A light incident angle switchable ZnO nanorod memristor: Reversible switching behavior between two non-volatile memory devices

Advanced Materials

Volumn 25, Issue 44, 2013, Pages 6423-6429

  Park, Jinjoo ^a   Lee, Seunghyup ^b   Lee, Junghan ^a   Yong, Kijung ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

^b Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

incident angle; light; memristive switching; superhydrophobicity; ZnO nanorod

Indexed keywords

ELECTRICAL SIGNAL; INCIDENT ANGLES; NONVOLATILE MEMORY DEVICES; PASSIVATION LAYER; RESISTIVE SWITCHING DEVICES; REVERSIBLE SWITCHING; SUPERHYDROPHOBICITY; ZNO NANOROD;

DATA STORAGE EQUIPMENT; LIGHT; NANORODS; PASSIVE FILTERS; ZINC OXIDE;

MEMRISTORS;

EID: 84888640121     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201303017     Document Type: Article

References (57)

1. Y. Huang, X. F. Duan, Y. Cui, L. J. Lauhon, K. H. Kim, C. M. Lieber, Science 2001, 294, 1313.
2. Y. Li, F. Qian, J. Xiang, C. M. Lieber, Mater. Today 2006, 9, 18.
3. L. O. Chua, IEEE Trans. on Circuit Theory 1971, 18.
4. J. M. Tour, T. He, Nature 2008, 453, 42.
5. L. Chua, Appl. Phys. A 2011, 102, 765.
6. R. Waser, M. Aono, Nat. Mater. 2007, 6, 833.
7. A. Sawa, Mater. Today 2008, 11, 28.
8. J. J. Yang, M. D. Pickett, X. M. Li, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nat. Nanotechnol 2008, 3, 429.
9. M. J. Lee, C. B. Lee, D. Lee, S. R. Lee, M. Chang, J. H. Hur, Y. B. Kim, C. J. Kim, D. H. Seo, S. Seo, U. I. Chung, I. K. Yoo, K. Kim, Nature Mater. 2011, 10, 625.
10. M. J. Lee, S. I. Kim, C. B. Lee, H. X. Yin, S. E. Ahn, B. S. Kang, K. H. Kim, J. C. Park, C. J. Kim, I. Song, S. W. Kim, G. Stefanovich, J. H. Lee, S. J. Chung, Y. H. Kim, Y. Park, Adv. Funct. Mat. 2009, 19, 1587.
11. A. Asamitsu, Y. Tomioka, H. Kuwahara, Y. Tokura, Nature 1997, 388, 50.
12. U. Russo, D. Ielmini, C. Cagli, A. L. Lacaita, IEEE Trans. Electron Dev. 2009, 56, 193.
13. M. Ungureanu, R. Zazpe, F. Golmar, P. Stoliar, R. Llopis, F. Casanova, L. E. Hueso, Adv. Mater. 2012, 24, 2496.
14. J. Park, S. Lee, K. Yong, Nanotechnology 2012, 23.
15. H. P. Ashok Bera, J. Louremban, Y. Shen, X. W. Sun, T. Wu, Adv. Func. Mat. 2013, 8.
16. J. Hwang, M. Pototschnig, R. Lettow, G. Zumofen, A. Renn, S. Gotzinger, V. Sandoghdar, Nature 2009, 460, 76.
17. D. A. B. Miller, Nat. Photonics 2010, 4, 3.
18. M. Orrit, Nature 2009, 460, 42.
19. Y. C. Yang, X. X. Zhang, M. Gao, F. Zeng, W. Y. Zhou, S. S. Xie, F. Pan, Nanoscale 2011, 3, 1917.
20. Y. C. Yang, F. Pan, Q. Liu, M. Liu, F. Zeng, Nano Lett. 2009, 9, 1636.
21. H. Kind, H. Q. Yan, B. Messer, M. Law, P. D. Yang, Adv. Mater. 2002, 14, 158.
22. X. D. Wang, C. J. Summers, Z. L. Wang, Nano Lett. 2004, 4, 423.
23. J. H. He, S. T. Ho, T. B. Wu, L. J. Chen, Z. L. Wang, Chem. Phys. Lett. 2007, 435, 119.
24. L. Vayssieres, Adv. Mater. 2003, 15, 464.
25. D. S. Park, Y. J. Tak, J. Y. Kim, K. J. Yong, Surf. Rev. Lett. 2007, 14, 1061.
