Highly flexible and transparent multilayer MoS2 transistors with graphene electrodes

Small

Volumn 9, Issue 19, 2013, Pages 3295-3300

  Yoon, Jongwon ^a   Park, Woojin ^a   Bae, Ga Yeong ^a   Kim, Yonghun ^a   Jang, Hun Soo ^a   Hyun, Yujun ^a   Lim, Sung Kwan ^a   Kahng, Yung Ho ^a   Hong, Woong Ki ^b   Lee, Byoung Hun ^a   Ko, Heung Cho ^a  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

^b Korea Basic Science Institute (KBSI)   (South Korea)

Author keywords

flexible electronics; graphene; molybdenum disulfide; transistors; transparent devices

Indexed keywords

CVD-GROWN GRAPHENE; ELECTRONIC PERFORMANCE; GRAPHENE ELECTRODES; MECHANICAL BENDING; MECHANICAL FLEXIBILITY; MOLYBDENUM DISULFIDE; SOURCE/DRAIN ELECTRODES; TRANSPARENT DEVICES;

BENDING TESTS; ELECTRIC PROPERTIES; FLEXIBLE ELECTRONICS; GRAPHENE; GRAPHITE ELECTRODES; MULTILAYERS; SCHOTTKY BARRIER DIODES; TRANSISTORS;

MOLYBDENUM COMPOUNDS;

EID: 84879650910     PISSN: 16136810     EISSN: 16136829     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/smll.201300134     Document Type: Article

