Modulation of Schottky barrier height in graphene/MoS2/metal vertical heterostructure with large current ON-OFF ratio

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 54, Issue 4, 2015, Pages

  Sata, Yohta ^a   Moriya, Rai ^a   Yamaguchi, Takehiro ^a   Inoue, Yoshihisa ^a   Morikawa, Sei ^a   Yabuki, Naoto ^a   Masubuchi, Satoru ^a,b   Machida, Tomoki ^a,b  

^a INSTITUTE OF INDUSTRIAL SCIENCE   (Japan)

^b UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

LAYERED SEMICONDUCTORS; MODULATION; MOLYBDENUM COMPOUNDS; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SEMICONDUCTOR METAL BOUNDARIES; TEMPERATURE DISTRIBUTION; VAN DER WAALS FORCES;

CURRENT MODULATION; GATE VOLTAGES; GRAPHENE LAYERS; LARGE CURRENT; SCHOTTKY BARRIER HEIGHTS; SCHOTTKY BARRIERS; TEMPERATURE DEPENDENCE; VERTICAL HETEROSTRUCTURE;

GRAPHENE;

EID: 84926390247     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.7567/JJAP.54.04DJ04     Document Type: Conference Paper

References (32)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science 306, 666 (2004).
2. A. K. Geim and K. S. Novoselov, Nat. Mater. 6, 183 (2007).
3. K. S. Novoselov, V. I. Fal'ko, L. Colombo, P. R. Gellert, M. G. Schwab, and K. Kim, Nature 490, 192 (2012).
4. A. K. Geim, Science 324, 1530 (2009).
5. K. S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T. J. Booth, V. V. Khotkevich, S. V. Morozov, and A. K. Geim, Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 102, 10451 (2005).
6. A. K. Geim and I. V. Grigorieva, Nature 499, 419 (2013).
7. K. S. Novoselov, Rev. Mod. Phys. 83, 837 (2011).
8. J. Y. Tan, A. Avsar, J. Balakrishnan, G. K. W. Koon, T. Taychatanapat, E. C. T. O'Farrell, K. Watanabe, T. Taniguchi, G. Eda, A. H. Castro Neto, and B. Özyilmaz, Appl. Phys. Lett. 104, 183504 (2014).
9. A. V. Kretinin, Y. Cao, J. S. Tu, G. L. Yu, R. Jalil, K. S. Novoselov, S. J. Haigh, A. Gholinia, A. Mishchenko, M. Lozada, T. Georgiou, C. R. Woods, F. Withers, P. Blake, G. Eda, A. Wirsig, C. Hucho, K. Watanabe, T. Taniguchi, A. K. Geim, and R. V. Gorbachev, Nano Lett. 14, 3270 (2014).
10. L. Yu, Y.-H. Lee, X. Ling, E. J. G. Santos, Y. C. Shin, Y. Lin, M. Dubey, E. Kaxiras, J. Kong, H. Wang, and T. Palacios, Nano Lett. 14, 3055 (2014).
11. J. Y. Kwak, J. Hwang, B. Calderon, H. Alsalman, N. Munoz, B. Schutter, and M. G. Spencer, Nano Lett. 14, 4511 (2014).
12. H. Tian, Z. Tan, C. Wu, X. Wang, M. A. Mohammad, D. Xie, Y. Yang, J. Wang, L.-J. Li, J. Xu, and T.-L. Ren, Sci. Rep. 4, 5951 (2014).
13. C.-J. Shih, Q. H. Wang, Y. Son, Z. Jin, D. Blankschtein, and M. S. Strano, ACS Nano 8, 5790 (2014).
