P-type beta-silver vanadate nanoribbons for nanoelectronic devices with tunable electrical properties

Advanced Functional Materials

Volumn 23, Issue 41, 2013, Pages 5116-5122

  Feng, Mei ^a   Luo, Lin Bao ^b   Nie, Biao ^b   Yu, Shu Hong ^a  

^a UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA   (China)

^b HEFEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

AgVO3; barrier height; field effect transistors; nano Schottky barrier diodes; rectifying behavior; surface engineering

Indexed keywords

BARRIER DIODES; BARRIER HEIGHTS; ELECTRICAL TRANSPORT PROPERTIES; NANOELECTRONIC DEVICES; P TYPE SEMICONDUCTOR; RECTIFYING BEHAVIORS; SILVER VANADIUM OXIDES; SURFACE ENGINEERING;

ELECTRON SPIN RESONANCE SPECTROSCOPY; FIELD EFFECT TRANSISTORS; NANOELECTRONICS; NANORIBBONS; SCHOTTKY BARRIER DIODES; TRANSPORT PROPERTIES;

ELECTRIC PROPERTIES;

EID: 84887091665     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.201300413     Document Type: Article

References (49)

1. J. S. Lee, S. N. Cha, J. M. Kim, H. W. Nam, S. H. Lee, W. B. Ko, K. L. Wang, J. G. Park, J. P. Hong, Adv. Mater. 2011, 23, 4183.
2. Q. Y. He, S. X. Wu, Z. Y. Yin, H. Zhang, Chem. Sci. 2012, 3, 1764.
3. J. A. del Alamo, Nature 2011, 479, 317.
4. J. P. Colinge, C. W. Lee, A. Afzalian, N. D. Akhavan, R. Yan, I. Ferain, P. Razavi, B. O'Neill, A. Blake, M. White, A. M. Kelleher, B. McCarthy, R. Murphy, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 225.
5. C. M. Lieber, MRS Bull. 2011, 36, 1052.
6. B. Li, X. H. Cao, H. G. Ong, J. W. Cheah, X. Z. Zhou, Z. Y. Yin, H. Li, J. L. Wang, F. Boey, W. Huang, H. Zhang, Adv. Mater. 2010, 22, 3058.
7. X. F. Duan, C. M. Niu, V. Sahi, J. Chen, J. W. Parce, S. Empedocles, J. L. Goldman, Nature 2003, 425, 274.
8. M. S. Gudiksen, L. J. Lauhon, J. Wang, D. C. Smith, C. M. Lieber, Nature 2002, 415, 617.
9. X. F. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. F. Wang, C. M. Lieber, Nature 2001, 409, 66.
10. L. Liao, Z. Zhang, B. Yan, Z. Zheng, Q. L. Bao, T. Wu, C. M. Li, Z. X. Shen, J. X. Zhang, H. Gong, J. C. Li, T. Yu, Nanotechnology 2009, 20, 085203.
11. Y. L. Cao, Y. B. Tang, Y. Liu, Z. T. Liu, L. B. Luo, Z. B. He, J. S. Jie, R. Vellaisamy, W. J. Zhang, C. S. Lee, S. T. Lee, Nanotechnology 2009, 20, 455705.
12. B. Xiang, P. W. Wang, X. Z. Zhang, S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, C. Soci, D. P. Yu, D. L. Wang, Nano Lett. 2007, 7, 323.
13. Y. B. Tang, X. H. Bo, J. Xu, Y. L. Cao, Z. H. Chen, H. S. Song, C. P. Liu, T. F. Hung, W. J. Zhang, H. M. Cheng, I. Bello, S. T. Lee, C. S. Lee, ACS Nano 2011, 5, 3591.
14. F. Sauvage, V. Bodenez, J. M. Tarascon, K. R. Poeppelmeier, J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 6778.
15. J. M. Song, Y. Z. Lin, H. B. Yao, F. J. Fan, X. G. Li, S. H. Yu, ACS Nano 2009, 3, 653.
16. C. R. Xiong, A. E. Aliev, B. Gnade, K. J. Balkus Jr., ACS Nano 2008, 2, 293.
17. S. J. Bao, Q. L. Bao, C. M. Li, T. P. Chen, C. Q. Sun, Z. L. Dong, Y. Gan, J. Zhang, Small 2007, 3, 1174.
18. H. S. Lin, P. A. Maggard, Inorg. Chem. 2008, 47, 8044.
