Optimizing the growth of 1.3 μm InAs/InGaAs dots-in-a-well structure

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 5, 2003, Pages 2931-2936

  Liu, H Y ^a   Hopkinson, M ^a   Harrison, C N ^a   Steer, M J ^a   Frith, R ^a   Sellers, I R ^a   Mowbray, D J ^a   Skolnick, M S ^a  

^a UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; OPTICAL PROPERTIES; OPTIMIZATION; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR GROWTH; STRAIN; SUBSTRATES;

STRAINED BUFFER LAYER (SBL);

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 0037348036     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1542914     Document Type: Article

References (30)

1. S. Fafard, K. Hinzer, S. Raymond, M. Dion, J. McCaffrey, Y. Feng, and S. Charbonneau, Science 274, 1350 (1996).
2. H. Y. Liu, B. Xu, Y. Q. Wei, D. Ding, J. J. Qian, Q. Han, J. B. Liang, and Z. G. Wang, Appl. Phys. Lett. 79, 2868 (2001).
3. F. M. Ross, J. Tersoff, and R. M. Tromp, Phys, Rev. Lett. 80, 984 (1998).
4. V. M. Ustinov and A. E. Zhukov, Semicond. Sci. Technol. 15, R41 (2000).
5. A. E. Zhukov et al., IEEE Photonics Technol. Lett. 11, 1345 (1999).
6. O. B. Shchekin, J. Ahn, and D. G. Deppe, Electron. Lett. 38, 712 (2002).
7. D. L. Huffaker, G. Park, Z. Zou, O. B. Shchekin, and D. G. Deppe, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 6, 452 (2000).
8. P. B. Jocye, T. J. Krzyzewski, G. R. Bell, T. S. Jones, E. C. Le Ru, and R. Murray, Phys. Rev. B 64, 235317 (2001).
9. D. L. Huffaker and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 73, 520 (1998).
10. K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, and J. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 1111 (1999).
11. M. Arzberger, U. Kasberger, G. Bohm, and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 75, 3968 (1999).
12. V. M. Ustinov et al., Appl. Phys. Lett. 74, 2815 (1999).
13. J. X. Chen, U. Oesterle, A. Fiore, R. P. Stanley, M. Ilegems, and T. Todaro, Appl. Phys. Lett. 79, 3681 (2001).
14. A. Stintz, G. T. Liu, A. L. Gray, R. Spillers, S. M. Delgado, and K. J. Malloy, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1496 (2000).
15. G. Park, O. B. Shchekin, D. L. Huffaker, and D. G. Deppe, IEEE Photonics Technol. Lett. 13, 230 (2000).
16. G. T. Liu, A. Stintz, H. Li, T. C. Newell, A. L. Gray, P. M. Varangis, K. J. Malloy, and L. F. Lester, IEEE J. Quantum Electron. 36, 1272 (2000).
17. L. F. Lester, A. Stintz, H. Li, T. C. Newell, E. A. Pease, B. A. Fuchs, and K. J. Malloy, IEEE Photonics Technol. Lett. 11, 931 (1999).
18. Y. Qiu, P. Gogna, S. Forouhar, A. Stinz, and L. F. Lester, Appl. Phys. Lett. 79, 3570 (2001).
19. R. Krebs, F. Klopf, J. P. Reithmaier, and A, Forchel, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 1158 (2002).
20. H. Y. Liu et al., J. Appl. Phys. 88, 3392 (2000).
21. I. Mukhametzhanov, Z. Wei, R. Heitz, and A. Madhukar, Appl. Phys. Lett. 75, 85 (1999).
22. H. Y. Liu, B. Xu, Y. H. Chen, D. Ding, and Z. G. Wang, J. Appl. Phys. 88, 5433 (2000).
23. L. Chen, V. G, Stoleru, D. Pan, and E. Towe, J. Cryst. Growth 242, 263 (2002).
24. Z. Y. Zhang, X. Q. Meng, P. Jin, Ch. M. Li, S. C. Qu, B. Xu, X. L. Ye, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 243, 25 (2002).
25. J. M. Garcia, J. P. Silverira, and F. Briones, Appl. Phys. Lett. 77, 409 (2000).
26. P. B. Joyce, T. J. Krzyzewski, G. R. Bell, B. A. Joyce, and T. S. Jones, Phys. Rev. B 58, R15981 (1998).
27. D. Leonard, K. Pond, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 50, 11687 (1994).
28. J. Drucker, Phys. Rev. B 48, 18203 (1993).
29. H. Li, Q. Zhuang, Z. Wang, and T. Daniels-Race, J. Appl. Phys. 87, 188 (2000).
30. A. Ponchet, D. Lacombe, L. Durand, D. Alquier, and J.-M. Cardonna, Appl. Phys. Lett. 72, 2984 (1998).