Gallium nitride crystals grown by hydride vapor phase epitaxy with dislocation reduction mechanism

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Volumn 2, Issue 8, 2013, Pages

  Usui, Akira ^a  

^a FURUKAWA CO LTD   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84887397852     PISSN: 21628769     EISSN: 21628777     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/2.010308jss     Document Type: Article

References (24)

1. H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys., 45, 7565 (2006).
2. H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys., 52, 050001 (2013).
3. J. A. Van Vechten, Phys. Rev., B, 7, 1479 (1973).
4. J. Karpinski, J. Jun, and S. Porowski, J. Cryst. Growth, 66, 1 (1984).
5. K. Motoki, T. Okahisa, N. Matsumoto, M. Matsushima, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, T. Hirano, M. Nakayama, S. Nakahata, M. Ueno, D. Hara, Y. Kumagai, A. Koukitu, and H. Seki, Jpn. J. Appl. Phys., 40, L140 (2001).
6. Y. Ohshima, T. Eri, M. Shibata, H. Sunakawa, K. Kobayashi, T. Ichihashi, and A. Usui, Jpn. J. Appl. Phys., 42, L1 (2003).
7. H. Geng, H. Sunakawa, N. Sumi, K. Yamamoto, A. A. Yamaguchi, and A. Usui, J. Cryst. Growth, 350, 44 (2012).
8. K. Fujito, S. Kubo, H. Nagaoka, T. Mochizuki, H. Namita, and S. Nagao, J. Cryst. Growth, 311, 3011 (2009).
9. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., 36, L899 (1997).
10. T. Yoshida, Y. Oshima, K. Watanabe, T. Tsuchiya, and M. Tomoyoshi, physica status solidi (c), 8, 2110 (2011).
11. R. Dwilinski, R. Doradzinski, J. Garczynski, L. Sierzputowski, R. Kucharski, M. Rudzinski, M. Zaja^ c, and R. Kudrawiec, Phys. Status Solidi, C, 6, 2661 (2009).
12. M. Saito, D. S. Kamber, T. J. Baker, K. Fujito, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. Nakamura: Appl. Phys. Express, 1, 121103 (2008).
13. H. Yamane, M. Shimada, T. Sekiguchi, and F. J. DiSalvo, Chem. Mater, 9, 413 (1997).
14. F. Kawamura, M. Morishita, M. Tampo, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Kitaoka, Y. Mori, and T. Sasaki, J. Cryst. Growth, 310, 3946 (2008).
15. Y. Suzuki and T. Nishinaga, Jpn. J. Appl. Phys., 28, 440 (1989).
16. Y. Ujiie and T. Nishinaga, Jpn. J. Appl. Phys., 28, L337 (1989).
17. A. Sakai, H. Sunakawa, A. Kimura, and A. Usui, J. Electron Microscopy, 49, 323 (2000).
18. A. Usui, T. Matsueda, H. Goto, H. Sunakawa, Y. Fujiyama, Y. Ishihara, A. Okada, S. Shoji, A. A. Yamaguchi, H. Nishihara, H. Shinohara, H. Goto, and J. Mizuno, Jpn. J. Appl. Phys., 52, 08JB02 (2013).
19. S. Y. Chou, P. R. Krauss, and P. J. Renstrom, Appl. Phys. Lett, 67, 3114 (1995).
20. M. Fukuhara, J. Mizuno, M. Saito, T. Homma, and S. Shoji, IEEJ Trans. Elec. Electron. Eng., 2, 307 (2007).
21. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett, 73, 481 (1998).
22. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett, 71, 2259 (1997).
23. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett., 48, 353 (1986).
24. A. A. Yamaguchi, H. Y. Geng, H. Sunakawa, N. Sumi, K. Yamamoto, and A. Usui, ph a tatus d (c) 8, 1455 (2011).