Chalcogenide passivation of III-V semiconductor surfaces

Semiconductors

Volumn 32, Issue 11, 1998, Pages 1141-1156

  Bessolov, V N ^a   Lebedev, M V ^a  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000018767     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1187580     Document Type: Review

References (194)

1. A. M. Green and W. E. Spicer, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1061 (1993).
2. D. L. Lile, Technologies for Optoelectronics, SPIE 869, 107 (1987).
3. P. Viktorovitch, Rev. Phys. Appl. 25, 895 (1990).
4. P. Viktorovitch, M. Gendry, S. K. Krawczyk, F. Krafft, P. Abraham, A. Bekkaoni, and Y. Monteil, Appl. Phys. Lett. 58, 2387 (1991).
5. M. Kasu, T. Makimoto, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 68, 955 (1996).
6. P. R. Varekamp, M. C. Håkansson, J. Kanski, D. K. Shuh, M. Björkquist, M. Gothelid, W. C. Simpson, U. O. Karlsson, and Y. A. Yarmoff. Phys. Rev. B 54, 2101 (1996).
7. M. Passlack, M. Hong, J. P. Mannaerts, R. L. Opila, S. N. G. Chu, N. Moriya, F. Ren, and J. R. Kwo, IEEE Trans. Electron Devices 44, 214 (1997).
8. C. J. Sandroff, R. N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, and R. Bhat, Appl. Phys. Lett. 51, 33 (1987).
9. M. S. Carpenter, M. R. Melloch, M. S. Lundstrom, and S. P. Tobin, Appl. Phys. Lett. 52, 2157 (1988).
10. J.-F. Fan, H. Oigawa, and Y. Nannichi, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L1331 (1988).
11. H. H. Lee, R. J. Racicot, and S. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 54, 724 (1989).
12. K. C. Hwang and S. S. Li, J. Appl. Phys. 67, 2162 (1990).
13. Y. Wang, Y. Darici, and P. H. Holloway, J. Appl. Phys. 71, 2746 (1992).
14. M. G. Mauk, S. Xu, D. J. Arent, R. P. Mertens, and G. Borghs, Appl. Phys. Lett. 54, 213 (1989).
15. C. J. Sandroff, M. S. Hegde, L. A. Farrow, R. Bhat, J. P. Harbison, and C. C. Chang, J. Appl. Phys. 67, 586 (1990).
16. B. A. Kuruvilla, G. V. Ghaisas, A. Datta, S. Banerjee, and S. K. Kulkarni, J. Appl. Phys. 73, 4384 (1993).
17. Z. S. Li, W. Z. Cai, R. Z. Su, G. S. Dong, D. M. Huang, X. M. Ding, X. Y. Hou, and X. Wang, Appl. Phys. Lett. 64, 3425 (1994).
18. K. Tsuchiya, M. Sakata, A. Funyu, and H. Ikoma, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 5926 (1995).
19. A. S. Weling, K. K. Kamath, and P. R. Vaya, Thin Solid Films 215, 179 (1992).
20. S. R. Lunt, G. N. Ryba, P. G. Santangelo, and N. S. Lewis, J. Appl. Phys. 70, 7449 (1991).
21. J. F. Dorsten, J. E. Maslar, and P. W. Bohn, Appl. Phys. Lett. 66, 1755 (1995).
22. K. Asai, T. Miyashita, K. Ishigure, and S. Fukatsu, J. Appl. Phys. 77, 1582 (1995).
23. S. Weiguo, Appl. Phys. A 52, 75 (1991).
24. J. Yota and V. A. Burrows, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1083 (1993).
25. A. J. Howard, C. I. H. Ashby, J. A. Lott, R. P. Schneider, and R. F. Corless, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1063 (1994).
26. X. Y. Hou, W. Z. Cai, Z. Q. He, P. H. Hao, Z. S. Li, X. M. Ding, and X. Wang, Appl. Phys. Lett. 60, 2252 (1992).
27. V. N. Bessolov, A. F. Ivankov, E. V. Konenkova, and M. V. Lebedev, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 21, 46 (1995) [Tech. Phys. Lett. 21, 20 (1995)].
