A comprehensive thermodynamic analysis of native point defect and dopant solubilities in gallium arsenide

Journal of Applied Physics

Volumn 85, Issue 10, 1999, Pages 6957-7022

  Hurle, D T J ^a  

^a UNIVERSITY OF BRISTOL   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CARRIER CONCENTRATION; COOLING; MATHEMATICAL MODELS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; MOLECULAR BEAM EPITAXY; POINT DEFECTS; REACTION KINETICS; SEMICONDUCTOR DOPING; SUPERSATURATION; THERMODYNAMIC STABILITY;

NATIVE POINT DEFECT EQUILIBRIA;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 0032615075     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.370506     Document Type: Article

References (261)

1. J. Willard Gibbs, The Scientific Papers (Thermodynamics, Dover, NY, 1961), Vol. 1.
2. F. A. Kroger, The Chemistry of Imperfect Crystals (Elsevier, Amsterdam, 1974).
3. R. A. Swalin, Thermodynamics of Solids (Wiley, New York, 1962).
4. P. Mei, S. A. Schwarz, T. Venkatesan, C. L. Schwartz, and E. Colas, J. Appl. Phys. 65, 2165 (1989).
5. H. Zimmermann, U. Gösele, and T. Y. Tan, J. Appl. Phys. 73, 150 (1993).
6. E. F. Schubert, Doping in III-V Semiconductors (Cambridge University Press, Cambridge, England, 1993).
7. M. Skowronski, in Handbook of Semiconductors, Vol. 3 edited by S. Mahajan (Elsevier, Amsterdam, 1994), Vol. 3, p. 1343.
8. T. Y. Tan, H-M. You, and U. Gösele, Appl. Phys. A: Solids Surf. A56, 249 (1993).
9. D. T. J. Hurle, Mater. Sci. Forum 196-201, 179 (1995).
10. L. Herzog, U. Egger, O. Breitenstein, and H.-G. Hettwer, Mater. Sci. Eng., B 30, 43 (1995).
11. S. Oda, M. Yamamoto, M. Seiwa, G. Kano, T. Inoue, M. Mori, H. Shimakura, and M. Oyake, Semicond. Sci. Technol. 7, A215 (1992).
12. V. T. Bublik, V. V. Kartataev, R. S. Kulagin, M. G. Mil'vidskii, V. B. Osvenskii, O. G. Stolyarov, and L. P. Kholodnyi, Sov. Phys. Crystallogr. 18, 218 (1973).
