Integrated Flexible and High-Quality Thin Film Transistors Based on Monolayer MoS2

Advanced Electronic Materials

Volumn 2, Issue 3, 2016, Pages

  Zhao, Jing ^a   Chen, Wei ^a   Meng, Jianling ^a   Yu, Hua ^a   Liao, Mengzhou ^a   Zhu, Jianqi ^a   Yang, Rong ^a   Shi, Dongxia ^a   Zhang, Guangyu ^a,b  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

^b Collaborative Innovation Center of Quantum Matter ^*  (China)

Author keywords

flexible devices; high quality; integrated devices; molybdenum disulfide; thin film transistors

Indexed keywords

EID: 85054647195     PISSN: None     EISSN: 2199160X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/aelm.201500379     Document Type: Article

References (41)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, S. V. Grigorieva, A. A. Firsov, Science 2004, 306, 666.
2. A. K. Geim, K. S. Novoselov, Nat. Mater. 2007, 6, 183.
3. A. K. Geim, Science 2009, 324, 1530.
4. C. H. Jin, H. P. Lan, L. M. Peng, K. Suenaga, S. Iijima, Phys. Rev. Lett. 2009, 102, 205501.
5. M. Y. Huang, T. A. Pascal, H. Kim, W. A. Goddard, J. R. Greer, Nano Lett. 2011, 11, 1241.
6. C. R. Dean, A. F. Young, I. Meric, C. Lee, L. Wang, S. Sorgenfrei, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Kim, K. L. Shepard, J. Hone, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 722.
7. W. Yang, G. R. Chen, Z. W. Shi, C. C. Liu, L. C. Zhang, G. B. Xie, M. Cheng, D. M. Wang, R. Yang, D. X. Shi, K. Watanabe, T. Taniguchi, Y. G. Yao, Y. B. Zhang, G. Y. Zhang, Nat. Mater. 2013, 12, 792.
8. B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis, Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147.
9. H. Schmidt, S. F. Wang, L. Q. Chu, M. Toh, R. Kumar, W. J. Zhao, A. H. C. Neto, J. Martin, S. Adam, B. Ozyilmaz, G. Eda, Nano Lett. 2014, 14, 1909.
10. J. Brivio, D. T. L. Alexander, A. Kis, Nano Lett. 2011, 11, 5148.
11. S. Das, J. Appenzeller, Appl. Phys. Lett. 2013, 103, 103501.
12. S. Larentis, B. Fallahazad, E. Tutuc, Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 223104.
13. K. Kaasbjerg, K. S. Thygesen, K. W. Jacobsen, Phys. Rev. B 2012, 85, 115317.
14. K. F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T. F. Heinz, Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 136805.
15. A. Splendiani, L. Sun, Y. B. Zhang, T. S. Li, J. Kim, C. Y. Chim, G. Galli, F. Wang, Nano Lett. 2010, 10, 1271.
16. H. S. Lee, S. W. Min, Y. G. Chang, M. K. Park, T. Nam, H. Kim, J. H. Kim, S. Ryu, S. Im, Nano Lett. 2012, 12, 3695.
17. Q. H. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J. N. Coleman, M. S. Strano, Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 699.
18. F. K. Perkins, A. L. Friedman, E. Cobas, P. M. Campbell, G. G. Jernigan, B. T. Jonker, Nano Lett. 2013, 13, 668.