28. V. N. Bessolov, A. F. Ivankov, E. V. Konenkova, and M. V. Lebedev, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 21, 46 (1995) [Tech. Phys. Lett. 21, 20 (1995)].
29. V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, and M. V. Lebedev, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2761 (1996).
30. V. N. Bessolov, M. V. Lebedev, Yu. M. Shemyakov, and B. V. Tsarenkov, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 21, 53 (1995) [Tech. Phys. Lett. 21, 561 (1995)].
31. V. N. Bessolov, M. V. Lebedev, Yu. M. Shernyakov, and B. V. Tsarenkov, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 21, 53 (1995) [Tech. Phys. Lett. 21, 561 (1995)].
32. V. N. Bessolov, M. V. Lebedev, Yu. M. Shemyakov, and B. V. Tsarenkov, Mater. Sci. Eng., B 44, 380 (1997).
33. M. Liehr and H. Luth, J. Vac. Sci. Technol. 16, 1200 (1979).
34. J. Massies, F. Dezaly, and N. T. Linh, J. Vac. Sci. Technol. 17, 1134 (1980).
35. J. R. Waldrop, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 1197 (1985).
36. B. I. Sysoev, V. F. Antyushkin, V. D. Strygin, and V. N. Morgunov, Zh. Tekh. Fiz. 56, 913 (1986) [Sov. Phys. Tech. Phys. 31, 554 (1986)].
37. B. I. Sysoev, V. F. Antyushkin, V. D. Strygin, and V. N. Morgunov, Zh. Tekh. Fiz. 56, 913 (1986) [Sov. Phys. Tech. Phys. 31, 554 (1986)].
38. N. Barbouth, Y. Berthier, J. Oudar, J.-M. Moison, and M. Bensoussan, J. Electrochem. Soc. 133, 1663 (1986).
39. M. G. Nooney, V. Liberman, and R. M. Martin, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 1837 (1995).
40. P. Klopfenstein, G. Bastide, M. Rouzeyre, M. Gendry, and J. Durand, J. Appl. Phys. 63, 150 (1988).
41. J. S. Herman and F. L. Terry Jr., Appl. Phys. Lett. 60, 716 (1992).
42. G. Y. Gu, E. A. Ogryzlo, P. C. Wong, M. Y. Zhou, and K. A. R. Mitchell, J. Appl. Phys. 72, 762 (1992).
43. L. Koenders, M. Blomacher, and W. Mönch, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1416 (1988).
44. L. Roberts, G. Hughes, B. Fennema, and M. Carbery, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1862 (1992).
45. R. S. Bhide, S. V. Bhoraskar, and V. J. Rao, J. Appl. Phys. 72, 1464 (1992).
46. N. Yoshida, S. Chichibu, T. Akane, M. Totsuka, H. Uji, S. Matsumoto, and H. Higuchi, Appl. Phys. Lett. 63, 3035 (1993).
47. K. R. Zavadil, C. I. H. Ashby, A. J. Howard, and B. E. Hammons. J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1045 (1994).
48. V. N. Bessolov, M. V. Lebedev, E. B. Novikov, and B. V. Tsarenkov, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 10 (1993).
49. V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, and M. V. Lebedev, Mater. Sci. Eng., B 44, 376 (1997).
50. A. F. Wells, Structural Inorganic Chemistry (Clarendon Press, Oxford, 1986).
51. V. L. Berkovits, V. N. Bessolov, T. V. L'vova, E. B. Novikov, V. I. Safarov, R. V. Khasieva, and B. V. Tsarenkov, J. Appl. Phys. 70, 3707 (1991).
52. J. L. Leclercq, E. Bergignat, and G. Hollinger, Semicond. Sci. Technol. 10, 95 (1995).
53. T. Ishikawa and H. Ikoma, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 3981 (1992).
54. N. N. Berchenko and Yu. V. Medvedev, Usp. Khim. 63, 655 (1994).
55. M. S. Carpenter, M. R. Melloch, B. A. Cowans, Z. Dardas, and W. N. Delgass, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 845 (1989).