13. A. N. Morizov and V. T. Bublik, J. Cryst. Growth 75, 491 (1986).
14. A. N. Morizov and V. T. Bublik, J. Cryst. Growth 75, 497 (1986).
15. M. R. Brozel, E. J. Foulkes, I. R. Grant, and D. T. J. Hurle, J. Cryst. Growth 80, 323 (1972).
16. D. T. J. Hurle, Inst. Phys. Conf. Ser. 33A, 113 (1977).
17. R. Krause-Rehberg, G. Dlubek, and A. Polity, Mater. Sci. Forum 196-201, 1649 (1995).
18. T. Laine, K. Saarinen, J. Makinen, P. Hautojarvi, and C. Corbel, Phys. Rev. B 54, R11050 (1996).
19. A. S. Jordan, Metall. Trans. B 7, 191 (1976).
20. T. Y. Tan, Mater. Sci. Eng., B 10, 227 (1991).
21. H. C. Casey, M. B. Panish, and K. B. Wolfstirn, J. Phys. Chem. Solids 32, 571 (1971).
22. K. Lehovec, Surf. Sci. 1, 165 (1964).
23. K. H. Zschauer and A. Vogel, Inst. Phys. Conf. Ser. 9, 100 (1970).
24. W. Walukiewicz, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 1062 (1987).
25. W. Walukiewicz, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1257 (1988).
26. W. Walukiewicz, Phys. Rev. B 37, 4760 (1988).
27. W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett 54, 2094 (1989).
28. J. A. van Vechten, in Handbook of Semiconductors, edited by S. P. Keller (North-Holland, Amsterdam, 1980), Vol. 3.
29. J. A. van Vechten, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 46, 83 (1985).
30. D. T. J. Hurle, J. Phys. Chem. Solids 40, 613 (1979).
31. D. T. J. Hurle. J. Phys. Chem. Solids 40, 627 (1979).
32. D. T. J. Hurle, J. Phys. Chem. Solids 40, 639 (1979).
33. D. T. J. Hurle, J. Phys. Chem. Solids 40, 647 (1979).
34. W. Walukiewicz, L. Lagowski, L. Jastrzebski, M. Lichtensteiger, and H. C. Gatos, J. Appl. Phys. 50, 899 (1979).
35. F. M. Herrmann and G. Müller, J. Cryst. Growth 156, 350 (1995).
36. M. B. Panish, J. Cryst. Growth 27, 6 (1974).
37. V. V. Rakov, B. D. Lainer, and M. G. Mil'vidskii, Russ. J. Phys. Chem. 44, 922 (1970).
38. H. Wenzl, A. Dahlen, A. Fattah, K. Mika, and D. Henkel, J. Cryst. Growth 109, 191 (1991).
39. P. M. Shurygin and A. L. Marbakh, Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 6, 1816 (1970).
40. D. H. Matthiesen, J. Cryst. Growth 137, 255 (1994).
41. F. Sajovec, R. Wolf, A. Fattah, K. Bickmann, H. Wenzl, G. Nagel, H. Rüfer, E. Tomzig, and P. de Bisevre, Phys. Status Solidi A 122, 139 (1990).
42. B. D. Lichter and P Sommelet, Trans. Metall. Soc. AIME 245, 1021 (1969).
43. K. Terashima, S. Washizuka, J. Nishio, A Okada, S. Yasuami, and M. Watanabe, Inst. Phys. Conf. Ser. 79, 37 (1986).
44. I. R. Grant (private communication).
45. J. M. Parsey, Y. Nanishi, J. Lagowski, and H. C. Gatos, J. Electrochem. Soc. 129, 388 (1982).
46. N. Chen, H. He, Y. Wang, and L. Lin, J. Cryst. Growth 173, 325 (1997).
47. K. Saarinen, P. Hautojarvi, P. Lanki, and C. Corbel, Phys. Rev. B 44, 10585 (1991).
48. S. L. Feng, J. Zhou, and L. W. Lu, Appl. Phys. Lett. 66, 2256 (1995).
49. C. Corbel, M. Stucky, P. Hautojarvi, K. Saarinen, and P. Moser, Phys. Rev. B 38, 8192 (1988).
50. T. Y. Tan and U. Gösele, Mater. Sci. Eng., B 1, 47 (1988).
51. T. Y. Tan, U. Gösele, and S. Yu, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 17, 47 (1991).
52. W. M Li, R. M. Cohen, D. S. Simons, and P. H. Chi, Appl. Phys. Lett. 70, 3392 (1997).
53. G. A. Baraff and M. Schlüter, Phys. Rev. Lett. 55, 1327 (1985).
54. T. Laine, K. Saarinen, J. Makinen, P. Hautojarvi, C. Corbel, L. N. Pfeiffer, and P. H. Citrin, Phys. Rev. B 54, R11050 (1996).
55. L. A. Charniy, A. N. Morizov, V. T. Bublik, K. D. Scherbachev, I. V. Stepantsova, and V. M. Kagener, J. Cryst. Growth 118, 163 (1992).
56. L. A. Charniy, A. N. Morizov, K. D. Scherbachev, V. T. Bublik, and I. V. Stepantsova, J. Cryst. Growth 116, 369 (1992).
57. L. Charniy and V. Bublik, J. Cryst. Growth 135, 302 (1994).
58. I. Fujimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 23, L287 (1984).
59. I. Fujimoto, Mater. Sci. Eng., B 14, 426 (1992).
60. D. J. Chadi, Phys. Rev. B 46, 9400 (1992).
61. J. M. Baranowski and P. Trautman, in Properties of Gallium Arsenide, 3rd ed., edited by M. R. Brozel and G. E. Stillman (INSPEC, London, 1996), p. 341.
62. R. C. Newman, B. R. Davidson, R. Addinall, R. Murray, J. W. Emmert, J. Wagner, W. Gotz, G. Roos, and G. Pensl, Mater. Sci. Forum 143-7, 229 (1994).
