T. Okada, S. Yamada, Y. Takluchi, T. Wada, J. Appl. Phys. 1995, 78, 7416.
12. Y. Li, Z. B. Zhang, S. S. Xie, G. Z. Yang, Chem. Phys. Lett. 1995, 247, 253.
13. H. Sjostrom, I. Ivanov, M. Johansson, L. Hultman, J.E. Sundgren, S. V. Hainswith, T. F. Page, L. R. Wallenberg, Thin Solid Films 1994, 246, 103.
14. C. M. Niu, Y. Z. Lu, C. M. Lieber, Science 1993, 261, 334.
15. Z. J. Zhang, S. Fan, C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 1995, 66, 3582.
16. T. Y. Yen, C. P. Chou, Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 2801.
17. T. Y. Yen, C. P. Chou, Solid State Commun. 1995, 95, 281.
18. S. Vepcheckrek, J. Weidmann, F. Glatz, J. Vac. Sci. Technol. A 1995, 13, 2914.
19. D. M. Bhusari, C. K. Chen, K. H. Chen, T. J. Chuang, L. C. Chen, M. C. Lin, J. Mater. Res. 1997, 12, 322.
20. F. Fujimoto, K. Ogata, Jpn. J. Appl Phys. 1993, 32, L420.
21. K. Ogata, J. F. D. Chubaci, F. Fujimoto, J. Appl. Phys. 1994, 76, 3791.
22. Y. Chen, E. G.Wang, L. P. Guo, Chinese Patent no. 96 1032299.5, 1996.
23. E. G. Wang, Y. Chen, L. P. Guo, Phys. Scr. 1997, T46, 108.
24. Y. Chen, L. P. Guo, F. Chen, E. G. Wang, J. Phys.: Condens. Matter 1996, 8, L685.
25. Y. Chen, L. P. Guo, E. G. Wang, Philos. Mag. Lett. 1997, 75, 155.
26. A. Y. Liu, M. L. Cohen, Phys. Rev. 1990, B1, 10727.
27. D. M. Teter, R. J. Hemley, Science 1996, 271, 53.
28. Y. Chen, L. P. Guo, E. G. Wang, J. Mater. Sci. Lett. 1997, 16, 594.
29. Y. Chen, L. P. Guo, E. G. Wang, J. Cryst. Growth 1997, 179, 515.
30. T. Werninghaus, D. R. T. Zahn, E. G. Wang, Y. Chen, Diamond Relat. Mater. 1998, 7, 52.
31. J. D. Guo, Y. A. Li, R. W. Zhao, E. G. Wang, Acta Metallurgica Sinica 1999, 35, 439.
32. F. Fujimoto, K. Ogata, Jpn. J. Appl. Phys. 1993, 32, 420.
33. H. Sjostrom, M. Boman, S. Stafstrom, J. E. Sundgren, Phys. Rev. Lett. 1995, 75, 1336.
34. Z. J. Zhang, J. L. Huang, S. S. Fan, C. M. Lieber, Mater. Sci. Eng. A 1996, 209, 5.
35. D. Y. Lin, C. F. Li, Y. S. Huang, Y. C. Jong, Y. F. Chen, C. K. Chen, K. H. Chen, D. M. Bhusari, Phys. Rev. B 1997, 56, 6498.
36. J. Chen, N. S. Xu, E. G. Wang, D. H. Chen, A. X. Wei, Chin. Phys. Lett. 1998, 15, 539.
37. D. Wu, D. Fu, H. Guo, Z. Zhang, X. Meng, X. Fan, Phys. Rev B 1997, 56, 4949.
38. A. Y. Liu, M. L. Cohen, Science 1989, 245, 841.
39. A. Y. Liu, R. M. Wentzcovitch, Phys. Rev. A 1994, 50, 10362.
40. H. Yao, W. Y. Ching, Phys. Rev. B 1994, 50, 11 231.
41. J. L. Corkill, M. L. Cohen, Phys. Rev. B 1993, 48, 17 622.
42. J. V. Badding, D. C. Nesting, Chem. Mater. 1996, 8, 535.
43. F. Weich, J. Widany, T. Frauenheim, Phys. Rev. Lett. 1997, 78, 3326.
44. J. Widany, F. Weich, T Kohler, D. Porezag, T. Frauenheim, Diamond Relat. Mater. 1996, 5, 1031.
45. L. P. Guo, Y. Chen, E. G. Wang, Z. X. Zhao, L. Li, J. Cryst. Growth 1997, 178, 639.
46. L. P. Guo, Y. Chen, E. G. Wang, Z. X. Zhao, L. Li, Chem. Phys. Lett. 1997, 268, 26.
47. K. H. Wu, E. G. Wang, J. Qing, G. C. Xu, J. Appl. Phys. 1998, 83, 1702.
48. M. P. Johansson, T. Berlind, N. Hellgren, P. Sandstrom, L. Hultman, J. E. Sundgren, MRS Proc. 1997, 549.
49. E. G. Wang, C. Z. Wang, C. F. Chen, Y. Chen, MRS Proc. 1997, 498, 301. C. Z. Wang, E. G. Wang, Q. Y. Dai, J. Appl. Phys. 1998, 83, 1975. Z. Gong, E. G. Wang, G. C. Xu, Y. Chen, Thin Solid Films 1999, 348, 114.
50. E. G. Wang, C. Z. Wang, C. F. Chen, Y. Chen, MRS Proc. 1997, 498, 301. C. Z. Wang, E. G. Wang, Q. Y. Dai, J. Appl. Phys. 1998, 83, 1975. Z. Gong, E. G. Wang, G. C. Xu, Y. Chen, Thin Solid Films 1999, 348, 114.
51. E. G. Wang, C. Z. Wang, C. F. Chen, Y. Chen, MRS Proc. 1997, 498, 301. C. Z. Wang, E. G. Wang, Q. Y. Dai, J. Appl. Phys. 1998, 83, 1975. Z. Gong, E. G. Wang, G. C. Xu, Y. Chen, Thin Solid Films 1999, 348, 114.
52. K. Suenaga, C. Colliex, N. Demoncy, A. Loiseau, H. Pascard, F. Willaime, Science 1997, 278, 653.
53. J. Yu, E. G. Wang, G. C. Xu, Chem. Phys. Lett. 1998, 292, 531. J. Yu, E. G. Wang, Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 2948.
54. J. Yu, E. G. Wang, G. C. Xu, Chem. Phys. Lett. 1998, 292, 531. J. Yu, E. G. Wang, Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 2948.
55. M. K. Keshavarz, R. Gonzalez, R. G. Hicks, G. Srdanov, V. I. Srdanov, T. G. Collins, J. C. Hummelen, C. Bellavia-Lund, J. Pavlovich, F. Wudl, K. Holczer, Nature 1996, 383, 147.