56. C. J. Sandroff, M. S. Hegde, and C. C. Chang, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 841 (1989).
57. C. J. Spindt, R. S. Besser, R. Cao, K. Miyano, C. R. Helms, and W. E. Spicer, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2466 (1989).
58. H. Sugahara, M. Oshima, H. Oigawa, H. Shigekawa, and Y. Nannichi, J. Appl. Phys. 69, 4349 (1991).
59. H. Sugahara, M. Oshima, R. Klauser, H. Oigawa, and Y. Nannichi, Surf. Sci. 242, 335 (1991).
60. J. Shin, K. M. Geib, and C. W. Wilmsen, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 2337 (1991).
61. P. Moriarty, B. Murphy, L. Roberts, A. A. Cafolla, G. Hughes, L. Koenders, and P. Bailey, Phys. Rev. B 50, 14237 (1994).
62. K. Sato, M. Sakata, and H. Ikoma, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 3354 (1993).
63. M. Sakata and H. Ikoma, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 3813 (1994).
64. J. S. Herman and F. L. Terry Jr., J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1094 (1993).
65. W. Ranke, J. Finster, and H. J. Kuhr, Surf. Sci. 187, 112 (1987).
66. T. Tiedje, K. M. Colbow, D. Rogers, Z. Fu, and W. Eberhardt, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 837 (1989).
67. V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, and M. V. Lebedev, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 876 (1997).
68. E. A. Miller and G. L. Richmond, J. Phys. Chem. B 101, 2669 (1997).
69. H. Ohno, H. Kawanishi, Y. Akagi, Y. Nakajima, and T. Hijikata, Jpn. J. Appl. Phys. 29, 2473 (1990).
70. T. Scimeca, Y. Muramatsu, M. Oshima, H. Oigawa, and Y. Nannichi, Phys. Rev. B 44, 12 927 (1991).
71. T. Ohno and K. Shiraishi, Phys. Rev. B 2, 11 194 (1990).
72. T. Ohno, Phys. Rev. B 44, 6306 (1991).
73. B. Murphy, P. Moriarty, L. Roberts, T. Cafolla, G. Hughes, L. Koenders, and P. Bailey, Surf. Sci. 317, 73 (1994).
74. Y. Takakuwa, M. Niwano, S. Fujita, Y. Takeda, and N. Miyamoto, Appl. Phys. Lett. 58, 1635 (1991).
75. M. Oshima, T. Scimeca, Y. Watanabe, H. Oigawa, and Y. Hannichi, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 518 (1993).
76. F. S. Turco, C. J. Sandroff, M. S. Hedge, and M. C. Tamargo, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 856 (1990).
77. T. Scimeca, Y. Watanabe, R. Berrigan, and M. Oshima, Phys. Rev. B 46, 10201 (1992).
78. S. Takatani, T. Kikawa, and M. Nakazawa, Phys. Rev. B 45, 8498 (1992).
79. S. A. Chambers and V. S. Sundaraman, Appl. Phys. Lett. 57, 2342 (1990).
80. K. Sato and H. Ikoma, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 921 (1993).
81. T. Scimeca, Y. Watanabe, F. Maeda, R. Berrigan, and M. Oshima, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 3090 (1994).
82. N. Shibata and H. Ikoma, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 3976 (1992).
83. C. W. Wilmsen, K. M. Geib, J. Shin, R. Iyer, D. L. Lile, and J. J. Pouch, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 851 (1989).