63. K. Wuyts, G. Langouche, M. van Rossum, and R. E. Silvermans, Phys. Rev. B 45, 6297 (1992).
64. R. F. Brebrick, in Handbook of Crystal Growth, Vol 1a, edited by D. T. J. Hurle (Elsevier, New York, 1993), Vol. 1a, p. 43.
65. D. C. Herbert, D. T. J. Hurle, and R. M. Logan, J. Phys. C 8, 3571 (1975).
66. I. Prigogine and R. Defay, in Chemical Thermodynamics, translated by D. H. Everett (Longmans Green, London, 1954).
67. J. S. Blakemore, Semiconductor Statistics (Dover, New York, 1983), p. 135.
68. A. Trainer and B. Bartlett, Solid State Electron. 2, 106 (1961).
69. L. F. Zakharenkov, A. M. Zykov, and B. E. Samorukov, Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 21, 10 (1985).
70. D. J. Ashen, P. J. Dean, D. T. J. Hurle, J. B. Mullin, A. M. White, and P. D. Greene, J. Phys. Chem. Solids 36, 1041 (1975).
71. A. A. Kalinin, V. N. Kukin, S. K. Maksimov, and D. I. Piskunov, Sov. Phys. Dokl. 32, 235 (1987).
72. J. C. de Winter and M. A. Pollack, J. Appl. Phys. 58, 2410 (1985).
73. R. Ceolin, C. Bergman, R. Bellissent, A. Menelle, J. C. Rouland, and J. P. Gaspard, Solid State Commun. 71, 343 (1989).
74. Y. P. Varshni, Physica (Amsterdam) 39, 149 (1967).
75. J. S. Blakemore, J. Appl. Phys. 53, R123 (1982).
76. J. A. van Vechten and J. C. Phillips, Phys. Rev. B 2, 2160 (1970).
77. E. W. Williams, Phys. Rev. 168, 922 (1968).
78. R. Krause-Rehberg, H. S. Leipner, A. Kupsch, A. Polity, and Th. Drost, Phys. Rev. B 49, 2385 (1994).
79. A. Polity, C. Nagel, and R. Krause-Rehberg, Mater. Sci. Forum 196-201, 1249 (1995).
80. C. M. Wolfe and G. E. Stillman, Appl. Phys. Lett. 27, 564 (1975).
81. J. Nishizawa, H. Otsuka, S. Yamakoshi, and K. Ishida, Jpn. J. Appl. Phys. 13, 46 (1974).
82. G. M. Kuznetsov, O. V. Pelevin, A. D. Barsukov, V. V. Olenin, and I. A. Savel'eva, Sov. Phys. Crystallogr. 17, 539 (1972).
83. J. B. Mullin, B. W. Straughan, C. M. H. Driscoll, and A. F. W. Willoughby, J. Appl. Phys. 47, 2584 (1976).
84. G. M. Kuznetsov, O. V. Pelevin, A. D. Barsukov, V. V. Olenin, and I. A. Savel'eva, Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 9, 847 (1973).
85. A. R. Goodwin, C. R. Dobson, and J. Franks, Inst. Phys. Conf. Ser. 3, 35 (1966).
86. N. A. Yakusheva and V. G. Pogadaev, Cryst. Res. Technol. 27, 21 (1992).
87. N. A. Yakusheva and V. G. Pogadaev, J. Cryst. Growth 123, 479 (1992).
88. N. A. Yakusheva and V. N. Sozinov, Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 22, 475 (1986).
89. V. I. Fistul', Strongly Doped Semiconductors (Nauka, Moscow, 1967).
90. M. G. Mil'vidskii and O. V. Pelevin, Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 3, 1159 (1967).
91. P. W. Hutchinson and P. S. Dobson, Philos. Mag. 30, 65 (1974).
92. V. D. Verner, S. K. Maksimov, and D. K. Nichugovskii, Phys. Status Solidi A 33, 755 (1976).
93. R. K. Willardson and W. P. Allred, Inst. Phys. Conf. Ser. 3, 35 (1966).
94. J. B. Mullin, A. Royle, and S. Benn, J. Cryst. Growth 50, 625 (1980).
95. P. W. Hutchinson and P. S. Dobson, J. Mater. Sci. 10, 1636 (1975).
96. P. W. Hutchinson and P. S. Dobson, Philos. Mag. A 38, 15 (1978).
97. P. S. Dobson, P. F. Fewster, D. T. J. Hurle, P. W. Hutchinson, J. B. Mullin, B. W. Straughan, and A. F. W. Willoughby, Inst. Phys. Conf. Ser. 45, 163 (1979).