14. Y. Du, L. Yang, J. Zhang, H. Liu, K. Majumdar, P. D. Kirsch, and P. D. Ye, IEEE Electron Device Lett. 35, 599 (2014).
15. T. Roy, M. Tosun, J. S. Kang, A. B. Sachid, S. B. Desai, M. Hettick, C. C. Hu, and A. Javey, ACS Nano 8, 6259 (2014).
16. W. J. Yu, Y. Liu, H. Zhou, A. Yin, Z. Li, Y. Huang, and X. Duan, Nat. Nanotechnol. 8, 952 (2013).
17. W. J. Yu, Z. Li, H. Zhou, Y. Chen, Y. Wang, Y. Huang, and X. Duan, Nat. Mater. 12, 246 (2013).
18. H. Yang, J. Heo, S. Park, H. J. Song, D. H. Seo, K.-E. Byun, P. Kim, I. Yoo, H.-J. Chung, and K. Kim, Science 336, 1140 (2012).
19. T. Georgiou, R. Jalil, B. D. Belle, L. Britnell, R. V. Gorbachev, S. V. Morozov, Y.-J. Kim, A. Gholinia, S. J. Haigh, O. Makarovsky, L. Eaves, L. A. Ponomarenko, A. K. Geim, K. S. Novoselov, and A. Mishchenko, Nat. Nanotechnol. 8, 100 (2013).
20. J. Heo, K.-E. Byun, J. Lee, H.-J. Chung, S. Jeon, S. Park, and S. Hwang, Nano Lett. 13, 5967 (2013).
21. Y.-F. Lin, W. Li, S.-L. Li, Y. Xu, A. Aparecido-Ferreira, K. Komatsu, H. Sun, S. Nakaharai, and K. Tsukagoshi, Nanoscale 6, 795 (2014).
22. Y. Liu, H. Zhou, R. Cheng, W. Yu, Y. Huang, and X. Duan, Nano Lett. 14, 1413 (2014).
23. M. G. Lemaitre, E. P. Donoghue, M. A. McCarthy, B. Liu, S. Tongay, B. Gila, P. Kumar, R. K. Singh, B. R. Appleton, and A. G. Rinzler, ACS Nano 6, 9095 (2012).
24. L. Britnell, R. M. Ribeiro, A. Eckmann, R. Jalil, B. D. Belle, A. Mishchenko, Y. J. Kim, R. V. Gorbachev, T. Georgiou, S. V. Morozov, A. N. Grigorenko, A. K. Geim, C. Casiraghi, A. H. C. Neto, and K. S. Novoselov, Science 340, 1311 (2013).
25. C. Ojeda-Aristizabal, W. Bao, and M. S. Fuhrer, Phys. Rev. B 88, 035435 (2013).
26. R. Moriya, T. Yamaguchi, Y. Inoue, S. Morikawa, Y. Sata, S. Masubuchi, and T. Machida, Appl. Phys. Lett. 105, 083119 (2014).
27. C. R. Dean, A. F. Young, I. Meric, C. Lee, L. Wang, S. Sorgenfrei, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Kim, K. L. Shepard, and J. Hone, Nat. Nanotechnol. 5, 722 (2010).
28. T. Taychatanapat, K. Watanabe, T. Taniguchi, and P. Jarillo-Herrero, Nat. Phys. 7, 621 (2011).
29. S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 2007) 3rd ed., p. 134.
30. Y.-J. Yu, Y. Zhao, S. Ryu, L. E. Brus, K. S. Kim, and P. Kim, Nano Lett. 9, 3430 (2009).
31. L. Britnell, R. V. Gorbachev, R. Jalil, B. D. Belle, F. Schedin, A. Mishchenko, T. Georgiou, M. I. Katsnelson, L. Eaves, S. V. Morozov, N. M. R. Peres, J. Leist, A. K. Geim, K. S. Novoselov, and L. A. Ponomarenko, Science 335, 947 (2012).
32. L. A. Ponomarenko, B. D. Belle, R. Jalil, L. Britnell, R. V. Gorbachev, A. K. Geim, K. S. Novoselov, A. H. Castro Neto, L. Eaves, and M. I. Katsnelson, J. Appl. Phys. 113, 136502 (2013).