84. W. M. Lau, S. Jin, and X.-W Wu, and S. Ingrey, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 848 (1990).
85. C. S. Sundararaman, S. Poulin, J. F. Currie, and R. Leonelli, Can. J. Phys. 69, 329 (1991).
86. W. M. Lau, R. W. M. Kwok, and S. Ingrey, Surf. Sci. 271, 579 (1992).
87. Y. Tao, A. Yelon, E. Sacher, Z. H. Lu, and M. J. Graham, Appl. Phys. Lett. 60, 2669 (1992).
88. F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima, Appl. Phys. Lett. 62, 297 (1993).
89. T. Chasse, H. Peisert, P. Streubel, and R. Szargan, Surf. Sci. 331-333, 434 (1995).
90. Y. Fukuda, Y. Suzuki, N. Sanada, S. Sasaki, and T. Ohsawa, J. Appl. Phys. 76, 3059 (1994).
91. S. Maeyama, M. Sugiyama, S. Heun, and M. Oshima, J. Electron. Mater. 25, 593 (1996).
92. G. W. Anderson, M. C. Hanf, P. R. Norton, Z. H. Lu, and M. J. Graham, Appl. Phys. Lett. 65, 171 (1994).
93. M. Sugiyama, N. Yabumoto, S. Maeyama, and M. Oshima, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1588 (1995).
94. A. J. Nelson, S. Frigo, and R. Rosenberg, J. Appl. Phys. 71, 6086 (1992).
95. A. J. Nelson, S. Frigo, and R. Rosenberg, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1022 (1993).
96. R. W. M. Kwok and W. M. Lau, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 2515 (1992).
97. R. W. M. Kwok, G. Gin, B. K. L. So, K. C. Hui, L. Hwang, W. M. Lau, C. C. Hsu, and D. Landheer, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 652 (1995).
98. Yu. G. Galitsin, V. G. Mansurov, V. I. Poshevnev, R. A. Sokolov, and N. A. Valisheva, Poverkhnost'. Fizika, Khimiya, Mekhanika, No. 5, 108 (1992).
99. Yu. A. Kudryavtsev, E. B. Novikov, N. M. Stus', and E. I. Chaǐkina, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 26, 1742 (1992) [Sov. Phys. Semicond. 26, 975 (1992)].
100. Yu. A. Kudryavtsev, E. B. Novikov, N. M. Stus', and E. I. Chaǐkina, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 26, 1742 (1992) [Sov. Phys. Semicond. 26, 975 (1992)].
101. N. Yoshida, M. Totsuka, J. Ito, and S. Matsumoto, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 1248 (1994).
102. L. Geelhaar, R. A. Bartynski, F. Ren, M. Schnoes, and D. N. Buckley, J. Appl. Phys. 80, 3076 (1996).
103. L. Jedral, H. E. Ruda, R. Sodhi, H. Ma, and L. Mannik, Can. J. Phys. 70, 1050 (1992).
104. Z. H. Lu and M. J. Graham, J. Appl. Phys. 75, 7567 (1994).
105. Y. Fukuda, N. Sanada, M. Kuroda, and Y. Suzuki, Appl. Phys. Lett. 61, 955 (1992).
106. E. Dudzik, R. Whittle, C. Muller, I. T. McGovern, C. Nowak, A. Markl, A. Hempelmann, D. R. T. Zahn, A. Cafolla, and W. Braun, Surf. Sci. 307-309, 223 (1994).
107. H. Hirayama, Y. Matsumoto, H. Oigawa, and Y. Nannichi, Appl. Phys. Lett. 54, 2565 (1989).
108. X.-S. Wang and W. H. Weinberg, J. Appl. Phys. 75, 2715 (1994).
109. V. L. Berkovits and D. Paget, Appl. Phys. Lett. 61, 1835 (1992).
110. V. N. Bessolov, A. F. Ivankov, and M. V. Lebedev, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1018 (1995).
111. N. Yokoi, M. Taketani, H. Andoh, and M. Takai, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 7130 (1994).
112. X.-S. Wang, K. W. Self, R. Maboudian, V. Bressler-Hill, and W. H. Weinberg, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1089 (1993).