98. P. M. Grinshtein, M. Ya. Lipkes, N. S. Rytova, and V. I. Fistul', Sov. Phys. Semicond. 9, 725 (1975).
99. M. G. Mil'vidskii, V. B. Osvenskii, A. G. Novikov, V. G. Fomin, and S. P. Grishina, Sov. Phys. Crystallogr. 18, 519 (1974).
100. P. F. Fewster, J. Phys. Chem. Solids 42, 883 (1981).
101. M. A. Reshchikov, A. A. Gutkin, and V. E. Sedov, Mater. Sci. Forum 196-201, 237 (1995).
102. Z. G. Wong, C. J. Li, S. K. Wan, and L. Y. Lin, J. Cryst. Growth 103, 38 (1990).
103. M. A. Reshchikov (private communication).
104. M. Markov and A. N. Morizov, Sov. Phys. Semicond. 20, 94 (1986).
105. L. J. Vieland and I. Kudman, J. Phys. Chem. Solids 24, 437 (1963).
106. R. Venkatasubramanian, S. K. Ghandhi, and T. F. Kuech, J. Cryst. Growth 97, 827 (1989).
107. P. D. Greene, Solid State Commun. 9, 1299 (1971).
108. A. A. Gutkin, N. S. Averkiev, M. A. Reshchikov, V. E. Sedov, Mater. Sci. Forum 196-201, 231 (1995).
109. G. M. Kuznetsov, A. D. Barsukov, O. V. Pelevin, V. V. Olenin, and N. B. Berdavtseva, Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 9, 1053 (1973).
110. M. A. Reshchikov, A. A. Gutkin, and V. E. Sedov, Mater. Sci. Forum 196-201, 237 (1995).
111. T. Kamejima, J. Matsui, Y. Seki, and H. Watanabe, J. Appl. Phys. 50, 3312 (1979).
112. M. B. Panish and H. C. Casey, J. Phys. Chem. Solids 28, 1673 (1967).
113. W. Reichert, C. Y. Chen, W. M. Li, J. E. Shield, R. M. Cohen, D. S. Simons, and P. H. Chi, J. Appl. Phys. 47, 1902 (1995).
114. A. S. Jordan, Metall. Trans. A 2, 1965 (1971).
115. M. B. Panish, J. Electrochem. Soc. 113, 224 (1966).
116. W. Köster and W. Ulrich, Z. Metallkd. 49, 361 (1958).
117. A. S. Jordan, J. Electrochem. Soc. 118, 781 (1971).
118. J. T. Edmond, Proc. Phys. Soc. London 73, 622 (1959).
119. C. J. Hwang, Phys. Rev. 180, 827 (1969).
120. E. W. Williams and C. T. Elliott, Br. J. Appl. Phys., J. Phys. D 2, 1657 (1969).
121. J. L. Su, Y. Nishi, and J. L. Mott, Solid-State Electron. 14, 262 (1971).
122. W. Schairer, D. Bimberg, W. Kotler, K. Cho, and M. Schmidt, Phys. Rev. B 13, 3452 (1976).
123. V. V. Chaldyshev and N. A. Yakusheva, Sov. Phys. Semicond. 23, 26 (1989).
124. L. R. Weisberg, F. D. Rosi, and P. G. Herkart, Properties of Elemental and Compound Semiconductors (Interscience, New York, 1960), p. 25.
125. J. Vilms and J. P. Garrett, Solid-State Electron. 15, 443 (1972).
126. M. B. Panish, J. Appl. Phys. 44, 2659 (1973).
127. H. Neumann, K. Jacobs, R. Reppin, E. Butter, H. Sobotta, and M. Staudte, Phys. Status Solidi A 32, 497 (1975).
128. E. Kuphal, A. Schlachetzki, and A. Pöcker, Appl. Phys. 17, 63 (1978).
129. N. A. Yakusheva and G. M. Beloborodov, Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 26, 9 (1990).
130. A. F. Kravchenko, B. V. Morozov, V. G. Polovinkin, and E. M. Skok, Gallium Arsenide (Tomsk, 1974), Vol. 4, p. 21.
131. N. A. Anastes'eva, V. T. Bublik, V. B. Osvenskii, M. G. Mil'vidskii, O. G. Stolyarov, and L. P. Kholodnyi, Sov. Phys. Crystallogr. 23, 174 (1978).