19. D. J. Late, Y. K. Huang, B. Liu, J. Acharya, S. N. Shirodkar, J. J. Luo, A. M. Yan, D. Charles, U. V. Waghmare, V. P. Dravid, C. N. R. Rao, ACS Nano 2013, 7, 4879.
20. Q. Y. He, Z. Y. Zeng, Z. Y. Yin, H. Li, S. X. Wu, X. Huang, H. Zhang, Small 2012, 8, 2994.
21. A. Castellanos-Gomez, R. van Leeuwen, M. Buscema, H. S. J. van der Zant, G. A. Steele, W. J. Venstra, Adv. Mater. 2013, 25, 6719.
22. S. Bertolazzi, J. Brivio, A. Kis, ACS Nano 2011, 5, 9703.
23. T. Roy, M. Tosun, J. S. Kang, A. B. Sachid, S. B. Desai, M. Hettick, C. M. C. Hu, A. Javey, ACS Nano 2014, 8, 6259.
24. G. A. Salvatore, N. Munzenrieder, C. Barraud, L. Petti, C. Zysset, L. Buthe, K. Ensslin, G. Troster, ACS Nano 2013, 7, 8809.
25. G. H. Lee, Y. J. Yu, X. Cui, N. Petrone, C. H. Lee, M. S. Choi, D. Y. Lee, C. Lee, W. J. Yoo, K. Watanabe, T. Taniguchi, C. Nuckolls, P. Kim, J. Hone, ACS Nano 2013, 7, 7931.
26. H. Y. Chang, S. X. Yang, J. H. Lee, L. Tao, W. S. Hwang, D. Jena, N. S. Lu, D. Akinwande, ACS Nano 2013, 7, 5446.
27. H. Wang, L. L. Yu, Y. H. Lee, Y. M. Shi, A. Hsu, M. L. Chin, L. J. Li, M. Dubey, J. Kong, T. Palacios, Nano Lett. 2012, 12, 4674.
28. J. Pu, Y. Yomogida, K. K. Liu, L. J. Li, Y. Iwasa, T. Takenobu, Nano Lett. 2012, 12, 4013.
29. J. Yoon, W. Park, G. Y. Bae, Y. Kim, H. S. Jang, Y. Hyun, S. K. Lim, Y. H. Kahng, W. K. Hong, B. H. Lee, H. C. Ko, Small 2013, 9, 3295.
30. J. Zhang, H. Yu, W. Chen, X. Z. Tian, D. H. Liu, M. Cheng, G. B. Xie, W. Yang, R. Yang, X. D. Bai, D. X. Shi, G. Y. Zhang, ACS Nano 2014, 8, 6024.
31. J. Zhao, G. L. Wang, R. Yang, X. B. Lu, M. Cheng, C. L. He, G. B. Xie, J. L. Meng, D. X. Shi, G. Y. Zhang, ACS Nano 2015, 9, 1622.
32. C. Lee, H. Yan, L. E. Brus, T. F. Heinz, J. Hone, S. Ryu, ACS Nano 2010, 4, 2695.
33. S. Najmaei, Z. Liu, P. M. Ajayan, J. Lou, Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 013106.
34. M. Buscema, G. A. Steele, H. S. J. van der Zant, A. Castellanos-Gomez, Nano Res. 2014, 7, 561.
35. D. Sercombe, S. Schwarz, O. Del Pozo-Zamudio, F. Liu, B. J. Robinson, E. A. Chekhovich, I. I. Tartakovskii, O. Kolosov, A. I. Tartakovskii, Sci. Rep. 2013, 3, 03489.
36. M. J. Powell, IEEE Trans. Electron. Devices 1989, 36, 2753.
37. A. Nathan, A. Kumar, K. Sakariya, P. Servati, S. Sambandan, D. Striakhilev, IEEE J. Solid-State Circuits 2004, 39, 1477.
38. C. D. Dimitrakopoulos, P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. 2002, 14, 99.
39. R. A. Street, Adv. Mater. 2009, 21, 2007.
40. G. He, K. Ghosh, U. Singisetti, H. Ramamoorthy, R. Somphonsane, G. Bohra, M. Matsunaga, A. Higuchi, N. Aoki, S. Najmaei, Y. Gong, X. Zhang, R. Vajtai, P. M. Ajayan, J. P. Bird, Nano Lett. 2015, 15, 5052.
41. J. Zhao, C. L. He, R. Yang, Z. W. Shi, M. Cheng, W. Yang, G. B. Xie, D. M. Wang, D. X. Shi, G. Y. Zhang, Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 063112.