A platform for large-scale graphene electronics - CVD growth of single-layer graphene on CVD-grown hexagonal boron nitride

Advanced Materials

Volumn 25, Issue 19, 2013, Pages 2746-2752

  Wang, Min ^a   Jang, Sung Kyu ^a   Jang, Won Jun ^b   Kim, Minwoo ^a   Park, Seong Yong ^c   Kim, Sang Woo ^d   Kahng, Se Jong ^b   Choi, Jae Young ^c   Ruoff, Rodney S ^e   Song, Young Jae ^a   Lee, Sungjoo ^a  

^a Sungkyunkwan University   (South Korea)

^b Korea University   (South Korea)

^c Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

^d Sungkyunkwan University   (South Korea)

^e The University of Texas at Austin   (United States)

Author keywords

defect free interfaces; direct CVD growth; graphene; h BN; large area

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITIONS (CVD); CVD GROWTHS; DEFECT-FREE; H-BN; HEXAGONAL BORON NITRIDE; HEXAGONAL BORON NITRIDE (H-BN); HYBRID STRUCTURE; LARGE AREA;

BORON NITRIDE; DEFECTS; ELECTRONIC PROPERTIES; FILM GROWTH; GRAPHENE; INTERFACES (MATERIALS);

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

BORON DERIVATIVE; BORON NITRIDE; GRAPHITE;

ARTICLE; ARTIFICIAL MEMBRANE; CHEMISTRY; CONFORMATION; CRYSTALLIZATION; ELECTRONICS; EQUIPMENT; GAS; MACROMOLECULE; MATERIALS TESTING; METHODOLOGY; MOLECULAR IMPRINTING; SURFACE PROPERTY;

BORON COMPOUNDS; CRYSTALLIZATION; ELECTRONICS; GASES; GRAPHITE; MACROMOLECULAR SUBSTANCES; MATERIALS TESTING; MEMBRANES, ARTIFICIAL; MOLECULAR CONFORMATION; MOLECULAR IMPRINTING; SURFACE PROPERTIES;

EID: 84877733785     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201204904     Document Type: Article

References (39)