113. D. Paget, J. E. Bonnet, V. L. Berkovits. P. Chiaradia, and J. Avila, Phys. Rev. B 53, 4604 (1996).
114. S. Maeyama, M. Sugiyama, and M. Oshima, Surf. Sci. 357-358, 527 (1996).
115. S. Tsukamoto and N. Koguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 33, L1185 (1994).
116. M. D. Pashley and D. Li, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1848 (1994).
117. Y. Haga, S. Miwa, and E. Morita, Appl. Surf. Sci. 107, 58 (1996).
118. Z. H. Lu, M. J. Graham, X. H. Feng, and B. X. Yang, Appl. Phys. Lett. 60, 2773 (1992).
119. O. L. Warren, G. W. Anderson, M. C. Hauf, K. Griffits, and P. R. Norton, Phys. Rev. B 52, 2959 (1995).
120. J.-M. Jin, M. W. C. Dharma-wardana, D. J. Lockwood, G. C. Aers, Z. H. Lu, and L. J. Lewis, Phys. Rev. Lett. 75, 878 (1995).
121. Z. Tian, M. W. C. Dharma-wardana, Z. H. Lu, A. Cao, and L. J. Lewis, Phys. Rev. B 55, 5376 (1997).
122. M. W. C. Dharma-wardana, Z. Tian, Z. H. Lu, and L. J. Lewis, Phys. Rev. B 56, 10526 (1997).
123. E. Dudzik, A. Leslie, E. O'Toole, I. T. McGovern, A. Pachett, D. R. T. Zahn, J. Lüdecke, D. P. Woodruff, and B. C. C. Cowie, J. Phys.: Condens. Matter 8, 15 (1996).
124. E. Dudzik, A. Leslie, E. O'Toole, I. T. McGovern, A. Pachett, and D. R. T. Zahn, Appl. Surf. Sci. 104-105, 101 (1996).
125. B. J. Skromme, C. J. Sandroff, E. Yablonovich, and T. J. Gmitter, Appl. Phys. Lett. 51, 2022 (1987).
126. E. Yablonovitch, C. J. Sandroff, R. Bhat, and T. Gmitter, Appl. Phys. Lett. 51, 439 (1987).
127. V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, and M. V. Lebedev, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 22, 37 (1996) [Tech. Phys. Lett. 22, 749 (1996)].
128. V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, and M. V. Lebedev, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 22, 37 (1996) [Tech. Phys. Lett. 22, 749 (1996)].
129. V. N. Bessolov, M. V. Lebedev, N.-M. Binh, M. Friedrich, and D. R. T. Zahn, Semicond. Sci. Technol. 13, 611 (1998).
130. D. Paget, A. O. Gusev, and V. L. Berkovits, Phys. Rev. B 53, 4615 (1996).
131. D. Liu, T. Zhang, R. A. LaRue, J. S. Harris, and T. W. Sigmon, Appl. Phys. Lett. 53, 1059 (1988).
132. I27 J.-F. Fan, H. Oigawa, and Y. Nannichi, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L2125 (1988).
133. E. V. Venger, S. I. Kirillova, V. I. Primachenko, and V. A. Chemobaǐ, Poverkhnost'. Rentgenovskie, Sinkhrotronnye i Neǐtronnye Issledovaniya, No. 12, 59 (1996).
134. S.-F. Ren and Y.-C. Chang, Phys. Rev B 41, 7705 (1990).
135. K. N. Ow and X. W. Wang, Phys. Rev. B 54, 17 661 (1996).
136. J. Guo-Ping and H. E. Ruda, J. Appl. Phys. 79, 3758 (1996).
137. H. Ishimura, K. Sasaki, and H. Tokuda, Inst. Phys. Conf. Ser. 106, 405 (1990).
138. I. K. Hau, D. H. Woo, H. J. Kim, E. K. Kim, J. I. Lee, S. H. Kim, K. N. Kang, H. Lim, and H. L. Park, J. Appl. Phys. 80, 4052 (1996).
139. T. K. Paul and D. N. Bose, J. Appl. Phys. 70, 7387 (1991).
140. W. D. Chen, X. Q. Li, L. H. Duan, X. L. Xie, and Y. D. Cai, Appl. Surf. Sci. 100-101, 592 (1996).
141. L. A. Farrow, C. J. Sandroff, and M. C. Tamargo, Appl. Phys. Lett. 51, 1931 (1987).
142. G. P. Schwartz, and G. J. Gualtieri, J. Electrochem. Soc. 133, 1266 (1986).
143. R. S. Besser and C. R. Helms, Appl. Phys. Lett. 52, 1707 (1988).
144. H. Hasegawa, H. Ishii, T. Sawada, T. Saitoh, S. Konishi, Y. Lin, and H. Ohno, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1184 (1988).
