Electronic properties of graphene encapsulated with different two-dimensional atomic crystals

Nano Letters

Volumn 14, Issue 6, 2014, Pages 3270-3276

  Kretinin, A V ^a   Cao, Y ^a   Tu, J S ^a   Yu, G L ^a   Jalil, R ^a   Novoselov, K S ^a   Haigh, S J ^a   Gholinia, A ^a   Mishchenko, A ^a   Lozada, M ^a   Georgiou, T ^a   Woods, C R ^a   Withers, F ^a   Blake, P ^a   Eda, G ^b   Wirsig, A ^c   Hucho, C ^c   Watanabe, K ^d   Taniguchi, T ^d   Geim, A K ^a   Gorbachev, R V ^a   more..

^a UNIVERSITY OF MANCHESTER   (United Kingdom)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^c PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

^d NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

Author keywords

boron nitride; capacitance spectroscopy; carrier mobility; Graphene; layered oxides; transitional metals dichalcogenides

Indexed keywords

BORON NITRIDE; CARRIER MOBILITY; ELECTRONIC PROPERTIES; HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTORS; MICA; SUBSTRATES; VANADIUM COMPOUNDS;

BISMUTH STRONTIUM CALCIUM COPPER OXIDES; CAPACITANCE SPECTROSCOPY; DICHALCOGENIDES; ELECTRONIC PROPERTIES OF GRAPHENE; HEXAGONAL BORON NITRIDE; LAYERED OXIDES; SURFACE CONTAMINATIONS; TRANSITION METAL DICHALCOGENIDES;

GRAPHENE;

EID: 84902295574     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl5006542     Document Type: Article

References (30)