132. E. Solov'eva, V. V. Karataev, M. G. Mil'vidskii, and G. A. Nemtsova, Sov. Phys. Semicond. 7, 1417 (1974).
133. K. S. Zhuravlev and N. A. Yakusheva, Sov. Phys. Semicond. 24, 523 (1990).
134. N. A. Yakusheva, V. G. Pogadaev, J. Cryst. Growth 123, 479 (1992).
135. D. R. Ketchow, J. Electrochem. Soc. 121, 1237 (1974).
136. D. L. Rode, R. L. Brown, and M. A. Fromowitz, J. Cryst. Growth 30, 299 (1975).
137. P. D. Greene (private communication).
138. O. V. Pelevin, I. N. Shershakova, F. A. Gimel'farb, M. G. Mil'vidskii, and T. A. Ukhorskaya, Sov. Phys. Crystallogr. 16, 528 (1971).
139. M. A. Krivov, E. V. Malisova, E. N. Mel'chenko, V. S. Morizov, M. P. Nikiforova, S. S. Khludkov, Yu. A. Grigor'ev, O. L. Egorova, and V. B. Osvenskii, Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved. Fiz. 11, 94 (1983).
140. F. E. Rosztoczy, F. Ermanis, I. Hayashi, and B. Schwartz, J. Appl. Phys. 41, 264 (1970).
141. F. E. Rosztoczy and K. B. Wolfstirn, J. Appl. Phys. 42, 426 (1971).
142. K. K. Shih and G. D. Petit, J. Electron. Mater. 3, 391 (1974).
143. H. Neumann, K. Jacobs, N. Van Nam, W. Koj, and C Krause, Phys. Status Solidi A 44, 675 (1977).
144. H. Kressel, F. Z. Hawrylo, and P. LeFur, J. Appl. Phys. 39, 4059 (1968).
145. N. A. Yakusheva, G. V. Sikorskaya, and V. N. Sozinov, Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 21, 534 (1985).
146. H. G. B. Hicks and P. D. Greene, Inst. Phys. Conf. Ser. 9, 92 (1970).
147. B. H. Ahn, R. R. Shurtz, and C. W. Trussell, J. Appl. Phys. 42, 4512 (1971).
148. J. K. Kung and W. G. Spitzer, J. Appl. Phys. 44, 912 (1973).
149. J. K. Kung and W. G. Spitzer, J. Appl. Phys. 45, 4477 (1974).
150. J. K. Kung and W. G. Spitzer, J. Appl. Phys. 45, 2254 (1974).
151. D. T. J. Hurle, J. Cryst. Growth 50, 638 (1980).
152. A. Amith, L. Ekstrom, B. Goldstein, P. G. Herkart, D. Meyerhofer, P. Rappaport, F. D. Rosi, and L. R. Weisberg, Scientific Report No. AFCRC-TN-60-134, p. 81 (1959).
153. M. J. Ashwin, R. C. Newman, and K. Muraki, J. Appl. Phys. 82, 137 (1997).
154. R. C. Newman, Semicond. Sci. Technol. 9, 1749 (1994).
155. C. Domke, Ph. Ebert, M. Heinrich, and K. Urban, Phys. Rev. B 54, 10288 (1966).
156. J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, C. Domke, Ph. Ebert, and K. Urban, Phys. Rev. Lett. 78, 3334 (1997).
157. W. G. Spitzer and M. B. Panish, J. Appl. Phys. 40, 4200 (1969).
158. R. T. Chen and W. G. Spitzer, J. Electron. Mater. 10, 1085 (1981).
159. V. Swaminiathan and S. M. Copley, J. Appl. Phys. 47, 4405 (1976).
160. M. A. Reshchikov, A. A. Gutkin, and V. E. Sedov, Proceedings of the 9th Conference on Semiconducting and Insulating Materials, Toulouse, 1996, (IEEE, Piscataway, NJ, 1996), p. 295.
