Photoelectric properties of GaSb Schottky diodes

Journal of Applied Physics

Volumn 81, Issue 4, 1997, Pages 1813-1819

  Rotelli, B ^a,b   Tarricone, L ^a,b   Gombia, E ^c   Mosca, R ^c   Perotin, M ^d  

^a UNIVERSITY OF PARMA   (Italy)

^b Ist Natl di Fisica della Materia   (Italy)

^c CNR   (Italy)

^d UNIVERSITÉ MONTPELLIER II   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0141963525     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.364065     Document Type: Article

References (29)

1. A. G. Milnes and A. Y. Polyakov, Solid-State Electron. 36, 803 (1993).
2. S. A. Walters, Ph.D. thesis, Cardiff (1989).
3. S. A. Walters and R. H. Williams, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1421 (1988).
4. W. E. Spicer, P. W. Chye, P. R. Skeath, C. Y. Su, and I. Lindau, J. Vac. Sci. Technol. 5, 1422 (1985).
5. J. Tersoff, Phys. Rev. B 32, 6968 (1985).
6. A. Y. Polyakov, M. Stam, A. G. Milnes, and T. E. Schlesinger, Mater. Sci. Eng. B 12, 337 (1992).
7. C. A. Mead, Solid-State Electron. 9, 1023 (1966).
8. I. Poole, M. E. Lee, M. Missous, and K. E. Singer, J. Appl. Phys. 62, 3988 (1987).
9. M. Perotin, P. Coudray, L. Gouskov, H. Luquet, C. Llinarès, J. J. Bonnet, L. Soonckindt, and B. Lambert, J. Electron. Mater. 23, 7 (1994).
10. M. Perotin, P. Coudray, A. Etcheberry, L. Gouskov, C. Debiemme-Chouvy, and H. Luquet, Mater. Sci. Eng. B 28, 374 (1994).
11. P. S. Dutta, K. S. R. Koteswara Rao, K. S. Sagunni, H. L. Bhat, and V. Kumar, Appl. Phys. Lett. 65, 1412 (1994).
12. R. Mosca, E. Gombia, A. Motta, A. Bosacchi, S. Franchi, C. Beneventi, C. Ghezzi and R. Magnanini, Mater. Sci. Eng. B (to be published).
13. I. Poole, M. E. Lee, I. R. Cleverley, A. R. Peaker, and K. E. Singer, Appl. Phys. Lett. 57, 1645 (1990).
14. J. W. Orton and P. Blood, The Electrical Characterization of Semiconductors: Measurements of Minority Carrier Properties (Academic, London, 1990).
15. W. M. Becker, A. K. Ramdas, and H. Y. Fan, J. Appl. Phys. 32, 2094 (1961).
16. C. Ghezzi, R. Magnanini, A. Parisini, B. Rotelli, L. Tarricone, A. Bosacchi, and S. Franchi, Semicond. Sci. Technol. (submitted).
17. R. H. Fowler, Phys. Rev. B 38, 45 (1931).
18. T. Okumura and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 61, 2955 (1986).
19. A. Baraldi, F. Colonna, C. Ghezzi, R. Magnanini, A. Parisini, L. Tarricone, A. Bosacchi, and S. Franchi, Semicond. Sci. Technol. 11, 1656 (1996).
20. S. M. Sze, C. R. Crowell, and D. Kahny, J. Appl. Phys. 35, 2534 (1964).
21. C. A. Mead and W. J. Spitzer, Phys. Rev. 134, A713 (1964).
22. L. P. Krukovskaya, L. S. Berman, A. Ya. Vul', and A. Ya. Shik, Sov. Phys. Semicond. 11, 1109 (1977).
23. Y. Nagao, T. Harisu, and Y. Shibata, IEEE Trans. Electron Devices 28, 407 (1981).
24. T. D. McLean, T. M. Kerr, D. I. Westwood, S. R. Blight, D. Page, and C. E. C. Wood, Inst. Phys. Conf. Ser. 79, 349 (1986).
25. R. Chin, R. A. Milano, and H. D. Law, Electron. Lett. 16, 626 (1980).
26. Y. H. Wang, M. P. Haung, P. W. Sze, J. F. Chen, and A. Y. Cho, J. Appl. Phys. 71, 2760 (1992).
27. I. Poole, M. E. Lee, and K. E. Singer, Semicond. Sci. Technol. 6, 881 (1991).
28. F. S. Juang and Y. K. Su, Solid-State Electron. 32, 661 (1989).
29. G. Eftekhari, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 564 (1996).