Te-doping of self-catalyzed GaAs nanowires

Applied Physics Letters

Volumn 107, Issue 1, 2015, Pages

  Suomalainen, S ^a   Hakkarainen, T V ^a   Salminen, T ^a   Koskinen, R ^a   Honkanen, M ^a   Luna, E ^b   Guina, Mircea ^a  

^a TAMPERE UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Finland)

^b PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATALYSIS; CRYSTAL STRUCTURE; DOPING (ADDITIVES); ELECTRON MICROSCOPY; GALLIUM ARSENIDE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NANOWIRES; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SEMICONDUCTING GALLIUM; TELLURIUM COMPOUNDS;

AXIAL GROWTH; GAAS NANOWIRES; HIGH DOPING LEVEL; LATERAL GROWTH RATES; SELF-CATALYZED; TE DOPING;

HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

EID: 84935450067     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4926494     Document Type: Article

References (36)

1. R. Yan, D. Gargas, and P. Yang, Nat. Photonics 3, 569 (2009). 10.1038/nphoton.2009.184
2. N. P. Dasgupta, J. Sun, C. Liu, S. Brittman, S. C. Andrews, J. Lim, H. Gao, R. Yan, and P. Yang, Adv. Mater. 26, 2137 (2014). 10.1002/adma.201305929
3. T. Mårtensson, C. P. T. Svensson, B. A. Wacaser, M. W. Larsson, W. Seifert, K. Deppert, A. Gustafsson, L. R. Wallenberg, and L. Samuelson, Nano Lett. 4, 1987 (2004). 10.1021/nl0487267
4. M. T. Björk, B. J. Ohlsson, T. Sass, A. I. Persson, C. Thelander, M. H. Magnusson, K. Deppert, L. R. Wallenberg, and L. Samuelson, Nano Lett. 2, 87 (2002). 10.1021/nl010099n
5. K. A. Dick, S. Kodambaka, M. C. Reuter, K. Deppert, L. Samuelson, W. Seifert, L. R. Wallenberg, and F. M. Ross, Nano Lett. 7 (7), 1817 (2007). 10.1021/nl0705900
6. M. Hocevar, G. Immink, M. Verheijen, N. Akopian, V. Zwiller, L. Kouwenhoven, and E. Bakkers, Nat. Commun. 3, 1266 (2012). 10.1038/ncomms2277
7. R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964). 10.1063/1.1753975
8. J. W. Petersen and J. Nielsen, Appl. Phys. Lett. 56, 1122 (1990). 10.1063/1.102587
9. B. Mandl, J. Stangl, E. Hilner, A. A. Zakharov, K. Hillerich, A. W. Dey, L. Samuelson, G. Bauer, K. Deppert, and A. Mikkelsen, Nano Lett. 10, 4443 (2010). 10.1021/nl1022699
10. S. N. Mohammad, J. Appl. Phys. 110, 084310 (2011). 10.1063/1.3624585
11. S. Breuer, C. Pfüller, T. Flissikowski, O. Brandt, H. T. Grahn, L. Geelhaar, and H. Riechert, Nano Lett. 11, 1276 (2011). 10.1021/nl104316t
12. M. Piccin, G. Bais, V. Grillo, F. Jabeen, S. De Franceschi, E. Carlino, M. Lazzarino, F. Romanato, L. Businaro, S. Rubini, F. Martelli, and A. Franciosi, Physica E 37, 134 (2007). 10.1016/j.physe.2006.07.002
13. M. Hilse, M. Ramsteiner, S. Breuer, L. Geelhaar, and H. Riechert, Appl. Phys. Lett. 96, 193104 (2010). 10.1063/1.3428358
14. J. A. Czaban, D. A. Thompson, and R. R. LaPierre, Nano Lett. 9, 148 (2009). 10.1021/nl802700u
15. O. Salehzadeh, M. X. Chen, K. L. Kavanagh, and S. P. Watkins, Appl. Phys. Lett. 99, 182102 (2011). 10.1063/1.3658633