161. J. C. Bourgoin, H. J. von Bardeleben, H. Lim, D. Stievenard, and A. Bonnet, Inst. Phys. Conf. Ser. 91, 85 (1987).
162. A. H. Kachare, W. G. Spitzer, A. M. Whelan, and G. H. Narayanan, J. Appl. Phys. 47, 5022 (1976).
163. N. H. Ky, L. Pavesi, D. Araùjo, J. D. Ganière, and F. K. Reinhart, J. Appl. Phys. 70, 3887 (1991).
164. P. F. Fewster and A. F. W. Willoughby, J. Cryst. Growth 50, 6486 (1980).
165. W. G. Spitzer, in Festkorperprobleme XI, Advances in Solid State Physics, edited by O. Madelung (Pergamon, Oxford, 1971), p. 1.
166. W. G. Spitzer and W. Allred, J. Appl. Phys. 39, 4999 (1968).
167. W. M. Theis and W. G. Spitzer, J. Appl. Phys. 56, 890 (1984).
168. H. Ono and R. C. Newman, J. Appl. Phys. 66, 141 (1989).
169. M. Hansen, Constitution of Binary Alloys, 2nd ed. (McGraw-Hill, New York, 1958).
170. I. Fujimoto, S. Nishine, T. Yamada, M. Konagai, and K. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L296 (1992).
171. T. Kobayashi and J. Osaka, J. Cryst. Growth 71, 240 (1985).
172. A. N. Georgobiani and I. M. Tiginyanu, Sov. Phys. Semicond. 22, 1 (1988).
173. Y. Otoki, M. Sahara, M. Shibata, S. Kuma, and M. Kashiwa, Mater. Sci. Forum 196-201, 1431 (1995).
174. N. A. Yakusheva, V. Ya. Prinz, and Yu. B. Bolkhovityanov, Phys. Status Solidi A 95, K43 (1986).
175. G. L. Witt, Mater. Sci. Eng., B 22, 9 (1993).
176. D. E. Holmes, R. T. Chen, K. R. Elliott, and C. G. Kirkpatrick, Appl. Phys. Lett. 40, 46 (1982).
177. D. J. Stirland, P. Kidd, G. R. Booker, S. Clark, D. T. J. Hurle, M. R. Brozel, and I. Grant, Inst. Phys. Conf. Ser. 100, 373 (1989).
178. T. Inada, Y. Otoki, and S. Kuma, J. Cryst. Growth 102, 915 (1990).
179. G. M. Williams, A. G. Cullis, and D. J. Stirland, Appl. Phys. Lett. 59, 2585 (1991).
180. B.-T. Lee, R. Gronsky, and E. D. Bourret, J. Cryst. Growth 96, 333 (1989).
181. P. Petroff and L. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 29, 461 (1976).
182. J. Lagowski, H. C. Gatos, J. M. Parsey, K. Wada, M. Kaminski, and W. Walukiewicz Appl. Phys. Lett. 40, 342 (1982).
183. K. R. Elliott, D. E. Holmes, R. T. Chen, and C. G. Kirkpatrick, Appl. Phys. Lett. 40, 898 (1982).
184. M. Bugajski, K. H. Ko, J. Lagowski, and H. C. Gatos, J. Appl. Phys. 65, 596 (1989).
185. R. Addinall, R. C. Newman, W. Götz, G. Roos, G. Pensi, and D. A. Hope, Mater. Sci. Forum 65-66, 175 (1990).
186. G. Roos, A. Schoer, G. Pensi, J. Wagner, B. K. Meyer, and R. C. Newman, J. Appl. Phys. 69, 1454 (1991).
187. G. M. Martin, A. Mitonneau, and A. Mircea, Election. Lett. 13, 191 (1977).
188. N. A. Gokcen, Bull. Alloy Phase Diagrams 10, 11 (1989).
189. K. H. Nichols, C. M. L. Yee, and C. M. Wolfe, Solid-State Electron. 23, 109 (1980).
190. P. Blood, Phys. Rev. B 6, 2257 (1972).
191. H. J. Lee, J. Basinski, L. V. Juravel, and J. C. Woolley, Can. J. Phys. 57, 233 (1979).
192. F. E. Roberts, Phys. Lett. 17, 21 (1965).
193. Yu. V. Rud and K. V. Sanin, Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 11, 1876 (1972).
194. H. Ikoma, J. Phys. Soc. Jpn. 28, 1474 (1970).
195. H. Wenzl, W. A. Oates, and K. Mika, in Handbook of Crystal Growth, edited by D. T. J. Hurle, Vol 1a, (North-Holland, Amsterdam, 1993), Vol. 1a, p. 103.
