All-carbon electronic devices fabricated by directly grown single-walled carbon nanotubes on reduced graphene oxide electrodes

Advanced Materials

Volumn 22, Issue 28, 2010, Pages 3058-3061

  Li, Bing ^a   Cao, Xiehong ^a   Ong, Hock Guan ^a   Cheah, Jun Wei ^a   Zhou, Xiaozhu ^a   Yin, Zongyou ^a   Li, Hai ^a   Wang, Junling ^a   Boey, Freddy ^b   Huang, Wei ^c   Zhang, Hua ^b  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^c NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRONIC DEVICE; OXIDE ELECTRODES; SIMPLE METHOD;

CARBON NANOTUBES; ELECTRODES;

SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBES (SWCN);

CARBON NANOTUBE; OXIDE;

ARTICLE; CHEMISTRY; ELECTRICAL EQUIPMENT; ELECTRODE; VOLATILIZATION;

ELECTRICAL EQUIPMENT AND SUPPLIES; ELECTRODES; NANOTUBES, CARBON; OXIDES; VOLATILIZATION;

EID: 77955384954     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201000736     Document Type: Article

References (43)

1. H. T. Soh, C. F. Quate, A. F. Morpurgo, C. M. Marcus, J. Kong, H. J. Dai, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 627.
2. H. J. Dai, Acc. Chem. Res. 2002, 35, 1035.
3. N. R. Franklin, Q. Wang, T. W. Tombler, A. Javey, M. Shim, H. J. Dai, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 913.
4. Y. Ohno, S. Iwatsuki, T. Hiraka, T. Okazaki, S. Kishimoto, K. Maezawa, H. Shinohara, T. Mizutani, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 2003, 42, 4116.
5. B. L. Allen, P. D. Kichambare, A. Star, Adv. Mater. 2007, 19, 1439.
6. J. Robertson, Mater. Today 2007, 10, 36.
7. Q. Cao, H. S. Kim, N. Pimparkar, J. P. Kulkami, C. J. Wang, M. Shim, K. Roy, M. A. Alam, J. A. Rogers, Nature 2008, 454, 495.
8. S. Kim, S. Ju, J. H. Back, Y. Xuan, P. D. Ye, M. Shim, D. B. Janes, S. Mohammadi, Adv. Mater. 2009, 21, 564.
9. J. Cao, Q. Wang, H. Dai, Nat. Mater. 2005, 4, 745.
10. S. J. Kang, C. Kocabas, T. Ozel, M. Shim, N. Pimparkar, M. A. Alam, S. V. Rotkin, J. A. Rogers, Nat. Nanotechnol. 2007, 2, 230.
11. W. Y. Lee, C. H. Weng, Z. Y. Juang, J. F. Lai, K. C. Leou, C. H. Tsai, Diamond Relat. Mater. 2005, 14, 1852.
12. S. M. Bachilo, L. Balzano, J. E. Herrera, F. Pompeo, D. E. Resasco, R. B. Weisman J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 11186.
13. S. M. Huang, M. Woodson, R. Smalley, J. Liu, Nano Lett. 2004, 4, 1025.
14. L Huang, J. Zhang, S. O'Brien J. Mater. Chem. 2007, 17, 3863.
15. Z. Jin, H. B. Chu, J. Y. Wang, J. X. Hong, W. C. Tan, Y. Li, Nano Lett. 2007, 7, 2073.
16. N. Inami, M. A. Mohamed, E. Shikoh, A. Fujiwara, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 243115.
17. B. Mahar, C. Laslau, R. Yip, Y. Sun, IEEE Sens. J. 2007, 7, 266.
18. A. K. Geim, K. S. Novoselov, Nat. Mater. 2007, 6, 183.
