Complex Materials by Atomic Layer Deposition

Advanced Materials

Volumn 27, Issue 38, 2015, Pages 5778-5784

  Schwartzberg, Adam M ^a   Olynick, Deirdre ^a  

^a LAWRENCE BERKELEY NATIONAL LABORATORY   (United States)

Author keywords

atomic layer deposition; ceramic plasmonics; complex materials; nano laminates; transition metal dichalcogenides

Indexed keywords

ATOMS; DEPOSITION; LAMINATES; STRUCTURE (COMPOSITION); TRANSITION METALS;

COMBINATIONS OF STRUCTURES; COMPLEX MATERIALS; INDIVIDUAL COMPONENTS; NANO-LAMINATES; PLASMONICS; STRUCTURAL APPLICATIONS; STRUCTURAL PARAMETER; TRANSITION METAL DICHALCOGENIDES;

ATOMIC LAYER DEPOSITION;

EID: 84943568783     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201500699     Document Type: Article

References (42)

1. W. Kern, Thin Film Processes II, Vol. 2, Academic Press, Waltham, MA, USA 1991, p. 283.
2. S. M. George, Chem. Rev. 2009, 110, 111.
3. H.-B.-R. Lee, S. F. Bent, in Atomic Layer Deposition of Nanostructured Materials, (Eds:, J. L. Atwood, J. E. D. Davies, D. D. MacNicol, F. Vögtle, K. S. Suslick,), Wiley-VCH, Weinheim, Germany 2011, p. 193.
4. X. Jiang, S. F. Bent, J. Phys. Chem. C 2009, 113, 17613.
5. L. Niinistö, M. Nieminen, J. Päiväsaari, J. Niinistö, M. Putkonen, Phys. Status Solidi C 2004, 201, 1443.
6. J. Yang, K. Walczak, E. Anzenberg, F. M. Toma, G. Yuan, J. Beeman, A. M. Schwartzberg, Y. Lin, M. Hettick, A. Javey, J. W. Ager, J. Yano, H. Frei, I. D. Sharp, J. Am. Chem. Soc. 2014, 136, 6191.
7. F. Le Formal, N. Tétreault, M. Cornuz, T. Moehl, M. Grätzel, K. Sivula, Chem. Sci. 2011, 2, 737.
8. S. Ding, H. Hu, C. Zhu, M. F. Li, S. J. Kim, B. J. Cho, D. S. H. Chan, M. B. Yu, A. Y. Du, A. Chin, D.-L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 2004, 25, 681.
9. P. Banerjee, I. Perez, L. Henn-Lecordier, S. B. Lee, G. W. Rubloff, Nat. Nanotechnol. 2009, 4, 292.
10. G. Chen, Phys. Rev. B 1998, 57, 14958.
11. R. M. Costescu, D. G. Cahill, F. H. Fabreguette, Z. A. Sechrist, S. M. George, Science 2004, 303, 989.
12. K. F. Brennan, J. Haralson II, Superlattices Microstruct. 2000, 28, 77.
13. F. Capasso, C. Gmachl, D. L. Sivco, A. Y. Cho, Phys. Today 2002, 44, 34.
14. N. P. Dasgupta, X. Meng, J. W. Elam, A. B. F. Martinson, Acc. Chem. Res. 2015, 48, 341.
15. T. Sarnet, T. Hatanpaa, E. Puukilainen, M. Mattinen, M. Vehkamaki, K. Mizohata, M. Ritala, M. Leskela, J. Phys. Chem. A. 2014, 119, 2298.
16. N. P. Dasgupta, W. Lee, F. B. Prinz, Chem. Mater. 2009, 21, 3973.
17. N. P. Dasgupta, W. Lee, T. P. Holme, F. B. Prinz, IEEE Photovoltaic Spec. Conf. 2009, 34, 356.
18. K. F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T. F. Heinz, Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 136805.