196. J. van Vechten, J. Electrochem. Soc. 122, 419 (1979); , 423 (1979).
197. J. van Vechten, J. Electrochem. Soc. 122, 419 (1979); , 423 (1979).
198. J. F. Wager, J. Appl. Phys. 69, 3022 (1991).
199. T. W. Dobson and J. F. Wager, J. Appl. Phys. 66, 1997 (1989).
200. R. W. Jansen and O. F. Sankey, Solid State Commun. 64, 197 (1987).
201. S. Clark, M. R. Brozel, D. J. Stirland, D. T. J. Hurle, and I. Grant, in Defect Control in Semiconductors, edited by K. Sumino (Elsevier, New York, 1990), p. 807.
202. H. D. Palfrey, M. Brown, and A. F. W. Willoughby, J. Electron. Mater. 12, 863 (1983).
203. M. Noack, K. W. Kehr, and H. Wenzl, J. Cryst. Growth 178, 444 (1997).
204. A. N. Morizov, V. T. Bublik, and A. V. Zaitsev, Sov. Phys. Solid State 24, 1229 (1983).
205. J. B. Mullin and K. F. Hulme, J. Phys. Chem. Solids 17, 1 (1960).
206. E. Bauser, in Handbook of Crystal Growth, Vol. 3b, edited by D. T. J. Hurle (Elsevier, Amsterdam, 1994), Vol. 3b, p. 879.
207. K. F. Hulme and J. B. Mullin, Solid-State Electron. 5, 211 (1962).
208. M. S. Daw and D. L. Smith, J. Vac. Sci. Technol. 17, 1028 (1980).
209. U. König, U. Langmann, K. Heime, L. J. Balk, and E. Kubalek, J. Cryst. Growth 36, 165 (1976).
210. G. A. Baraff and M. Schlüter, Phys. Rev. B 33, 7346 (1986).
211. C-H. Chen and T. Y. Tan, Appl. Phys. A: Solids Surf. 61, 397 (1995).
212. R. Higginbottom, C. J. Todd, and G. J. Davies, J. Electrochem. Soc. 127, 444 (1980).
213. R. Higginbottom, G. J. Davies, and K. A. Prior, Surf. Sci. 132, 375 (1983).
214. K. A. Prior, R. Higginbottom, and G. J. Davies, J. Cryst. Growth 66, 55 (1984).
215. H. Seki and K. Koukitu, J. Cryst. Growth 78, 342 (1986).
216. S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, and N. N. Ledentsov, J. Cryst. Growth 104, 345 (1990).
217. K. Köhler, P. Ganser, and M. Maier, J. Cryst. Growth 127, 720 (1993).
218. K. Köhler (private communication).
219. R. Murray, R. C. Newman, M. J. L. Sangster, R. B. Beall, J. J. Harris, P. J. Wright, J. Wagner, and M. Ramsteiner, J. Appl. Phys. 66, 2589 (1989).
220. M. Uematsu and K. Maezawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 29, L527 (1990).
221. K. Winer, M. Kawashima, and Y. Horikoshi, Appl. Phys. Lett. 58, 2818 (1991).
222. M. R. Melloch, N. Otsuta, J. M. Woodall, A. C. Warren, and J. L. Freeouf, Appl. Phys. Lett. 57, 1531 (1990).
223. R. W. Glew, J. Cryst. Growth 68, 44 (1984).
224. J. P. Hallais, Acta Electron. 21, 129 (1978).
225. G. Keil, M. Le Metayer, A. Cuquel, and D. Le Pollotec, Rev. Phys. Appl. 17, 405 (1982).
226. V. Aebi, C. B. Cooper, R. L. Moon, and R. R. Saxena, J. Cryst. Growth 55, 517 (1981).
227. J. Nishizawa and T. Kurabashi, J. Electrochem. Soc. 1130, 413 (1983).
228. N. Watanabe and H. Ito, J. Cryst. Growth 182, 30 (1997).
229. C. D. Thurmond and M. Kowalchik, Bell Syst. Tech. J. 39, 169 (1960).
230. A. N. Morizov, V. T. Bublik, V. B. Osvenskii, A. V. Berkova, E. V. Mikryukova, A. Ya. Nashel'skii, S. V. Jakobson, and A. D. Popov, Sov. Phys. Crystallogr. 28, 458 (1983).