19. H. A. Becerril, J. Mao, Z. Liu, R. M. Stoltenberg, Z. Bao, Y. Chen, ACS Nano 2008, 2, 463.
20. M. J. Allen, V. C. Tung, L. Gomez, Z. Xu, L. M. Chen, K. S. Nelson, C. W. Zhou, R. B. Kaner, Y. Yang, Adv. Mater. 2009, 21, 2098.
21. Y. Wang, Y Huang, Y. Song, X. Y Zhang, Y. F. Ma, J. J. Liang, Y. S. Chen, Nano Lett. 2009, 9, 220.
22. Q. Liu, Z. F. Liu, X. Y. Zhang, N. Zhang, L. Y. Yang, S. G. Yin, Y. S. Chen, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 223303.
23. D. Li, M. B. Muller, S. Gilje, R. B. Kaner, G. G. Wallace, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 101.
24. S. P. Pang, H. N. Tsao, X. L. Feng, K. Müllen, Adv. Mater. 2009, 21, 3488.
25. a) J. B. Wu, H. A. Becerril, Z. N. Bao, Z. F. Liu, Y. S. Chen, P. Peumans, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 263302;
26. b) Z. Y. Yin, S. X. Wu, X. Z. Zhou, X. Huang, Q. Zhang, F. Boey, H. Zhang, Small 2010, 6, 307.
27. (a) X. Z. Zhou, X. Huang, X. Y. Qi, S. X. Wu, C. Xue, F. Y. C. Boey, Q. Y. Yan, P. Chen, H. Zhang, J. Phys. Chem. C 2009, 113, 10842;
28. (b) Z. Wang, X. Zhou, J. Zhang, F. Y. C. Boey, H. Zhang, J. Phys. Chem. C 2009, 113, 14071;
29. (c) X. Z. Zhou, G. Lu, X. Qi, S. Wu, H. Li, F. Boey, H. Zhang, J. Phys. Chem. C 2009, 113, 19119.
30. L. Song, L. J. Ci, W. Gao, P. M. Ajayan, ACS Nano 2009, 3, 1353.
31. B. Li, C. F. Goh, X. Z. Zhou, G. Lu, H. Tantang, Y. H. Chen, C. Xue, F. Y. C. Boey, H. Zhang, Adv. Mater. 2008, 20, 4873.
32. a) B. Li, X. H. Cao, X. Huang, G. Lu, Y. Z. Huang, C. F. Goh, F. Boey, H. Zhang, Small 2009, 5, 2061;
33. b) X. Cao, B. Li, Y. Huang, F. Boey, T. Yu, Z. X. Shen, H. Zhang, ACS Appl. Mater. Interfaces 2009, 1, 1873.
34. a) C. Kocabas, S.-H. Hur, A. Gaur, M. A. Meitl, M. Shim, J. A. Rogers, Small 2005, 1, 1110;
35. b) L. Ding, A. Tselev, J. Y. Wang, D. N. Yuan, H. B. Chu, T. P. McNicholas, Y. Li, J. Liu, Nano Lett. 2009, 9, 800.
36. a) H. Li, J. Zhang, X. Zhou, G. Lu, Z. Yin, G. Li, T. Wu, F. Boey, S. S. Venkatraman, H. Zhang, Langmuir 2010, 26, 5603;
37. b) B. Li, G. Lu, X. Z. Zhou, X. H. Cao, F. Boey, H. Zhang, Langmuir2009, 25, 10455.
38. W. M. Wang, M. C. LeMieux, S. Selvarasah, M. R. Dokmeci, Z. N. Bao, ACS Nano 2009, 3, 3543.
39. F. N. Ishikawa, H. K. Chang, K. Ryu, P. C. Chen, A. Badmaev, L. G. De Arco, G. Z. Shen, C. W. Zhou, ACS Nano 2009, 3, 73.
40. B. S. Kong, J. X. Geng, H. T. Jung, Chem. Commun. 2009, 2174.
41. a) R. Martel, T. Schmidt, H. R. Shea, T. Hertel, P. Avouris, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2447;
42. b) W. J. Kim, C. Y. Lee, K. P. O'Brien, J. J. Plombon, J. M. Blackwell, M. S. Strano, J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 3128.
43. S. Jeon, C. Lee, J. Tang, J. Hone, C. Nuckolls, Nano Res. 2008, 1, 427.