19. D. Jariwala, V. K. Sangwan, L. J. Lauhon, T. J. Marks, M. C. Hersam, ACS Nano 2014, 8, 1102.
20. K. F. Mak, K. He, J. Shan, T. F. Heinz, Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 494.
21. L. Britnell, R. M. Ribeiro, A. Eckmann, R. Jalil, B. D. Belle, A. Mishchenko, Y.-J. Kim, R. V. Gorbachev, T. Georgiou, S. V. Morozov, A. N. Grigorenko, A. K. Geim, C. Casiraghi, A. H. Castro Neto, K. S. Novoselov, Science 2013, 340, 1311.
22. M. M. Furchi, A. Pospischil, F. Libisch, J. Burgdorfer, T. Mueller, Nano Lett. 2014, 14, 4785.
23. Y. Shi, H. Li, L.-J. Li, Chem. Soc. Rev. 2015, 44, 2744.
24. C. M. Orofeo, S. Suzuki, Y. Sekine, H. Hibino, Appl. Phys. Lett. 2014, 105, 083112.
25. J.-G. Song, J. Park, W. Lee, T. Choi, H. Jung, C. W. Lee, S.-H. Hwang, J. M. Myoung, J.-H. Jung, S.-H. Kim, C. Lansalot-Matras, H. Kim, ACS Nano. 2013, 7, 11333.
26. Y.-H. Lee, L. Yu, H. Wang, W. Fang, X. Ling, Y. Shi, C.-T. Lin, J.-K. Huang, M.-T. Chang, C.-S. Chang, M. Dresselhaus, T. Palacios, L.-J. Li, J. Kong, Nano Lett. 2013, 13, 1852.
27. L. K. Tan, B. Liu, J. H. Teng, S. Guo, H. Y. Low, K. P. Loh, Nanoscale 2014, 6, 10584.
28. K. Ellmer, Nat. Photonics 2012, 6, 809.
29. A. Yamada, B. Sang, M. Konagai, Appl. Surf. Sci. 1997, 112, 216.
30. M. Godlewski, E. Guziewicz, G. Łuka, T. Krajewski, M. Łukasiewicz, Ł. Wachnicki, A. Wachnicka, K. Kopalko, A. Sarem, B. Dalati, Thin Solid Films 2009, 518, 1145.
31. X. Jiang, F. L. Wong, M. K. Fung, S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 1875.
32. J. W. Elam, D. A. Baker, A. J. Hryn, A. B. F. Martinson, M. J. Pellin, J. T. Hupp, J. Vac. Sci. Technol. A 2008, 26, 244.
33. D.-W. Choi, W. J. Maeng, J.-S. Park, Appl. Surf. Sci. 2014, 313, 585.
34. S. A. Maier, H. A. Atwater,. J. Appl. Phys. 2005, 98, 011101.
35. G. V. Naik, J. Kim, A. Boltasseva, Opt. Mater. Express 2011, 6, 1090.
36. J. Musschoot, Q. Xie, D. Deduytsche, S. van den Berghe, R. L. van Meirhaeghe, C. Detavernier, Microelectron. Eng. 2009, 86, 72.
37. G. V. Naik, J. Liu, A. V. Kildishev, V. M. Shalaev, A. Boltasseva, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2012, 109, 8834.
38. B. Saha, G. V. Naik, S. Saber, C. Akatay, E. A. Stach, V. M. Shalaev, A. Boltasseva, T. D. Sands,. Phys. Rev. B 2014, 90, 125420.
39. L. R. Meza, S. Das, J. R. Greer, Science 2014, 345, 1322.
40. X. Zheng, H. Lee, T. H. Weisgraber, M. Shusteff, J. R. Deotte, E. Duoss, J. D. Kuntz, M. M. Biener, S. O. Kucheyev, Q. Ge, J. A. Jackson, S. O. Kucheyev, N. X. Fang, C. M. Spadaccini, Science 2014, 344, 1373.
41. H. Mohseni, T. W. Scharf, J. Vac. Sci. Technol. A 2012, 30, 01A149.
42. M. Berdova, T. Ylitalo, I. Kassamakov, J. Heino, P. T. Törmä, L. Kilpi, H. Ronkainen, J. Koskinen, E. Hæggström, S. Franssila, Acta Mater. 2014, 66, 370.