References (47)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, A. A. Firsov, Science 2004, 306, 666.
2. A. K. Geim, K. S. Novoselov, Nat. Mater. 2007, 6, 183.
3. K. S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T. J. Booth, V. V. Khotkevich, S. V. Morozov, A. K. Geim, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2005, 102, 10451.
4. Q. H. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J. N. Coleman, M. S. Strano, Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 699.
5. X. Huang, Z. Yin, S. Wu, X. Qi, Q. He, Q. Zhang, Q. Yan, F. Boey, H. Zhang, Small 2011, 7, 1876.
6. S. Bae, H. Kim, Y. Lee, X. Xu, J.-S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. R. Kim, Y. I. Song, Y.-J. Kim, K. S. Kim, B. Özyilmaz, J.-H. Ahn, B. H. Hong, S. Iijima, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 574.
7. C. Lee, X. Wei, J. W. Kysar, J. Hone, Science 2008, 321, 385.
8. L. G. D. Arco, Y. Zhang, C. W. Schlenker, K. Ryu, M. E. Thompson, C. Zhou, ACS Nano 2010, 4, 2865.
9. K. Chung, C.-H. Lee, G.-C. Yi, Science 2010, 330, 655.
10. T.-H. Han, Y. Lee, M.-R. Choi, S.-H. Woo, S.-H. Bae, B. H. Hong, J.-H. Ahn, T.-W. Lee, Nat. Photon. 2012, 6, 105
11. B. J. Kim, H. Jang, S.-K. Lee, B. H. Hong, J.-H. Ahn, J. H. Cho, Nano Lett. 2010, 10, 3464.
12. Y. Cao, S. Liu, Q. Shen, K. Yan, P. Li, J. Xu, D. Yu, M. L. Steigerwald, C. Nuckolls, Z. Liu, X. Guo, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 2743.
13. W. H. Lee, J. Park, S. H. Sim, S. B. Jo, K. S. Kim, B. H. Hong, K. Cho, Adv. Mater. 2011, 23, 1752.
14. M. Y. Han, B. Özyilmaz, Y. Zhang, P. Kim, Phys. Rev. Lett. 2007, 98, 206805.
15. A. A. Avetisyan, B. Partoens, F. M. Peeters, Phys. Rev. B 2009, 79, 035421.
16. F. Guinea, M. I. Katsnelson, A. K. Geim, Nat. Phys. 2010, 6, 30.
17. K. F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T. F. Heinz, Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 136805.
18. Z. Yin, H. Li, H. Li, L. Jiang, Y. Shi, Y. Sun, G. Lu, Q. Zhang, X. Chen, H. Zhang, ACS Nano 2012, 6, 74.
19. H. S. Lee, S.-W. Min, Y.-G. Chang, M. K. Park, T. Nam, H. Kim, J. H. Kim, S. Ryu, S. Im, Nano Lett. 2012, 12, 3695.
20. S. Bertolazzi, J. Brivio, A. Kis, ACS Nano 2011, 5, 9703.
21. A. Castellanos-Gomez, M. Poot, G. A. Steele, H. S. J. van der Zant, N. Agraït, G. Rubio-Bollinger, Adv. Mater. 2012, 24, 772.
22. J. Pu, Y. Yomogida, K.-K. Liu, L.-J. Li, Y. Iwasa, T. Takenobu, Nano Lett. 2012, 12, 4013.
23. B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis, Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147.
24. S. Kim, A. Konar, W.-S. Hwang, J. H. Lee, J. Lee, J. Yang, C. Jung, H. Kim, J.-B. Yoo, J.-Y. Choi, Y. W. Jin, S. Y. Lee, D. Jena, W. Choi, K. Kim, Nat. Commun. 2012, 3, 1011.
25. B. Radisavljevic, M. B. Whitwick, A. Kis, ACS Nano 2011, 5, 9934.
26. H. Wang, L. Yu, Y.-H. Lee, Y. Shi, A. Hsu, M. L. Chin, L.-J. Li, M. Dubey, J. Kong, T. Palacios, Nano Lett. 2012, 12, 4674.
27. C.-J. Liu, S.-Y. Tai, S.-W. Chou, Y.-C. Yu, K.-D. Chang, S. Wang, F. S.-S. Chien, J.-Y. Lin, T.-W. Lin, J. Mater. Chem. 2012, 22, 21057.
28. J. Liu, Z. Zeng, X. Cao, G. Lu, L.-H. Wang, Q.-L. Fan, W. Huang, H. Zhang, Small 2012, 8, 3517.
29. Z. Yin, Z. Zeng, J. Liu, Q. He, P. Chen, H. Zhang, Small 2012, DOI: 10.1002/smll.201201940.
30. L. Britnell, R. V. Gorbachev, R. Jalil, B. D. Belle, F. Schedin, A. Mishchenko, T. Georgiou, M. I. Katsnelson, L. Eaves, S. V. Morozov, N. M. R. Peres, J. Leist, A. K. Geim, K. S. Novoselov, L. A. Ponomarenko, Science 2012, 335, 947.
31. W. J. Yu, Z. Li, H. Zhou, Y. Chen, Y. Wang, Y. Huang, X. Duan, Nat. Mater. 2012, DOI: 10.1038/nmat3518.
32. H. Li, Z. Yin, Q. He, H. Li, X. Huang, G. Lu, D. W. H. Fam, A. L. Y. Tok, Q. Zhang, H. Zhang, Small 2012, 8, 63.
33. Q. He, Z. Zeng, Z. Yin, H. Li, S. Wu, X. Huang, H. Zhang, Small 2012, 8, 2994.
34. L. Jiao, B. Fan, X. Xian, Z. Wu, J. Zhang, Z. Liu, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12612.
35. A. C. Ferrari, J. C. Meyer, V. Scardaci, C. Casiraghi, M. Lazzeri, F. Mauri, S. Piscanec, D. Jiang, K. S. Novoselov, S. Roth, A. K. Geim, Phys. Rev. Lett. 2006, 97, 187401.
36. C. Lee, H. Yan, L. E. Brus, T. F. Heinz, J. Hone, S. Ryu, ACS Nano 2010, 4, 2695.
37. S. Das, H.-Y. Chen, A. V. Penumatcha, J. Appenzeller, Nano Lett. 2013, 13, 100.
38. S. Lee, G. Jo, S.-J. Kang, G. Wang, M. Choe, W. Park, D.-Y. Kim, Y. H. Kahng, T. Lee, Adv. Mater. 2011, 23, 100.
39. S. M. Sze, K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed., Wiley-Interscience, Hoboken, NJ, USA 2007.
40. B. K. Sarker, S. I. Khondaker, ACS Nano 2012, 6, 4993.
41. Y. Ma, Y. Dai, M. Guo, C. Niu, B. Huang, Nanoscale 2011, 3, 3883
42. H. Liu, A. T. Neal, P. D. Ye, ACS Nano 2012, 6, 8563.
43. A. Ayari, E. Cobas, O. Ogundadegbe, M. S. Fuhrer, J. Appl. Phys. 2007, 101, 014507.
44. H. Qiu, L. Pan, Z. Yao, J. Li, Y. Shi, X. Wang, Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 123104.
45. K. Kaasbjerg, K. S. Thygesen, K. W. Jacobsen, Phys. Rev. B 2012, 85, 115317.
46. D. J. Late, B. Liu, H. S. S. R. Matte, V. P. Dravid, C. N. R. Rao, ACS Nano 2012, 6, 5635.
47. K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J.-H. Ahn, P. Kim, J.-Y. Choi, B. H. Hong, Nature 2009, 457, 706.