1. A. K. Geim, K. S. Novoselov, Nat. Mater. 2007, 6, 183.
2. Y. B. Zhang, V. W. Brar, C. Girit, A. Zettl, M. F. Crommie, Nat. Phys. 2009, 5, 722.
3. T. Ando, J. Phys. Soc. Jpn. 2006, 75, 074716.
4. J. H. Chen, C. Jang, S. D. Xiao, M. Ishigami, M. S. Fuhrer, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 206.
5. J. Martin, N. Akerman, G. Ulbricht, T. Lohmann, J. H. Smet, K. Von Klitzing, A. Yacoby, Nat. Phys. 2008, 4, 144.
6. M. Lafkioti, B. Krauss, T. Lohmann, U. Zschieschang, H. Klauk, K. von Klitzing, J. H. Smet, Nano Lett. 2010, 10, 1149.
7. H. M. Wang, Y. H. Wu, C. X. Cong, J. Z. Shang, T. Yu, ACSNano 2010, 4, 7221.
8. Y. G. Lee, C. G. Kang, U. J. Jung, J. J. Kim, H. J. Hwang, H. J. Chung, S. Seo, R. Choi, B. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 183508.
9. J. M. Xue, J. Sanchez-Yamagishi, D. Bulmash, P. Jacquod, A. Deshpande, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Jarillo-Herrero, B. J. Leroy, Nat. Mater. 2011, 10, 282.
10. R. Decker, Y. Wang, V. W. Brar, W. Regan, H. Z. Tsai, Q. Wu, W. Gannett, A. Zettl, M. F. Crommie, Nano Lett. 2011, 11, 2291.
11. C. R. Dean, A. F. Young, I. Meric, C. Lee, L. Wang, S. Sorgenfrei, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Kim, K. L. Shepard, J. Hone, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 722.
12. W. Gannett, W. Regan, K. Watanabe, T. Taniguchi, M. F. Crommie, A. Zettl, Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 242105.
13. K. H. Lee, H. J. Shin, J. Lee, I. Y. Lee, G. H. Kim, J. Y. Choi, S. W. Kim, Nano Lett. 2012, 12, 714.
14. P. J. Zomer, S. P. Dash, N. Tombros, B. J. van Wees, Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 232104.
15. Z. Liu, L. Song, S. Z. Zhao, J. Q. Huang, L. L. Ma, J. N. Zhang, J. Lou, P. M. Ajayan, Nano Lett. 2011, 11, 2032.
16. L. Britnell, R. V. Gorbachev, R. Jalil, B. D. Belle, F. Schedin, A. Mishchenko, T. Georgiou, M. I. Katsnelson, L. Eaves, S. V. Morozov, N. M. R. Peres, J. Leist, A. K. Geim, K. S. Novoselov, L. A. Ponomarenko, Science 2012, 335, 947.
17. M. Yankowitz, J. M. Xue, D. Cormode, J. D. Sanchez-Yamagishi, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Jarillo-Herrero, P. Jacquod, B. J. LeRoy, Nat. Phys. 2012, 8, 382.
18. Y. J. Song, A. F. Otte, Y. Kuk, Y. K. Hu, D. B. Torrance, P. N. First, W. A. de Heer, H. K. Min, S. Adam, M. D. Stiles, A. H. MacDonald, J. A. Stroscio, Nature 2010, 467, 185.
19. D. L. Miller, K. D. Kubista, G. M. Rutter, M. Ruan, W. A. de Heer, P. N. First, J. A. Stroscio, Science 2009, 324, 924.
20. K. K. Kim, A. Hsu, X. T. Jia, S. M. Kim, Y. S. Shi, M. Hofmann, D. Nezich, J. F. Rodriguez-Nieva, M. Dresselhaus, T. Palacios, J. Kong, Nano Lett. 2012, 12, 161.
21. R. R. Nair, P. Blake, A. N. Grigorenko, K. S. Novoselov, T. J. Booth, T. Stauber, N. M. R. Peres, A. K. Geim, Science 2008, 320, 1308.
22. L. M. Malard, M. A. Pimenta, G. Dresselhaus, M. S. Dresselhaus, Phys. Rep. 2009, 473, 51.
23. Z. H. Ni, H. M. Wang, Y. Ma, J. Kasim, Y. H. Wu, Z. X. Shen, ACS Nano 2008, 2, 1033.
24. T. Yu, Z. H. Ni, C. L. Du, Y. M. You, Y. Y. Wang, Z. X. Shen, J. Phys. Chem. C. 2008, 112, 12602.
25. M. Y. Huang, H. G. Yan, C. Y. Chen, D. H. Song, T. F. Heinz, J. Hone, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2009, 106, 7304.
26. F. Ding, H. X. Ji, Y. H. Chen, A. Herklotz, K. Dorr, Y. F. Mei, A. Rastelli, O. G. Schmidt, Nano Lett. 2010, 10, 3453.
27. C. Metzger, S. Remi, M. K. Liu, S. V. Kusminskiy, A. H. C. Neto, A. K. Swan, B. B. Goldberg, Nano Lett. 2010, 10, 6.
28. T. Q. Lin, Y. M. Wang, H. Bi, D. Y. Wan, F. Q. Huang, X. M. Xie, M. H. Jiang, J. Mater. Chem. 2012, 22, 2859.
29. K. Kim, J. Y. Choi, T. Kim, S. H. Cho, H. J. Chung, Nature 2011, 479, 338.
30. Z. Z. Sun, Z. Yan, J. Yao, E. Beitler, Y. Zhu, J. M. Tour, Nature 2010, 468, 549.
31. Y. J. Ren, C. F. Zhu, W. W. Cai, H. F. Li, Y. F. Hao, Y. P. Wu, S. S. Chen, Q. Z. Wu, R. D. Piner, R. S. Ruoff, Nano 2012, 7, 1150001.
32. A. Reina, X. T. Jia, J. Ho, D. Nezich, H. B. Son, V. Bulovic, M. S. Dresselhaus, J. Kong, Nano Lett. 2009, 9, 30.
33. S. S. Chen, W. W. Cai, R. D. Piner, J. W. Suk, Y. P. Wu, Y. J. Ren, J. Y. Kang, R. S. Ruoff, Nano Lett. 2011, 11, 3519.
34. S. Lee, K. Lee, Z. H. Zhong, Nano Lett. 2010, 10, 4702.
35. E. H. Hwang, S. Adam, S. Das Sarma, Phys. Rev. Lett. 2007, 98, 186806.
36. K. I. Bolotin, K. J. Sikes, Z. Jiang, M. Klima, G. Fudenberg, J. Hone, P. Kim, H. L. Stormer, Solid State Commun. 2008, 146, 351.
37. S. Adam, E. H. Hwang, V. M. Galitski, S. Das Sarma, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2007, 104, 18392.
38. Y. W. Tan, Y. Zhang, K. Bolotin, Y. Zhao, S. Adam, E. H. Hwang, S. Das Sarma, H. L. Stormer, P. Kim, Phys. Rev. Lett. 2007, 99, 246803.
39. J. Schiefele, F. Sols, F. Guinea, Phys. Rev. B 2012, 85, 195420.