Properties of truly bulk GaN monocrystals grown by ammonothermal method

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics

Volumn 6, Issue 12, 2009, Pages 2661-2664

  Dwiliński, Robert ^a   Doradziński, Roman ^a   Garczyński, Jerzy ^a   Sierzputowski, Leszek ^a   Kucharski, Robert ^a   Rudziński, Mariusz ^b   Zaja̧c, Marcin ^a   Kudrawiec, Robert ^c  

^a AMMONO Sp Zoo   (Poland)

^b ukasiewicz Research Network Institute of Microelectronics and Photonics   (Poland)

^c WROCLAW UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Poland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMMONOTHERMAL; AMMONOTHERMAL METHOD; ELECTRICAL PARAMETER; GAN CRYSTALS; GAN SUBSTRATE; HOMOEPITAXIAL LAYERS; LOW-DISLOCATION DENSITY; MONO-CRYSTALS; NON-POLAR; OPTICAL QUALITIES; ROCKING CURVES; STRAIN-FREE; WIDE SPECTRUM;

BUILDING MATERIALS; DISLOCATIONS (CRYSTALS); GALLIUM NITRIDE; INSULATING MATERIALS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SINGLE CRYSTALS;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 77951716447     PISSN: 18626351     EISSN: 16101642     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssc.200982582     Document Type: Conference Paper

References (18)

1. H. Morkoc, Nitride semiconductors and devices (Springer, Heidelberg, 1999).
2. B. Łucznik, B. Pastuszka, I. Grzegory, M. Boćkowski, G. Kamler, E. Litwin-Staszewska, and S. Porowski, J. Cryst. Growth 281, 38 (2005).
3. H. Yamane, M. Shimada, S.J. Clarke, and F. J. DiSalvo, Chem. Mater. 9, 413 (1997).
4. I. Grzegory, M. Boćkowski, B. Łucznik, S. Krukowski, Z. Romanowski, M. Wróblewski, and S. Porowski, J. Cryst. Growth 246, 177 (2002).
5. R. Dwiliński, R. Doradziński, J. Garczyński, L.P. Sierzputowski, A. Puchalski, Y. Kanbara, K. Yagi, H. Minakuchi, and H. Hayashi, J. Cryst. Growth 311, 3015 (2009).
6. K. Byrappa and M. Yoshimura, Handbook of Hydrothermal Technology (Noyes Publications, 2001).
7. R.T. Dwilinski, R.M. Doradzinski, J.S. Garczynski, L.P. Sierzputowski, and Y. Kanbara, United States Patent no. 6,656,615 B2 (02.12.2003).
8. R. Dwilinski, R. Doradzinski, J. Garczynski, L.P. Sierzputowski, A. Puchalski, Y. Kanbara, K. Yagi, H. Minakuchi, and H. Hayashi, J. Cryst. Growth 310, 3911 (2008).
9. A. Yoshikawa, E. Ohshima, T. Fukuda, H. Tsuji, and K. Oshima, J. Cryst. Growth 260, 67 (2004).
10. T. Paskova, R. Kroeger, D. Hommel, P.P. Paskov, B. Monemar, E. Preble, A. Hanser, N.M. Wiliams, and M. Tutor, Phys. Status Solidi C 4, 2536 (2007).
11. K. Fujito, K. Kiyomi, T. Mochizuki, H. Oota, H. Namita, S. Nagao, and I. Fujimura, Phys. Status Solidi A 205, 1056 (2008).
12. R.T. Dwilinski, R.M. Doradzinski, J. Garczynski, L.P. Sierzputowski, and Y. Kanbara, International Patent Application no. PCT\PL2005\000036 (10.06.2005).
13. R. Kudrawiec, M. Motyka, J. Misiewicz, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, and M. Tłaczała, Microelectron. J 40, 370 (2008).].
14. R. Dwiliński, R. Doradziński, J. Garczyński, L.P. Sierzputowski, M. Rudziński, and M. Zaja̧c, J. Cryst. Growth 311, 3058 (2009).
15. R. Kudrawiec, J. Misiewicz, M. Rudziński, and M. Zaja̧c, Appl. Phys. Lett. 93, 061910 (2008).
16. R. Kudrawiec, M. Rudziński, J. Serafinczuk, M. Zaja̧c, and J. Misiewcz, J. Appl. Phys. 105, 093541 (2009).
17. K.P. Korona, A. Wysmołek, K. Pakuła, R. Stȩpniewski, J.M. Baranowski, I. Grzegory, B. Łucznik, M. Wróblewski, S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 69, 788 (1996).
18. P. Misra, O. Brandt, and H.T. Grahn, H. Teisseyre, M. Siekacz, C. Skierbiszewski, and B. Lucznik, Appl. Phys. Lett. 91, 141903 (2007).