19. R. Konta, H. Kato, H. Kobayashi, A. Kudo, Phys. Chem. Chem. Phys. 2003, 5, 3061.
20. M. W. Shao, L. Lu, H. Wang, S. Wang, M. L. Zhang, D. D. D. Ma, S. T. Lee, Chem. Commun. 2008, 2310.
21. M. I. Bertoni, N. J. Kidner, T. O. Mason, T. A. Albrecht, E. M. Sorensen, K. R. Poeppelmeier, J. Electroceram. 2007, 18, 189.
22. G. Nagaraju, G. T. Chandrappa, J. Livage, Bull. Mater. Sci. 2008, 31, 367.
23. S. S. Sunu, V. Jayaraman, E. Prabhu, K. I. Gnanasekar, T. Gnanasekaran, Ionics 2004, 10, 244.
24. S. Y. Zhang, W. Y. Li, C. S. Li, J. Chen, J. Phys. Chem. B 2006, 110, 24855.
25. W. F. Jin, Y. Ye, L. Gan, B. Yu, P. C. Wu, Y. Dai, H. Meng, X. F. Guo, L. Dai, J. Mater. Chem. 2012, 22, 2863.
26. C. C. Chen, M. Aykol, C. C. Chang, A. F. J. Levi, S. B. Cronin, Nano Lett. 2011, 11, 1863.
27. P. Wadhwa, B. Liu, M. A. McCarthy, Z. C. Wu, A. G. Rinzler, Nano Lett. 2010, 10, 5001.
28. Y. Jiang, W. J. Zhang, J. S. Jie, X. M. Meng, X. Fan, S.-T. Lee, Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 1795.
29. E. M. Sorensen, H. K. Izumi, J. T. Vaughey, C. L. Stern, K. R. Poeppelmeier, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 6347.
30. M. S. Whittingham, Chem. Rev. 2004, 104, 4271.
31. L. Mai, L. Xu, Q. Gao, C. Han, B. Hu, Y. Pi, Nano Lett. 2010, 10, 2604.
32. D. T. Schoen, C. Xie, Y. Cui, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 4116.
33. X. G. Bai, H. D. Liu, D. C. McIntosh, J. C. Campbell, IEEE J. Quantum Electron. 2009, 45, 300.
34. S. H. Lee, G. Jo, W. Park, S. Lee, Y. S. Kim, B. K. Cho, T. Lee, W. B. Kim, ACS Nano 2010, 4, 1829.
35. E. Stern, J. F. Klemic, D. A. Routenberg, P. N. Wyrembak, D. B. Turner Evans, A. D. Hamilton, D. A. LaVan, T. M. Fahmy, M. A. Reed, Nature 2007, 445, 519.
36. N. Elfstrom, R. Juhasz, I. Sychugov, T. Engfeldt, A. E. Karlstrom, J. Linnros, Nano Lett. 2007, 7, 2608.
37. Z. Y. Fan, J. G. Lu, IEEE Trans. Nanotechnol. 2006, 5, 393.
38. P. R. Nair, M. A. Alam, IEEE Trans. Electron Devices 2007, 54, 3400.
39. S. M. Bergin, Y. H. Chen, A. R. Rathmell, P. Charbonneau, Z. Y. Li, B. J. Wiley, Nanoscale 2012, 4, 1996.
40. S. Barth, M. M. Kolesnik, K. Donegan, V. Krstic, J. D. Holmes, Chem. Mater. 2011, 23, 3335.
41. G. Gruner, Anal. Bioanal.Chem. 2006, 384, 322.
42. D. H. Zhang, Z. Q. Liu, C. Li, T. Tang, X. L. Liu, S. Han, B. Lei, C. W. Zhou, Nano Lett. 2004, 4, 1919.
43. J. Wallentin, M. Ek, L. R. Wallenberg, L. Samuelson, M. T. Borgstrom, Nano Lett. 2012, 12, 151.
44. W. K. Hong, G. Jo, J. I. Sohn, W. Park, M. Choe, G. Wang, Y. H. Kahng, M. E. Welland, T. Lee, ACS Nano 2010, 4, 811.
45. C. Y. Chen, J. R. D. Retamal, I. W. Wu, D. H. Lien, M. W. Chen, Y. Ding, Y. L. Chueh, C. I. Wu, J. H. He, ACS Nano 2012, 6, 9366.
46. L. B. Luo, X. B. Yang, F. X. Liang, H. Xu, Y. Zhao, X. Xie, W. F. Zhang, S. T. Lee, J. Phys. Chem. C 2011, 115, 18453.
47. H. Takagi, H. Y. Hwang, Science 2010, 327, 1601.
48. Y. Han, R. Lupitskyy, T. M. Chou, C. M. Stafford, H. Du, S. Sukhishvili, Anal. Chem. 2011, 83, 5873.
49. C. N. Lok, C. M. Ho, R. Chen, Q. Y. He, W. Y. Yu, H. Z. Sun, P. K. H. Tam, J. F. Chiu, C. M. Che, J. Biol. Inorg. Chem. 2007, 12, 527.