231. A. N. Morizov, V. T. Bublik, and T. P. Grigor'ova, Sov. Phys. Crystallogr. 29, 447 (1984).
232. M. Astles, F. G. H. Smith, and E. W. Williams, J. Electrochem. Soc. 120, 1750 (1973).
233. M. R. Brozel, E. J. Foulkes, I. R. Grant, L. Lui, D. T. J. Hurle, and R. M. Ware, J. Cryst. Growth 70, 191 (1984).
234. W. Walukiewicz, J. Lagowski, L. Jastrzebski, P. Rava, M. Lichtensteiger, C. H. Gatos, and H. C. Gatos, J. Appl. Phys. 51, 2659 (1980).
235. M. R. Brozel, R. C. Newman, and M. G. Astles, J. Phys. C 11, L377 (1978).
236. S. Evtimova, B. Arnaudov, and I. Yanchev, J. Cryst. Growth 148, 17 (1995).
237. A. R. Clawson and C. M. Hanson, J. Electron. Mater. 20, 365 (1991).
238. F. G. Kellert, K. T. Chan, J. E. Turner, and V. M. Robbins, J. Electron. Mater. 19, 1425 (1990).
239. H. Xu, Phys. Rev. B 42, 11295 (1990).
240. G. Dlubek and O. Brummer, Appl. Phys. Lett. 46, 1136 (1985).
241. R. Hirano, T. Kanazawa, and T. Inoue, J. Appl. Phys. 71, 659 (1992).
242. Y. Seki, H. Watanabe, and J. Matsui, J. Appl. Phys. 49, 822 (1978).
243. A. N. Morozov, E. V. Mikryukova, V. T. Bublik, A. V. Berkova, A. Ya. Nashel'skii, and S. V. Yakobson, Sov. Phys. Crystallogr. 33, 719 (1988).
244. L. J. Vieland, Acta Metall. 11, 137 (1963).
245. E. N. Vigdorovich, G. P. Ustyugov, and N. L. Vigdorovich, Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 8, 759 (1972).
246. S. Horiba, Z. Phys. Chem., Stoechiom. Verwandtschaftsl. 106, 295 (1923).
247. C. Hirayama, R. D. Straw, and H. M. Hopgood, J. Less-Common Met. 109, 331 (1985).
248. C. Pupp, J. J. Murray, and R. F. Pottie, J. Chem. Thermodyn. 6, 123 (1974).
249. S. B. Evgen'ev and N. V. Gavina, Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 20, 561 (1984).
250. W. Klemm and P. Pischer, Z. Anorg. Allg. Chem. 247, 211 (1941).
251. M. B. Parish, J. Appl. Phys. 44, 2659 (1973).
252. D. Ankri, thesis, Univ. Pierre et Marie Curie, Paris (1980).
253. R. N. Hall, J. Electrochem. Soc. 110, 385 (1963).
254. M. Rubenstein, J. Electrochem. Soc. 113, 752 (1966).
255. N. Sol, J. P. Clariou, N. T. Linh, and M. Moulin, J. Cryst. Growth 27, 325 (1974).
256. See Table 10 in R. F. Brebrick, Metall. Trans. A 8, 403 (1977).
257. E. H. Perea and C. G. Fonstad, J. Electrochem. Soc. 127, 313 (1980).
258. H. Kressel and H. Nelson, J. Appl. Phys. 40, 3720 (1969).
259. J. M. Baranowski and P. Trautman, in Properties of Gallium Arsenide, EMIS Data Review No. 16, edited by M. R. Brozel and G. E. Stillman (INSPEC, Stevenage, U.K., 1996), p. 341.
260. J. A. Burton, R. C. Prim, and W. P. Slichter, J. Chem. Phys. 21, 1987 (1953).
261. A. S. Jordan and M. Ilegems, J. Phys. Chem. Solids 36, 329 (1975).