Retention failure analysis of metal-oxide based resistive memory

Applied Physics Letters

Volumn 105, Issue 11, 2014, Pages

  Choi, Shinhyun ^a   Lee, Jihang ^a   Kim, Sungho ^a   Lu, Wei D ^a  

^a UNIVERSITY OF MICHIGAN   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

METAL-OXIDE; RESISTIVE MEMORY;

EID: 84907246748     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4896154     Document Type: Article

References (21)

1. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R. S. Williams, Nature 453, 80 (2008). 10.1038/nature06932
2. R. Waser and M. Aono, Nat. Mater. 6, 833 (2007). 10.1038/nmat2023
3. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, and K. Szot, Adv. Mater. 21, 2632 (2009). 10.1002/adma.200900375
4. J. J. Yang, D. B. Strukov, and D. R. Stewart, Nat. Nanotechnol. 8, 13 (2013). 10.1038/nnano.2012.240
5. M. Di Ventra, Y. V. Pershin, and L. O. Chua, Proc. IEEE 97, 1717 (2009). 10.1109/JPROC.2009.2021077
6. B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, C. Rohde, S. Choi, J. H. Oh, H. J. Kim, C. S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg, and S. Tiedke, J. Appl. Phys. 98, 033715 (2005). 10.1063/1.2001146
7. H. Y. Lee, Y. S. Chen, P. S. Chen, T. Y. Wu, F. Chen, C. C. Wang, P. J. Tzeng, M.-J. Tsai, and C. Lien, IEEE Electron Device Lett. 31, 44 (2010). 10.1109/LED.2009.2034670
8. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D. Suh, J. C. Park, S. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U. Chung, and I. T. Moon, IEDM Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2004, 587. 10.1109/IEDM.2004.1419228
9. Y. Yang, S. Choi, and W. Lu, Nano Lett. 13, 2908 (2013). 10.1021/nl401287w
10. M.-J. Lee, C. B. Lee, D. Lee, S. R. Lee, M. Chang, J. H. Hur, Y.-B. Kim, C.-J. Kim, D. H. Seo, S. Seo, U.-I. Chung, I.-K. Yoo, and K. Kim, Nat. Mater. 10, 625 (2011). 10.1038/nmat3070
11. J. J. Yang, M.-X. Zhang, J. P. Strachan, F. Miao, M. D. Pickett, R. D. Kelley, G. Medeiros-Ribeiro, and R. S. Williams, Appl. Phys. Lett. 97, 232102 (2010). 10.1063/1.3524521
12. A. C. Torrezan, J. P. Strachan, G. Medeiros-Ribeiro, and R. S. Williams, Nanotechnology 22, 485203 (2011). 10.1088/0957-4484/22/48/485203
13. J. P. Strachan, A. C. Torrezan, G. Medeiros-Ribeiro, and R. S. Williams, Nanotechnology 22, 505402 (2011). 10.1088/0957-4484/22/50/505402
14. Y. Yang, P. Sheridan, and W. Lu, Appl. Phys. Lett. 100, 203112 (2012). 10.1063/1.4719198
15. S. Kim, S. Choi, and W. Lu, ACS Nano 8, 2369 (2014). 10.1021/nn405827t
16. S. Kim, S.-J. Kim, K. M. Kim, S. R. Lee, M. Chang, E. Cho, Y.-B. Kim, C. J. Kim, U.-I. Chung, and I.-K. Yoo, Sci. Rep. 3, 1680 (2013). 10.1038/srep01680
17. F. Nardi, S. Balatti, S. Larentis, and D. Ielmini, IEEE Int. Electron Devices Meet. 2011, 13.1.1. 10.1109/IEDM.2011.6131647
18. S. Larentis, F. Nardi, S. Balatti, D. C. Gilmer, and D. Ielmini, IEEE Trans. Electron Devices 59, 2468 (2012). 10.1109/TED.2012.2202320
19. S. Choi, Y. Yang, and W. Lu, Nanoscale 6, 400 (2014). 10.1039/c3nr05016e
20. I. Goldfarb, F. Miao, J. J. Yang, W. Yi, J. P. Strachan, M.-X. Zhang, M. D. Pickett, G. Medeiros-Ribeiro, and R. S. Williams, Appl. Phys. A 107, 1 (2012). 10.1007/s00339-012-6856-z
21. Z. Wei, T. Takagi, Y. Kanzawa, Y. Katoh, T. Ninomiya, K. Kawai, S. Muraoka, S. Mitani, K. Katayama, S. Fujii, R. Miyanaga, Y. Kawashima, T. Mikawa, K. Shimakawa, and K. Aono, IEEE Int. Electron Devices Meet. 2011, 31.4.1. 10.1109/IEDM.2011.6131650