Resistive switching WOx-Au core-shell nanowires with unexpected nonwetting stability even when submerged under water

Advanced Materials

Volumn 24, Issue 18, 2012, Pages 2418-2423

  Lee, Seunghyup ^a   Lee, Junghan ^a   Park, Jinjoo ^a   Choi, Youngwoo ^a   Yong, Kijung ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

Author keywords

core shell structure; resistive switching; superhydrophobicity; tungsten oxide nanowire; waterproof device

Indexed keywords

CORE SHELL STRUCTURE; RESISTIVE SWITCHING; SUPERHYDROPHOBICITY; TUNGSTEN OXIDE NANOWIRES; WATERPROOF DEVICE;

HYDROPHOBICITY; LEAKAGE CURRENTS; OXIDES; SWITCHING SYSTEMS; TUNGSTEN COMPOUNDS;

NANOWIRES;

GOLD; NANOWIRE; OXIDE; TUNGSTEN; TUNGSTEN OXIDE; WATER;

ARTICLE; CHEMICAL PHENOMENA; CHEMISTRY; ELECTRODE; THERMODYNAMICS;

ELECTRODES; GOLD; HYDROPHOBIC AND HYDROPHILIC INTERACTIONS; NANOWIRES; OXIDES; THERMODYNAMICS; TUNGSTEN; WATER;

EID: 84860535512     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201200068     Document Type: Article

References (32)

1. M. S. Gudiksen, L. J. Lauhon, J. Wang, D. C. Smith, C. M. Lieber, Nature 2002, 415, 617.
2. R. Yan, D. Gargas, P. D. Yang, Nat. Photonics 2009, 3, 569.
3. B. Tian, T. J. Kempa, C. M. Lieber, Chem. Soc. Rev. 2009, 38, 16.
4. M. Y. Lu, J. H. Song, M. P. Lu, C. Y. Lee, L. J. Chen, Z. L. Wang, Acs Nano 2009, 3, 357.
5. M. G. Kim, J. Cho, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 1497.
6. K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara, K. Hiruma, T. Fukui, Nano Lett. 2010, 10, 1639.
7. Y. F. Hu, Y. L. Chang, P. Fei, R. L. Snyder, Z. L. Wang, ACS Nano 2010, 4, 1234.
8. J. Wallentin, J. M. Persson, J. B. Wagner, L. Samuelson, K. Deppert, M. T. Borgstrom, Nano Lett. 2010, 10, 974.
9. G. A. Niklasson, C. G. Granqvist, J. Mater. Chem. 2007, 17, 127.
10. X. L. Li, T. J. Lou, X. M. Sun, Y. D. Li, Inorg. Chem. 2004, 43, 5442.
11. M. R. Bayati, F. Golestani-Fard, A. Z. Moshfegh, Appl. Catal. a-Gen. 2010, 382, 322.
12. G. Kwak, M. Lee, K. Yong, Langmuir 2010, 26, 9964.
13. G. Kwak, M. Lee, K. Senthil, K. Yong, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 153101.
14. A. Nakajima, K. Hashimoto, T. Watanabe, K. Takai, G. Yamauchi, A. Fujishima,. Langmuir 2000, 16, 7044.
15. X. Zhang, F. Shi, J. Niu, Y. G. Jiang, Z. Q. Wang, J. Mater. Chem. 2008, 18, 621.
16. P. Tourkine, M. Le Merrer, D. Quere, Langmuir 2009, 25, 7214.
17. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot, Adv. Mater. 2009, 21, 2632.
18. D. H. Kwon, K. M. Kim, J. H. Jang, J. M. Jeon, M. H. Lee, G. H. Kim, X. S. Li, G. S. Park, B. Lee, S. Han, M. Kim, C. S. Hwang, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 148.
19. R. Waser, M. Aono, Nat. Mater. 2007, 6, 833.
20. A. Sawa, Mater. Today. 2008, 11, 28.
21. K. Nagashima, T. Yanagida, K. Oka, M. Taniguchi, T. Kawai, J. S. Kim, B. H. Park, Nano Lett. 2010, 10, 1359.
22. K. Oka, T. Yanagida, K. Nagashima, T. Kawai, J. S. Kim, B. H. Park, J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 6634.
23. W. Z. Wu, Z. L. Wang, Nano Lett. 2011, 11, 2779.
24. K. P. Biju, X. Liu, M. Siddik, S. Kim, J. Shin, I. Kim, A. Ignatiev, H. Hwang, J. Appl. Phys. 2011, 110, 064505.
25. W. C. Chien, Y. C. Chen, E. K. Lai, Y. D. Yao, P. Lin, S. F. Horng, J. Gong, T. H. Chou, H. M. Lin, M. N. Chang, Y. H. Shih, K. Y. Hsieh, R. Liu, C. Y. Lu, IEEE Electron Device Lett. 2010, 31, 126.
26. D. S. Shang, L. Shi, J. R. Sun, B. G. Shen, F. Zhuge, R. W. Li, Y. G. Zhao, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 072103.
27. S. Lee, W. Kim, K. Yong, Adv. Mater. 2011, 23, 4398.
28. J. J. Yang, M. D. Pickett, X. M. Li, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 429.
29. L. O. Chua, IEEE Trans. on Circuit Theory 1971, CT-18, 507.
30. J. R. Yeargan, H. L. Taylor, J. Appl. Phys. 1968, 39, 5600.
31. A. B. D. Cassie, S. Baxter, Trans. Faraday Soc. 1944, 40, 546.
32. R. Poetes, K. Holtzmann, K. Franze, U. Steiner, Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 166104.