1. Geim, A. K.; Novoselov, K. S. Nat. Mater. 2007, 6 (3) 183-191
2. Peres, N. M. R. Rev. Mod. Phys. 2010, 82 (3) 2673-2700
3. Das Sarma, S.; Adam, S.; Hwang, E. H.; Rossi, E. Rev. Mod. Phys. 2011, 83 (2) 407-470
4. Ponomarenko, L. A.; Yang, R.; Mohiuddin, T. M.; Katsnelson, M. I.; Novoselov, K. S.; Morozov, S. V.; Zhukov, A. A.; Schedin, F.; Hill, E. W.; Geim, A. K. Phys. Rev. Lett. 2009, 102 (20) 206603
5. Dean, C. R.; Young, A. F.; Meric, I.; Lee, C.; Wang, L.; Sorgenfrei, S.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Kim, P.; Shepard, K. L.; Hone, J. Nat. Nanotechnol. 2010, 5 (10) 722-726
6. Dean, C. R.; Young, A. F.; Cadden-Zimansky, P.; Wang, L.; Ren, H.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Kim, P.; Hone, J.; Shepard, K. L. Nat. Phys. 2011, 7 (9) 693-696
7. Mayorov, A. S.; Gorbachev, R. V.; Morozov, S. V.; Britnell, L.; Jalil, R.; Ponomarenko, L. A.; Blake, P.; Novoselov, K. S.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Geim, A. K. Nano Lett. 2011, 11 (6) 2396-2399
8. Taychatanapat, T.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Jarillo-Herrero, P. Nat. Phys. 2013, 9 (4) 225-229
9. Geim, A. K.; Grigorieva, I. V. Nature 2013, 499 (7459) 419-425
10. Ponomarenko, L. A.; Geim, A. K.; Zhukov, A. A.; Jalil, R.; Morozov, S. V.; Novoselov, K. S.; Grigorieva, I. V.; Hill, E. H.; Cheianov, V. V.; Fal'ko, V. I.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Gorbachev, R. V. Nat. Phys. 2011, 7 (12) 958-961
11. Haigh, S. J.; Gholinia, A.; Jalil, R.; Romani, S.; Britnell, L.; Elias, D. C.; Novoselov, K. S.; Ponomarenko, L. A.; Geim, A. K.; Gorbachev, R. Nat. Mater. 2012, 11 (9) 764-767
12. Wang, L.; Meric, I.; Huang, P. Y.; Gao, Q.; Gao, Y.; Tran, H.; Taniguchi, T.; Watanabe, K.; Campos, L. M.; Muller, D. A.; Guo, J.; Kim, P.; Hone, J.; Shepard, K. L.; Dean, C. R. Science 2013, 342 (6158) 614-617
13. Wang, Q. H.; Kalantar-Zadeh, K.; Kis, A.; Coleman, J. N.; Strano, M. S. Nat. Nanotechnol. 2012, 7 (11) 699-712
14. He, K. T.; Wood, J. D.; Doidge, G. P.; Pop, E.; Lyding, J. W. Nano Lett. 2012, 12 (6) 2665-2672
15. Shim, J.; Lui, C. H.; Ko, T. Y.; Yu, Y. J.; Kim, P.; Heinz, T. F.; Ryu, S. Nano Lett. 2012, 12 (2) 648-654
16. Xu, K.; Cao, P. G.; Heath, J. R. Science 2010, 329 (5996) 1188-1191
17. Yu, G. L.; Jalil, R.; Belle, B.; Mayorov, A. S.; Blake, P.; Schedin, F.; Morozov, S. V.; Ponomarenko, L. A.; Chiappini, F.; Wiedmann, S.; Zeitler, U.; Katsnelson, M. I.; Geim, A. K.; Novoselov, K. S.; Elias, D. C. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2013, 110 (9) 3282-3286
18. Du, X.; Skachko, I.; Barker, A.; Andrei, E. Y. Nat. Nanotechnol. 2008, 3 (8) 491-495
19. Elias, D. C.; Gorbachev, R. V.; Mayorov, A. S.; Morozov, S. V.; Zhukov, A. A.; Blake, P.; Ponomarenko, L. A.; Grigorieva, I. V.; Novoselov, K. S.; Guinea, F.; Geim, A. K. Nat. Phys. 2011, 7 (9) 701-704
20. Novoselov, K. S.; Jiang, D.; Schedin, F.; Booth, T. J.; Khotkevich, V. V.; Morozov, S. V.; Geim, A. K. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2005, 102 (30) 10451-10453
21. Xu, M. S.; Liang, T.; Shi, M. M.; Chen, H. Z. Chem. Rev. 2013, 113 (5) 3766-3798
22. Hong, X.; Zou, K.; Zhu, J. Phys. Rev. B 2009, 80 (24) 241415
23. Mayorov, A. S.; Elias, D. C.; Mukhin, I. S.; Morozov, S. V.; Ponomarenko, L. A.; Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Gorbachev, R. V. Nano Lett. 2012, 12 (9) 4629-4634
24. Monteverde, M.; Ojeda-Aristizabal, C.; Weil, R.; Bennaceur, K.; Ferrier, M.; Gueron, S.; Glattli, C.; Bouchiat, H.; Fuchs, J. N.; Maslov, D. L. Phys. Rev. Lett. 2010, 104 (12) 126801
25. Kaplit, M.; Zemel, J. N. Phys. Rev. Lett. 1968, 21 (4) 212-215
26. Eisenstein, J. P.; Pfeiffer, L. N.; West, K. W. Phys. Rev. B 1994, 50 (3) 1760-1778
27. Ponomarenko, L. A.; Yang, R.; Gorbachev, R. V.; Blake, P.; Mayorov, A. S.; Novoselov, K. S.; Katsnelson, M. I.; Geim, A. K. Phys. Rev. Lett. 2010, 105 (13) 136801
28. Hunt, B.; Sanchez-Yamagishi, J. D.; Young, A. F.; Yankowitz, M.; LeRoy, B. J.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Moon, P.; Koshino, M.; Jarillo-Herrero, P.; Ashoori, R. C. Science 2013, 340 (6139) 1427-1430
29. Sze, S. M.; Ng, K. K. Physics of Semiconductor Devices; John Wiley & Sons: New York, 2007.
30. DaCosta, A.; Mathieu, C.; Barbaux, Y.; Poelman, H.; DalmaiVennik, G.; Fiermans, L. Surf. Sci. 1997, 370 (2-3) 339-344