Interdiffusion and structural change in an InGaAs dots-in-a-well structure by rapid thermal annealing

Journal of Applied Physics

Volumn 96, Issue 10, 2004, Pages 5496-5499

  Park, Young Min ^a   Park, Young Ju ^a   Kim, Kwang Moo ^a   Song, Jin Dong ^a   Lee, Jung I I ^a   Yoo, Keon Ho ^b   Kim, Hyung Seok ^c   Park, Chan Gyung ^c  

^a Korea Institute of Science and Technology   (South Korea)

^b Kyung Hee University   (South Korea)

^c Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; INTERDIFFUSION (SOLIDS); MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; RAPID THERMAL ANNEALING; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

ELECTRON CONFINEMENTS; INTERFACE ENERGY; PREMATURE QUANTUM STRUCTURE;

SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE;

EID: 9944251507     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1805191     Document Type: Article

References (26)

1. R. Krebs, S. Deubert, J. P. Reithmaier, and A. Forchel, J. Cryst. Growth 251, 742 (2003).
2. P. G. Eliseev, H. Li, G. T. Liu, A. Stintz, T. C. Newell, L. F. Lester, and K. J. Malloy, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 7, 135 (2001).
3. A. Stintz, O. T. Liu, A. L. Gray, R. Spillers, S. M. Delgado, and K. J. Malloy, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1496 (2000).
4. S. Krishna, S. Raghavan, A. L. Gray, A. Stintz, and K. J. Malloy, Appl. Phys. Lett. 80, 3898 (2002).
5. V. M. Ustinov et al., Appl. Phys. Lett. 74, 2815 (1999).
6. H. Y. Liu, M. Hopkinson, C. N. Harrison, M. J. Steer, R. Frith, I. R. Sellers, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, J. Appl. Phys. 93, 2931 (2003).
7. J. I. Chyi, T. E. Nee, C. T. Lee, J. L. Shieh, and J. W. Pan, J. Cryst. Growth 175/176, 777 (1997).
8. F. Heinrichsdorff, M.-H. Mao, N. Kirstaedter, A. Krost, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 71, 22 (1997).
9. Y. M. Park, Y. J. Park, K. M. Kim, J. C. Shin, J. D. Song, J. I. Lee, and K. H. Yoo, J. Appl. Phys. 95, 123 (2004).
10. M. A. Tischler, N. G. Anderson, R. M. Kolbas, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 50, 1266 (1987).
11. J. M. Gerard and J. Y. Marzin, Appl. Phys. Lett. 53, 568 (1988).
12. K. C. Hsieh and K. Y. Cheng, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 379, 145-157 (1995).
13. J. M. Garcia, G. Medeiros-Ribeiro, K. Schmidt, T. Ngo, J. L. Feng, A. Lorke, J. Kotthaus, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 71, 2014 (1997).
14. U. Denker, M. Stoffel, and O. G. Schmidt, Phys. Rev. Lett. 90, 196102 (2003).
15. J. F. Girard, C. Dion, P. Desjardins, C. Ni Allen, P. J. Poole, and S. Raymond, Appl. Phys. Lett. 84, 3382 (2004).
16. F. Glas, J. Appl. Phys. 62, 3201 (1987).
17. R. Leon, Y. Kim, C. Jagadish, M. Gal, J. Zou, and D. J. H. Cockayne, Appl. Phys. Lett. 69, 1888 (1996).
18. S. J. Xu, X. C. Wang, S. J. Chua, C. H. Wang, W. J. Fan, J. Jiang and X. G. Xie, Appl. Phys. Lett. 72, 3335 (1998).
19. M. C. Y. Chan, C. Surya, and P. K. A. Wai, J. Appl. Phys. 90, 197 (2001).
20. A. Babinski and J. Jasinski, Thin Solid Films 412, 84 (2002).
21. A. O. Kosogov et al., Appl. Phys. Lett. 69, 3072 (1996).
22. S. Malik, C. Roberts, R. Murray, and M. Pate, Appl. Phys. Lett. 71, 1987 (1997).
23. Y. M. Park, Y. J. Park, K. M. Kim, J. C. Shin, J. D. Song, J. I. Lee, and K. H. Yoo, Phys. Rev. B 70, 035322 (2004).
24. Y. C. Wang, S. L. Tyan, and Y. D. Juang, J. Appl. Phys. 92, 920 (2002).
25. Y. H. Wu, K. Aral, and T. Yao, Phys. Rev. B 53, 010485 (1996).
26. L. W. Lu, C. L. Yang, J. Wang, I. K. Sou, and W. K. Ge, J. Appl. Phys. 93, 5325 (2003).