26. C. Soci, A. Zhang, B. Xiang, S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, J. Park, X. Y. Bao, Y. H. Lo, D. Wang, Nano Lett. 2007, 7, 1003.
27. J. H. He, P. H. Chang, C. Y. Chen, K. T. Tsai, Nanotechnology 2009, 20.
28. S. I. Kim, J. H. Lee, Y. W. Chang, S. S. Hwang, K. H. Yoo, Appl. Phys. Lett. 2008, 93.
29. D. Ielmini, C. Cagli, F. Nardi, Y. Zhang, J. Phys. D Appl. Phys. 2013, 46.
30. E. D. Herderick, K. M. Reddy, R. N. Sample, T. I. Draskovic, N. P. Padture, Appl. Phys. Lett. 2009, 95.
31. H. B. Dong, X. X. Zhang, D. Zhao, Z. Q. Niu, Q. S. Zeng, J. Z. Li, L. Cai, Y. C. Wang, W. Y. Zhou, M. Gao, S. S. Xie, Nanoscale 2012, 4, 2571.
32. S. Seunghyup Lee, J. Junghan Lee, J. Jinjoo Park, Y. Youngwoo Choi, K. Kijung Yong, Adv. Mater. 2012, 24, 2418.
33. R. Poetes, K. Holtzmann, K. Franze, U. Steiner, Phys. Rev. Lett. 2010, 105.
34. S. Seunghyup Lee, W. Wooseok Kim, K. Kijung Yong, Adv. Mater. 2011, 23, 4398.
35. X. Yang, B. J. Choi, A. B. K. Chen, I. W. Chen, Acs Nano 2013, 7, 2302.
36. S. Subramani, M. Devarajan, Eur. Phys. J-Appl. Phys. 2012, 58.
37. Y. D. Chiang, W. Y. Chang, C. Y. Ho, C. Y. Chen, C. H. Ho, S. J. Lin, T. B. Wu, J. H. He, IEEE Trans. Electron. Dev. 2011, 58, 1735.
38. J. Qi, M. Olmedo, J. J. Ren, N. Zhan, J. Z. Zhao, J. G. Zheng, J. L. Liu, Acs Nano 2012, 6, 1051.
39. W. Park, G. Jo, W. K. Hong, J. Yoon, M. Choe, S. Lee, Y. Ji, G. Kim, Y. H. Kahng, K. Lee, D. L. Wang, T. Lee, Nanotechnology 2011, 22.
40. N. Xu, L. F. Liu, X. Sun, X. Y. Liu, D. D. Han, Y. Wang, R. Q. Han, J. F. Kang, B. Yu, Appl. Phys. Lett. 2008, 92.
41. S. Dhara, P. K. Giri, Nanoscale Res. Lett. 2011, 6.
42. A. Gurlo, Chem. Phys. Chem 2006, 7, 2041.
43. S. Baek, J. Song, S. Lim, Physica B 2007, 399, 101.
44. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot, Adv. Mater. 2009, 21, 2632.
45. Y. B. Nian, J. Strozier, N. J. Wu, X. Chen, A. Ignatiev, Phys. Rev. Lett. 2007, 98.
46. W. Park, G. Jo, W. K. Hong, J. Yoon, M. Choe, S. Lee, Y. Ji, G. Kim, Y. H. Kahng, K. Lee, D. L. Wang, T. Lee, Nanotechnology 2011, 22.
47. R. Yang, K. Terabe, T. Tsuruoka, T. Hasegawa, M. Aono, Appl. Phys. Lett. 2012, 100.
48. J. J. Ke, Z. J. Liu, C. F. Kang, S. J. Lin, J. H. He, Appl. Phys. Lett. 2011, 99.
49. K. Nagashima, T. Yanagida, K. Oka, M. Kanai, A. Klamchuen, S. Rahong, G. Meng, M. Horprathum, B. Xu, F. Zhuge, Y. He, B. H. Park, T. Kawai, Nano Lett. 2012, 12, 5684.
50. S. Moller, C. Perlov, W. Jackson, C. Taussig, S. R. Forrest, Nature 2003, 426, 166.
51. Y. Ji, S. Lee, B. Cho, S. Song, T. Lee, Acs Nano 2011, 5, 5995.
52. J. Q. Liu, Z. Y. Yin, X. H. Cao, F. Zhao, L. H. Wang, W. Huang, H. Zhang, Adv. Mater. 2013, 25, 233.
53. T. S. Wong, S. H. Kang, S. K. Y. Tang, E. J. Smythe, B. D. Hatton, A. Grinthal, J. Aizenberg, Nature 2011, 477, 443.
54. a) M. H. Lee, C. S. Hwang, Nanoscale 2011, 3, 490
55. b) K. M. Kim, D. S. Jeong, C. S. Hwang, Nanotechnology 2011, 22.
56. K. L. O'Neal, H. Zhang, Y. H. Yang, L. Hong, D. J. Lu, S. G. Weber, J Chromatogr A 2010, 1217, 2287.
57. M. K. Yang, R. H. French, E. W. Tokarsky, J. Micro-Nanolith. Mem. 2008, 7.