16. A. Furukawa and M. Mizuta, Electron. Lett. 24, 1378 (1988). 10.1049/el:19880943
17. B. R. Bennett, R. Magno, K. Ikossi, N. Papanicolaou, J. B. Boos, and B. V. Shanabrook, in 2002 International Conference on Molecular Beam Epitaxy, San Francisco, USA, 15-20 September 2002 (IEEE, 2002), Cat. No. 02EX607, p. 183.
18. P. Krogstrup, H. I. Jørgensen, E. Johnson, M. H. Madsen, C. B. Sørensen, A. Fontcuberta i Morral, M. Aagesen, J. Nygård, and F. Glas, J. Phys. D: Appl. Phys. 46, 313001 (2013). 10.1088/0022-3727/46/31/313001
19. F. Glas, M. R. Ramdani, G. Patriarche, and J.-C. Harmand, Phys. Rev. B 88, 195304 (2013). 10.1103/PhysRevB.88.195304
20. D. T. J. Hurle, J. Appl. Phys. 85, 6957 (1999). 10.1063/1.370506
21. R. R. Wixom, L. W. Rieth, and G. B. Stringfellow, J. Cryst. Growth 269, 276 (2004). 10.1016/j.jcrysgro.2004.05.077
22. B. Paquette, B. Ilahi, V. Aimez, and R. Arès, J. Cryst. Growth 383, 30 (2013). 10.1016/j.jcrysgro.2013.08.015
23. K. W. Schwarz and J. Tersoff, Nano Lett. 12, 1329 (2012). 10.1021/nl203864d
24. F. M. Ross, J. Tersoff, and M. C. Reuter, Phys. Rev. Lett. 95, 146104 (2005). 10.1103/PhysRevLett.95.146104
25. R. E. Algra, M. A. Verheijen, M. T. Borgstrom, L.-F. Feiner, G. Immink, W. J. P. van Enckevort, E. Vlieg, and E. Bakkers, Nat. Lett. 456, 369 (2008). 10.1038/nature07570
26. P. Krogstrup, R. Popovitz-Biro, E. Johnson, M. H. Madsen, J. Nygård, and H. Shtrikman, Nano Lett. 10, 4475 (2010). 10.1021/nl102308k
27. G. E. Cirlin, V. G. Dubrovskii, Yu. B. Samsonenko, A. D. Bouravleuv, K. Durose, Y. Y. Proskuryakov, B. Mendes, L. Bowen, M. A. Kaliteevski, R. A. Abram, and D. Zeze, Phys. Rev. B 82, 035302 (2010). 10.1103/PhysRevB.82.035302
28. P. Caroff, K. A. Dick, J. Johansson, M. E. Messing, K. Deppert, and L. Samuelson, Nat. Nanotechnol. 4, 50 (2009). 10.1038/nnano.2008.359
29. T. Rieger, S. Heiderich, S. Lenk, M. I. Lepsa, and D. Grützmacher, J. Cryst. Growth 353, 39 (2012). 10.1016/j.jcrysgro.2012.05.006
30. M. R. Ramdani, J. C. Harmand, F. Glas, G. Patriarche, and L. Travers, Cryst. Growth Des. 13, 91 (2013). 10.1021/cg301167g
31. J. Arbiol, S. Estradé, J. D. Prades, A. Cirera, F. Furtmayr, C. Stark, A. Laufer, M. Stutzmann, M. Eickhoff, M. H. Gass, A. L. Bleloch, F. Peiró, and J. R. Morante, Nanotechnology 20, 145704 (2009). 10.1088/0957-4484/20/14/145704
32. R. S. Dowdy, C. Zhang, P. K. Mohseni, S. A. Fortuna, J.-G. Wen, J. J. Coleman, and X. Li, Opt. Mater. Express 3, 1687 (2013). 10.1364/OME.3.001687
33. A. V. Senichev, V. G. Talalaev, I. V. Shtrom, H. Blumtritt, G. E. Cirlin, J. Schilling, C. Lienau, and P. Werner, ACS Photonics 1, 1099 (2014). 10.1021/ph5002022
34. N. Begum, M. Piccin, F. Jabeen, G. Bais, S. Rubini, F. Martelli, and A. S. Bhatti, J. Appl. Phys. 104, 104311 (2008). 10.1063/1.3026726
35. S. Hayashi and H. Kanamori, Phys. Rev. B 26, 7079 (1982). 10.1103/PhysRevB.26.7079
36. G. D. Mahan, R. Gupta, Q. Xiong, C. K. Adu, and P. C. Eklund, Phys. Rev. B 68, 073402 (2003). 10.1103/PhysRevB.68.073402