145. V. N. Bessolov, M. V. Lebedev, and D. R. T. Zahn, J. Appl. Phys. 82, 2640 (1997).
146. V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, M. V. Lebedev, and D. R. T. Zahn, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 1350 (1997) [Semiconductors 31, 1164 (1997)].
147. V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, M. V. Lebedev, and D. R. T. Zahn, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 1350 (1997) [Semiconductors 31, 1164 (1997)].
148. V. N. Bessolov, M. V. Lebedev, A. F. Ivankov, W. Bauhofer, and D. R. T. Zahn, Appl. Surf. Sci. 133, 17 (1998).
149. T. Chasse, A. Chasse, H. Peisert, and P. Streubel, Appl. Phys. A 65, 543 (1997).
150. Y. Watanabe and F. Maeda, Appl. Surf. Sci. 117-118, 735 (1997).
151. R. N. Nottenburg, C. J. Sandroff, D. A. Humphrey, T. H. Hollenbeck, and R. Bhat, Appl. Phys. Lett. 52, 218 (1988).
152. H. L. Chuang, M. S. Carpenter, M. R. Melloch, M. S. Lundstrom, E. Yablonovitch, and T. J. Gmitter, Appl. Phys. Lett. 57, 2113 (1990).
153. A. Kapila, V. Malhotra, L. H. Camnitz, K. L. Seaward, and D. Mars, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 10 (1995).
154. S. Shikata, H. Okada, and H. Hayashi, J. Appl. Phys. 69, 2717 (1991).
155. K. C. Hwang, S. S. Li, C. Park, and T. J. Anderson, J. Appl. Phys. 67, 6571 (1990).
156. A. Y. Polyakov, M. Stam, A. G. Milnes, A. E. Bochkarev, and S. J. Pearton, J. Appl. Phys. 71, 4411 (1992).
157. H. Xu, S. Belkouch, C. Aktik, and W. Rasmussen, Appl. Phys. Lett. 66, 2125 (1995).
158. B. Rotelli, L. Tarricone, E. Gombia, R. Mosca, and M. Perotin, J. Appl. Phys. 81, 1813 (1997).
159. C. R. Moon, B.-D. Choe, S. D. Kwon, and H. Lim, J. Appl. Phys. 81, 2904 (1997).
160. J.-L. Lee, D. Kim, S. J. Maeng, H. H. Park, J. Y. Kang, and Y. T. Lee, J. Appl. Phys. 73, 3539 (1993).
161. M. S. Carpenter, M. R. Melloch, and T. E. Dungan, Appl. Phys. Lett. 53, 66 (1988).
162. B. I. Sysoev, V. D. Strygin, and G. I. Kotov, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 16, 22 (1990) [Sov. Tech. Phys. Lett. 16, 332 (1990)].
163. B. I. Sysoev, V. D. Strygin, and G. I. Kotov, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 16, 22 (1990) [Sov. Tech. Phys. Lett. 16, 332 (1990)].
164. H. Oigawa, J.-F. Fan, Y. Nannichi, H. Sugahara, and M. Oshima, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L322 (1991).
165. Y. K. Kim, S. Kim, J. M. Seo, S. Ahn, K. J. Kim, T.-H. Kang, and B. Kim, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1124 (1997).
166. J.-F. Fan, Y. Kurata, and Y. Nannichi, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2255 (1989).
167. T. Kikawa, S. Takatani, and Y. Tezen, Appl. Phys. Lett. 60, 2785 (1992).
168. L. J. Huang, K. Rajesh, W. M. Lau, S. Ingrey, D. Landheer, J.-P. Noel, and Z. H. Lu, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 792 (1995).
169. G. Eftekhari, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 3214 (1994).
170. D. Landheer, G. H. Yousefi, J. B. Webb, R. W. M. Kwok, and W. M. Lau, J. Appl. Phys. 75, 3516 (1994).
171. P. D. DeMoulin, S. P. Tobin, M. S. Lundstrom, M. S. Carpenter, and M. R. Melloch, IEEE Electron Device Lett. EDL-9, 368 (1988).
172. E. B. Novikov, R. V. Khasieva, and G. A. Shakiashvili, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 24, 1276 (1990) [Sov. Phys. Semicond. 24, 802 (1990)].
173. E. B. Novikov, R. V. Khasieva, and G. A. Shakiashvili, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 24, 1276 (1990) [Sov. Phys. Semicond. 24, 802 (1990)].
174. M. Pérotin, P. Coudray, A. Etcheberry, L. Gouskov, C. Debiemme-Chouvy, and H. Luquet, Mater. Sci. Eng., B 28, 374 (1994).
175. X. Y. Gong, T. Yamaguchi, H. Kan, T. Makino, K. Oshimo, M. Aoyama, M. Kumagawa, and N. L. Rowell, Appl. Surf. Sci. 113-114, 388 (1997).
176. I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, V. M. Lantralov, T. V. L'vova, M. P. Mikhaǐlova, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 653 (1997) [Semiconductors 31, 556 (1997)].
177. I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, V. M. Lantralov, T. V. L'vova, M. P. Mikhaǐlova, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 653 (1997) [Semiconductors 31, 556 (1997)].
178. X. Y. Gong, T. Yamaguchi, H. Kan, T. Makino, T. Iida, T. Kato, M. Aoyama, Y. Suzuki, N. Sanada, Y. Fukuda, and M. Kumagawa, Jpn. J. Appl. Phys. 37, 55 (1998).
179. T. Tamanuki, F. Koyama, and K. Iga, Jpn. J. Appl. Phys. 30, 499 (1991).
180. T. Tamanuki, F. Koyama, and K. Iga, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 3292 (1992).
181. W. S. Hobson, U. Mohideen, S. J. Pearton, R. E. Slusher, and F. Ren, Electron. Lett. 29, 2199 (1993).
182. W. S. Hobson, F. Ren, U. Mohideen, R. E. Slusher, M. Lamont Schnoes, and S. J. Pearton, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 642 (1995).
183. L. F. DeChiaro and C. J. Sandroff, IEEE Trans. Electron Devices ED-39, 561 (1992).
184. R. Hakimi and M.-C. Amann, Semicond. Sci. Technol. 12, 778 (1997).
185. G. Beister, J. Maege, D. Gutsche, G. Erbert, J. Sebastian, K. Vogel, M. Weyers, J. Wurfl, and O. P. Daga, Appl. Phys. Lett. 68, 2467 (1996).
186. M. R. Melloch, M. S. Carpenter, D. E. Dungan, D. Li, and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 56, 1064 (1990).
187. N. Furuhata and Y. Shiraishi, Jpn. J. Appl. Phys. 37, 10 (1998).
188. F. S. Turco, C. J. Sandroff, D. M. Hwang, T. S. Ravi, and M. C. Tamargo, J. Appl. Phys. 68, 1038 (1990).
189. Y. Miyamoto, H. Hirayama, T. Suemasu, Y. Miyake, and S. Arai, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L672 (1991).
190. V. L. Berkovits, V. M. Lantratov, T. V. L'vova, G. A. Shakiashvili, V. P. Ulin, and D. Paget, Appl. Phys. Lett. 63, 970 (1993).
191. T. Chikyow and N. Koguchi, Appl. Phys. Lett. 61, 2431 (1992).
192. L. S. Hung, G. H. Braunstein, and L. A. Bosworth, Appl. Phys. Lett. 60, 201 (1992).
193. S. Omori, H. Ishii, and Y. Nihei, Surf. Sci. 121-122, 241 (1997).
194. Y. H. Wu, T. Toyoda, Y. Kawakami, S. Fujita, and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys. 29, L144 (1990).